FDS9953A
2001年5月
FDS9953A
双路30V P沟道PowerTrench
MOSFET
概述
这个P
声道MOSFET是一个坚固的门版本
飞兆半导体的PowerTrench先进
流程。它已被优化的电源管理
需要大范围给驱动器的应用
额定电压( 4.5V - 25V ) 。
特点
-2.9 A, -30 V
R
DS ( ON)
= 130毫欧@ V
GS
= –10 V
R
DS ( ON)
= 200毫欧@ V
GS
= –4.5 V
低栅极电荷( 2.5nC典型值)
开关速度快
高性能沟道技术极
低R
DS ( ON)
高功率和电流处理能力
应用
电源管理
负荷开关
电池保护
D2
D
D1
D
D2
D
D
D1
5
6
7
G1
S1
G
G2
S
S2
S
Q1
4
3
2
Q2
SO-8
销1
SO-8
8
1
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
评级
–30
±25
(注1A )
单位
V
V
A
W
±2.9
±10
2
功耗双操作
功率消耗单操作
(注1A )
(注1B )
(注1C )
1.6
1
0.9
-55到+150
°C
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
热特性
R
θJA
R
θJ
C
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1 )
78
40
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS9953A
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
设备
FDS9953A
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
FDS9953A版本B ( W)
FDS9953A
典型特征
注意事项:
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻,其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a)
78 ° C / W时,
安装在一
0.5in
2
2垫
盎司铜
b)
125 ° C / W时,
安装在一
在0.02
2
垫
2盎司铜
c)
135 ° C / W时,
安装在一
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 : 1规模
2.
脉冲测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2.0 %
FDS9953A版本B ( W)