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PD- 91651C
FB180SA10
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
l
l
全隔离封装
易于使用和并行
非常低的导通电阻
动态的dv / dt额定值
全额定雪崩
简单的驱动要求
低漏到外壳电容
低内部电感
D
V
DSS
= 100V
R
DS （ ON）
= 0.0065W
G
I
D
= 180A
S
描述
第五代，高电流密度HEXFETS是
平行中成一个紧凑，高功率模块提供
的切换的最佳组合，坚固耐用的设计，
非常低的导通电阻和成本效益。
分离的SOT- 227包被，优选为所有
商业 - 工业应用的功率
耗散水平到约500瓦。低
热电阻，方便地连接到SOT-
227包有助于其普遍接受
在整个工业。
S 0牛逼-22 7
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
V
ISO
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
绝缘耐压（ AC- RMS）
安装扭矩， M4 srew
马克斯。
180
120
720
480
2.7
± 20
700
180
48
5.7
-55到+ 150
2.5
1.3
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
kV
N·m的
热阻
参数
R
QJC
R
QCS
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
典型值。
–––
0.05
马克斯。
0.26
–––
单位
° C / W
1
www.irf.com
2/1/99
FB180SA10
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
DV
（ BR ） DSS
/ DT
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
静态漏 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
g
fs
正向跨导
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
s
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
100
–––
–––
2.0
93
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
TYP 。 MAX 。单位
条件
––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
0.093 --- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
––– 0.0065
W
V
GS
= 10V ，我
D
= 108A
––– 4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
––– –––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 108A
––– 50
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
A
––– 500
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
––– 200
V
GS
= 20V
nA
––– -200
V
GS
= -20V
250 380
I
D
= 180A
40
60
nC
V
DS
= 80V
110 165
V
GS
= 10.0V ，见图。 6和13
45 –––
V
DD
= 50V
351 –––
I
D
= 180A
ns
181 –––
R
G
= 2.0W （内部）
335 –––
R
D
= 0.27W参见图。 10
,
5.0 –––
nH
铅之间，
而中心的模具接触
––– 10700 –––
V
GS
= 0V
––– 2800 –––
pF
V
DS
= 25V
––– 1300 –––
= 1.0MHz的，见图。五
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
MOSFET符号
––– ––– 180
展示
A
整体反转
––– ––– 720
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 180A ，V
GS
= 0V
––– 300 450
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 180A
––– 2.6 3.9
C
的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
I
180A ， di / dt的
83A/s,
V
DD
V
（ BR ） DSS
,
SD
T
J
150°C
起始物为
J
= 25℃时，L = 43μH
R
G
= 25W ，我
AS
= 180A 。 （参见图12）
脉冲宽度
300μS ;占空比
2%.
2
www.irf.com
FB180SA10
1000
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
1000
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
100
4.5V
4.5V
10
10
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
2.5
T
J
= 150
°
C
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= 180A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
2.0
100
1.5
T
J
= 25
°
C
1.0
10
0.5
1
4
5
6
7
V DS = 25V
20μs的脉冲宽度
8
9
10
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
FB180SA10
20000
C，电容（pF ）
15000
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
GS
=
C
国际空间站
=
C
RSS
=
C
OSS
=
0V,
F = 1MHz的
C
gs
+ C
GD ，
C
ds
短
C
gd
C
ds
+ C
gd
20
I
D
= 180 A
V
DS
= 80V
V
DS
= 50V
V
DS
= 20V
15
C
国际空间站
10000
10
C
OSS
5000
C
RSS
5
0
1
10
100
0
0
50
100
150
200
测试电路
见图13
250
300
350
400
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
10000
I
SD
，反向漏电流（ A）
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
T
J
= 150
°
C
1000
10us
I
D
，漏电流（ A）
100
10
100
100us
1ms
T
J
= 25
°
C
1
10
10ms
0.1
0.2
V
GS
= 0 V
0.6
1.0
1.4
1.8
1
1
T
C
= 25 ° C
T
J
= 150 ° C
单脉冲
10
100
1000
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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FB180SA10
200
175
V
DS
V
GS
R
G
R
D
D.U.T.
