FS5AS-10A
高速开关使用
N沟道功率MOS FET
REJ03G0246-0100
初步
Rev.1.00
Aug.20.2004
特点
驱动电压：10V
V
DSS
: 500 V
r
DS （ ON） （ MAX ）
: 1.5
I
D
: 5 A
概要
MP-3A
2, 4
4
1
12
3
1.
2.
3.
4.
门
漏
来源
漏
3
应用
开关电源，灯具镇流器等。
最大额定值
（ TC = 25 ° C）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流（脉冲）
雪崩电流（脉冲）
最大功率耗散
通道温度
储存温度
块
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
DA
P
D
总胆固醇
TSTG
—
评级
500
±30
5
15
5
65
- 55 + 150
- 55 + 150
0.32
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
g
条件
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
L = 200
H
典型的价值
Rev.1.00 ， Aug.20.2004 ，页6 1
FS5AS-10A
电气特性
（总胆固醇= 25 ℃）下
参数
漏源击穿电压
栅源击穿电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流
门源阈值电压
漏源导通电阻
漏源通态电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
热阻
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
| y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
RTH （ CH -C ）
分钟。
500
±30
—
—
2.5
—
—
2.7
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
3.0
1.2
2.4
4.5
700
70
15
15
20
90
30
1.5
—
马克斯。
—
—
±10
1
3.5
1.5
3.0
—
—
—
—
—
—
—
—
2.0
1.92
单位
V
V
A
mA
V
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
° C / W
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0 V
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0 V
V
GS
=
±25
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 2 A，V
GS
= 10 V
I
D
= 2 A，V
GS
= 10 V
I
D
= 2 A，V
DS
= 10 V
V
DS
= 25 V, V
GS
= 10 V,
F = 1MHz的
V
DD
= 200 V，I
D
= 2 A,
V
GS
= 10 V,
R
根
= R
GS
= 50
I
S
= 2 A，V
GS
= 0 V
渠道情况
Rev.1.00 ， Aug.20.2004 ， 6 2页
FS5AS-10A
性能曲线
漏功耗降额曲线
70
最大安全工作区
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
TC = 25°C
2
单脉冲
漏极功耗P
D
(W)
60
漏电流I
D
(A)
50
40
30
20
10
0
0
50
100
150
200
TW = 10微秒
100s
1ms
DC
10
–1 0
10 2 3 5 710
1
2 3 5 710
2
2 3 5 710
3
壳温度（ ° C）
漏源电压V
DS
(V)
输出特性（典型）
10
输出特性（典型）
5
TC = 25°C
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
8
V
GS
= 20V
10V
6V
V
GS
= 20V
10V
5V
TC = 25°C
脉冲测试
4
6V
6
P
D
= 65W
5V
3
4
2
2
1
4V
0
0
4
8
12
16
20
0
0
2
4
6
8
4V
10
漏源电压V
DS
(V)
漏源电压V
DS
(V)
漏源通态电压V
DS （ ON）
(V)
20
漏源通态电阻R
DS （ ON）
()
导通电压VS.
栅源电压（典型值）
TC = 25°C
脉冲测试
16
通态电阻VS.
漏电流（典型值）
4.0
TC = 25°C
脉冲测试
3.2
I
D
= 8A
12
2.4
V
GS
= 10V
1.6
8
5A
3A
20V
4
0.8
0
10
–1
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
0
0
4
8
12
16
20
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
Rev.1.00 ， Aug.20.2004 ， 6个3页
FS5AS-10A
正向转移导纳主场迎战
漏电流（典型值）
正向转移导纳| YFS | （ S）
10
2
7
5
4
3
2
10
1
7
5
4
3
2
10
0
7
5
4
3
2
10
–1
–1
10
传输特性（典型）
10
漏电流I
D
(A)
8
TC = 25°C
V
DS
= 10V
脉冲测试
V
DS
= 10V
脉冲测试
6
4
2
TC = 125°C
75°C
25°C
0
0
4
8
12
16
20
2 3 4 5 7 10
0
2 3 4 5 7 10
1
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
电容与
漏源极电压（典型值）
2
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
5
4
3
开关特性（典型）
TCH = 25°C
V
DD
= 200V
V
GS
= 10V
R
根
= R
GS
= 50
TD （关闭）
西塞
切换时间（纳秒）
2
10
2
7
5
4
3
2
10
1
7
5
10
–1
电容（pF）
科斯
tf
tr
TD （上）
CRSS
10
1
TCH = 25°C
7
5
F = 1MHz的
3
V
GS
= 0V
2
2 3 5 7 10
0
2 3 5 710
1
2 3 5 7 10
2
2 3
2 3 4 5 7 10
0
2 3 4 5 7 10
1
漏源电压V
DS
(V)
栅源电压与
栅极电荷（典型值）
20
10
漏电流I
D
(A)
源极 - 漏极二极管的正向
特性（典型值）
V
GS
= 0V
脉冲测试
TC = 125°C
75°C
6
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
TCH = 25°C
I
D
= 5A
V
DS
= 100V
12
源电流我
S
(A)
16
8
25°C
200V
8
400V
4
4
2
0
0
8
16
24
32
40
0
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
栅极电荷Qg （ NC ）
源极 - 漏极电压V
SD
(V)
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FS5AS-10A
通态电阻VS.
通道温度（典型）
10
1
7
5
4
3
2
10
0
7
5
4
3
2
10
–1
–50
0
50
100
150
r
DS （ ON）
（T ° C）
r
DS （ ON）
(25°C)
门源阈值电压V
GS （ TH）
(V)
阈值电压 -
通道温度（典型）
5.0
V
GS
= 10V
I
D
= 2A
脉冲测试
V
DS
= 10V
I
D
= 1毫安
4.0
漏源导通电阻
漏源导通电阻
3.0
2.0
1.0
0
–50
0
50
100
150
沟道温度Tch （ ° C）
沟道温度Tch （ ° C）
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
（T ° C）
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
(25°C)
瞬态热阻抗第Z （ CH-C ） （ ° C / W）
击穿电压VS.
通道温度（典型）
1.4
瞬态热阻抗特性
10
1
7
5
3
D = 1.0
2
0.5
10
0
7
0.2
5
3
2
V
GS
= 0V
I
D
= 1毫安
1.2
1.0
0.8
P
DM
0.6
0.4
–50
0
50
100
150
10
–1
10
–4
2 3 57 10
–3
2 3 57 10
–2
2 3 57 10
-1
2 3 57 10
0
2 3 5710
1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
tw
T
D = TW
T
沟道温度Tch （ ° C）
脉冲宽度tw （多个）
开关时间测量电路
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
VIN
VOUT
R
GS
V
DD
VOUT
MONITOR
开关波形
90%
R
根
10%
10%
10%
90%
TD （上）
tr
90%
TD （关闭）
tf
Rev.1.00 ， Aug.20.2004 ， 6个5页
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