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FDS9953A
2001年5月
FDS9953A
双路30V P沟道PowerTrench
MOSFET
概述
这个P
声道MOSFET是一个坚固的门版本
飞兆半导体的PowerTrench先进
流程。它已被优化的电源管理
需要大范围给驱动器的应用
额定电压( 4.5V - 25V ) 。
特点
-2.9 A, -30 V
R
DS ( ON)
= 130毫欧@ V
GS
= –10 V
R
DS ( ON)
= 200毫欧@ V
GS
= –4.5 V
低栅极电荷( 2.5nC典型值)
开关速度快
高性能沟道技术极
低R
DS ( ON)
高功率和电流处理能力
应用
电源管理
负荷开关
电池保护
D2
D
D1
D
D2
D
D
D1
5
6
7
G1
S1
G
G2
S
S2
S
Q1
4
3
2
Q2
SO-8
销1
SO-8
8
1
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
评级
–30
±25
(注1A )
单位
V
V
A
W
±2.9
±10
2
功耗双操作
功率消耗单操作
(注1A )
(注1B )
(注1C )
1.6
1
0.9
-55到+150
°C
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
热特性
R
θJA
R
θJ
C
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1 )
78
40
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS9953A
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
设备
FDS9953A
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
FDS9953A版本B ( W)
FDS9953A
电气特性
符号
参数
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
–30
TYP MAX
单位
V
漏源击穿
V
GS
= 0 V,I
D
= –250
A
电压
击穿电压温度我
D
= –250
A,
参考25 ℃下
系数
V
GS
= 0 V
零栅压漏电流V
DS
= –24 V,
门体泄漏,正向
门体泄漏,反向
(注2 )
–23
–2
–100
100
毫伏/°C的
A
nA
nA
V
GS
= –25 V,
V
GS
= 25 V,
V
DS
= 0 V
V
DS
= 0 V
基本特征
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
T
J
R
DS ( ON)
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
A
I
D
= –250
A,
参考25 ℃下
V
GS
V
GS
V
GS
V
GS
V
GS
= -10 V,I
D
= –1 A
= -10 V,I
D
= -1 A,T
J
=125°C
= -4.5 V,I
D
= –0.5 A
= -4.5 V,I
D
= -0.5 A,T
J
=125°C
= –10 V,
V
DS
= –5 V
V
DS
= –5 V
I
D
= –1 A
–1
–1.8
4
95
137
142
202
–3.0
V
毫伏/°C的
130
200
200
310
m
I
D(上)
g
FS
通态漏电流
正向跨导
–5
–1.5
4
A
S
V
GS
= –4.5 V,
V
DS
= –15 V,
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
(注2 )
V
DS
= –15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
185
56
26
pF
pF
pF
开关特性
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= –15 V,
V
GS
= –10 V,
I
D
= –1 A,
R
= 6
4.5
13
11
2
9
23
20
4
3.5
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= –5 V,
V
GS
= –10 V
I
D
= –1 A,
2.5
0.8
0.9
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
t
rr
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
V
GS
= 0 V,I
S
= –1.3 A
电压
反向恢复时间
V
GS
= 0 V,I
F
= –1.25A,
dI
F
/ DT = 100A / μs的
–1.2
(注2 )
–0.8
17
1.3
100
A
V
nS
FDS9953A版本B ( W)
FDS9953A
典型特征
注意事项:
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻,其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a)
78 ° C / W时,
安装在一
0.5in
2
2垫
盎司铜
b)
125 ° C / W时,
安装在一
在0.02
2
2盎司铜
c)
135 ° C / W时,
安装在一
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 : 1规模
2.
脉冲测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2.0 %
FDS9953A版本B ( W)
FDS9953A
典型特征
10
V
GS
= -10V
8
-I
D
,漏电流( A)
R
DS ( ON)
,
漏源导通电阻
-6.0V
-4.5V
3.5
3
V
GS
= -3.5V
2.5
2
1.5
1
-4.0V
-4.5V
-5.0V
-6.0V
-10V
6
-4.0V
4
-3.5V
2
-3.0V
0
0
1
2
3
4
5
-V
DS
,漏源电压(V )
0.5
0
2
4
6
8
10
-I
D
,漏电流( A)
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.5
I
D
= -0.5 A
R
DS ( ON)
导通电阻( OHM )
,
0.4
1.6
R
DS ( ON)
,
漏源导通电阻
I
D
= -1A
V
GS
= -10V
1.4
1.2
0.3
T
A
= 125
o
C
0.2
T
A
= 25
o
C
0.1
1
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
-V
GS
,门源电压( V)
10
T
J
,结温(
o
C)
图3.导通电阻变化与
温度。
6
25
o
C
125
o
C
4
-I
S
,反向漏电流( A)
V
DS
= -5V
5
-I
D
,漏电流( A)
T
A
=
-55
o
C
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
10
V
GS
= 0V
1
T
A
= 125
o
C
0.1
25
o
C
0.01
-55
o
C
0.001
3
2
1
0
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
-V
GS
,门源电压( V)
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-V
SD
,体二极管正向电压( V)
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDS9953A版本B ( W)
FDS9953A
典型特征
10
-V
GS
,栅源电压(V )
I
D
=-1.0 A
8
-15V
6
电容(pF)
V
DS
= -5V
-10V
300
250
C
国际空间站
200
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
150
100
C
OSS
50
C
RSS
4
2
0
0
1
2
3
4
5
Q
g
,栅极电荷( NC)
0
0
5
10
15
20
25
30
-V
DS
,漏源极电压( V)
图7.栅极电荷特性。
100
P( PK) ,峰值瞬态功率( W)
50
图8.电容特性。
-I
D
,漏电流( A)
10
R
DS ( ON)
极限
100s
1ms
10ms
100ms
1s
10s
DC
40
单脉冲
R
θ
JA
= 135 ° C / W
T
A
= 25°C
30
1
20
0.1
V
GS
= -10V
单脉冲
R
θJA
= 135
o
C / W
T
A
=
25
o
C
10
0.01
0.1
1
10
100
-V
DS
,漏源电压(V )
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t
1
,时间(秒)
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
1
R(T ) ,规范有效
瞬态热阻
D = 0.5
0.2
R
θ
JA
(吨) = R(T) + R
θ
JA
R
θJA
= 135 ° C / W
P( PK)
0.02
0.01
0.1
0.1
0.05
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.01
单脉冲
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDS9953A版本B ( W)
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    FDS9953A
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    -
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    -
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联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
FDS9953A
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联系人:陈小姐 付先生
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FDS9953A
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