+
I
D
，漏电流（ A）
150
125
100
75
-
V
DD
10V
脉冲宽度
1
s
占空比
0.1 %
图10A 。
开关时间测试电路
50
V
DS
25
0
25
50
75
100
125
150
90%
T
C
，外壳温度（ ° C）
10%
V
GS
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图10B 。
开关时间波形
1
热响应（Z
thJC
)
D = 0.50
0.1
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.01
0.001
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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5
PD- 91651C
FB180SA10
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
l
l
全隔离封装
易于使用和并行
非常低的导通电阻
动态的dv / dt额定值
全额定雪崩
简单的驱动要求
低漏到外壳电容
低内部电感
D
V
DSS
= 100V
R
DS （ ON）
= 0.0065W
G
I
D
= 180A
S
描述
第五代，高电流密度HEXFETS是
平行中成一个紧凑，高功率模块提供
的切换的最佳组合，坚固耐用的设计，
非常低的导通电阻和成本效益。
分离的SOT- 227包被，优选为所有
商业 - 工业应用的功率
耗散水平到约500瓦。低
热电阻，方便地连接到SOT-
227包有助于其普遍接受
在整个工业。
S 0牛逼-22 7
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
V
ISO
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
绝缘耐压（ AC- RMS）
安装扭矩， M4 srew
马克斯。
180
120
720
480
2.7
± 20
700
180
48
5.7
-55到+ 150
2.5
1.3
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
kV
N·m的
热阻
参数
R
QJC
R
QCS
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
典型值。
–––
0.05
马克斯。
0.26
–––
单位
° C / W
1
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2/1/99
FB180SA10
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
DV
（ BR ） DSS
/ DT
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
静态漏 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
g
fs
正向跨导
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
s
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
100
–––
–––
2.0
93
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
TYP 。 MAX 。单位
条件
––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
0.093 --- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
––– 0.0065
W
V
GS
= 10V ，我
D
= 108A
––– 4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
––– –––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 108A
––– 50
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
A
––– 500
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
––– 200
V
GS
= 20V
nA
––– -200
V
GS
= -20V
250 380
I
D
= 180A
40
60
nC
V
DS
= 80V
110 165
V
GS
= 10.0V ，见图。 6和13
45 –––
V
DD
= 50V
351 –––
I
D
= 180A
ns
181 –––
R
G
= 2.0W （内部）
335 –––
R
D
= 0.27W参见图。 10
,
5.0 –––
nH
铅之间，
而中心的模具接触
––– 10700 –––
V
GS
= 0V
––– 2800 –––
pF
V
DS
= 25V
––– 1300 –––
= 1.0MHz的，见图。五
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
MOSFET符号
––– ––– 180
展示
A
整体反转
––– ––– 720
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 180A ，V
GS
= 0V
––– 300 450
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 180A
––– 2.6 3.9
C
的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
I
180A ， di / dt的
83A/s,
V
DD
V
（ BR ） DSS
,
SD
T
J
150°C
起始物为
J
= 25℃时，L = 43μH
R
G
= 25W ，我
AS
= 180A 。 （参见图12）
脉冲宽度
300μS ;占空比
2%.
2
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FB180SA10
1000
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
1000
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
100
4.5V
4.5V
10
10
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
2.5
T
J
= 150
°
C
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= 180A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
2.0
100
1.5
T
J
= 25
°
C
1.0
10
0.5
1
4
5
6
7
V DS = 25V
20μs的脉冲宽度
8
9
10
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
FB180SA10
20000
C，电容（pF ）
15000
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
GS
=
C
国际空间站
=
C
RSS
=
C
OSS
=
0V,
F = 1MHz的
C
gs
+ C
GD ，
C
ds
短
C
gd
C
ds
+ C
gd
20
I
D
= 180 A
V
DS
= 80V
V
DS
= 50V
V
DS
= 20V
15
C
国际空间站
10000
10
C
OSS
5000
C
RSS
5
0
1
10
100
0
0
50
100
150
200
测试电路
见图13
250
300
350
400
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
10000
I
SD
，反向漏电流（ A）
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
T
J
= 150
°
C
1000
10us
I
D
，漏电流（ A）
100
10
100
100us
1ms
T
J
= 25
°
C
1
10
10ms
0.1
0.2
V
GS
= 0 V
0.6
1.0
1.4
1.8
1
1
T
C
= 25 ° C
T
J
= 150 ° C
单脉冲
10
100
1000
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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200
175
V
DS
V
GS
R
G
R
D
D.U.T.
+
I
D
，漏电流（ A）
150
125
100
75
-
V
DD
10V
脉冲宽度
1
s
占空比
0.1 %
图10A 。
开关时间测试电路
50
V
DS
25
0
25
50
75
100
125
150
90%
T
C
，外壳温度（ ° C）
10%
V
GS
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图10B 。
开关时间波形
1
热响应（Z
thJC
)
D = 0.50
0.1
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.01
0.001
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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