【我们所有的客户关于文件中提到的名字，如三菱的变化电气和三菱XX ，瑞萨科技公司日立和三菱电机的半导体】,IC型号FS50VSJ-3,FS50VSJ-3 PDF资料,FS50VSJ-3经销商,ic,电子元器件-51电子网

我们所有的客户

关于文件中提到的名字，如三菱的变化

电气和三菱XX ，瑞萨科技公司

日立和三菱电机的半导体业务转移到瑞萨

科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟

和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等

因此，虽然三菱电机，三菱电机株式会社，三菱

半导体及其他三菱品牌名称提到的文件中，这些名称

已在事实上，所有被更改为瑞萨科技公司感谢您的理解。

除了我们的企业商标，标识和公司声明，没有改变任何已经

到文档中的内容作出，而这些变化不构成任何改动的

文件本身的内容。

注：三菱电机将继续高频&光学器件的业务运营

与功率器件。

瑞萨科技公司

客户服务部

2003年4月1日

三菱N沟道功率MOSFET

FS50VSJ-3

高速开关使用

FS50VSJ-3

外形绘图

1.5MAX.

r

10.5MAX.

尺寸（mm）

4.5

1.3

1.5MAX.

8.6 ± 0.3

9.8 ± 0.5

3.0

–0.5

+0.3

0

+0.3

–0

1

5

0.8

B

0.5

Q宽E

wr

2.6 ± 0.4

4V

DRIVE

V

DSS

……………………………………………...150V

r

DS （ ON）（ MAX ）

…………………………………...30m

I

D

…………………………………………………...50A

综合

快恢复二极管（ TYP 。） ...... ......为125ns

q

w

e

r

e

TO-220S

应用

电机控制，灯控制，电磁阀控制

直流 - 直流转换器等。

最大额定值

（ TC = 25 ° C）

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DM

I

DA

I

S

I

SM

P

D

T

ch

T

英镑

—

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

漏电流（脉冲）

雪崩漏电流（脉冲）

源出电流

源电流（脉冲）

最大功率耗散

通道温度

储存温度

重量

典型的价值

V

GS

= 0V

V

DS

= 0V

条件

评级

150

±20

50

200

50

200

125

–55 ~ +150

1.2

单位

V

A

W

°C

g

2000年9月

L = 100μH

4.5

门

漏

来源

漏

(1.5)

三菱N沟道功率MOSFET

FS50VSJ-3

高速开关使用

电气特性

（总胆固醇= 25 ℃）下

符号

V

（ BR ） DSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ TH）

r

DS （ ON）

r

DS （ ON）

V

DS （ ON）

y

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

SD

R

TH（ CH-C ）

t

rr

参数

漏源击穿电压

栅极 - 源极漏电流

漏极 - 源极漏电流

门源阈值电压

漏源导通电阻

漏源通态电压

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

源 - 漏电压

热阻

反向恢复时间

I

D

= 1mA时， V

GS

= 0V

V

GS

=

±20V,

V

DS

= 0V

V

DS

= 150V, V

GS

= 0V

I

D

= 1mA时， V

DS

= 10V

I

D

= 25A ，V

GS

= 10V

I

D

= 25A ，V

GS

= 4V

I

D

= 25A ，V

GS

= 10V

I

D

= 25A ，V

DS

= 10V

V

DS

= 10V, V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

测试条件

范围

分钟。

150

—

1.0

—

典型值。

—

1.5

23

24

0.58

62

8200

870

440

54

110

850

340

1.0

—

125

马克斯。

—

±0.1

0.1

2.0

30

32

0.75

—

1.5

1.00

—

单位

V

A

mA

V

m

V

S

pF

ns

V

° C / W

ns

V

DD

= 80V ，我

D

= 25A ，V

GS

= 10V ，R

根

= R

GS

= 50

I

S

= 25A ，V

GS

= 0V

渠道情况

I

S

= 50A ， DIS / DT = -100A / μs的

性能曲线

功耗降额曲线

200

最大安全工作区

3

2

功耗P

D

(W)

160

漏电流I

D

(A)

120

10

2

7

5

3

2

10

1

7

5

3

2

TW = 10毫秒

100ms

1ms

10ms

80

40

0

50

100

150

200

10

0

DC

7

T

C

= 25°C

5

单脉冲

3

0

10 2 3 5 7 10

1

2 3 5 7 10

2

2 3 5 7 10

3

漏源电压V

DS

(V)

输出特性

（典型值）

50

V

GS

= 10V 5V

4V

3V

案例温度T

C

(°C)

输出特性

（典型值）

100

V

GS

= 10V 5V

4V

T

C

= 25°C

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

80

漏电流I

D

(A)

40

60

3V

30

40

P

D

= 125W

20

2.5V

20

10

T

C

= 25°C

脉冲测试

0

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

漏源电压V

DS

(V)

漏源电压V

DS

(V)

2000年9月

三菱N沟道功率MOSFET

FS50VSJ-3

高速开关使用

导通电压VS.

栅源电压

（典型值）

2.0

I

D

= 100A

通态电阻VS.

漏电流

（典型值）

40

T

C

= 25°C

脉冲测试

1.6

80A

漏极 - 源极导通状态

电阻R

DS （ ON）

(m)

漏极 - 源极导通状态

电压V

DS （ ON）

(V)

32

1.2

50A

24

V

GS

= 4V

10V

0.8

16

0.4

T

C

= 25°C

脉冲测试

20A

8

0

2

4

6

8

10

3 5 7 10

0

2 3 5 7 10

1

2 3 5 7 10

2

2 3

漏电流I

D

(A)

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

传输特性

（典型值）

100

T

C

= 25°C

V

DS

= 10V

脉冲测试

正向转移导纳

VS.DRAIN CURRENT

（典型值）

10

2

7

5

4

3

2

10

1

7

5

4

3

2

V

DS

= 10V

脉冲测试

T

C

= 25°C

75°C

125°C

漏电流I

D

(A)

60

40

20

正向传递

导纳

y

fs

(S)

80

0

2

4

6

8

10

0 0

10

2 3 4 5 7 10

1

2 3 4 5 7 10

2

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

电容与

漏源电压

（典型值）

2

10

4

7

5

3

2

10

3

7

5

3

2

西塞

开关特性

（典型值）

10

4

7

5

3

2

10

3

7

5

3

2

10

2

7

5

3

2

10

1 0

10

2 3

t

D（关闭）

t

f

TCH = 25°C

V

DD

= 80V

V

GS

= 10V

R

根

= R

GS

= 50

科斯

CRSS

切换时间（纳秒）

电容

西塞，科斯，的Crss （PF ）

t

r

t

D（上）

10

2

7

TCH = 25°C

5

F = 1MH

Z

3

V

GS

= 0V

2

3 5 710

0

2 3 5 7 10

1

2 3 5 7 10

2

2 3

漏源电压V

DS

(V)

5 7 10

1

2 3

5 7 10

2

漏电流I

D

(A)

2000年9月

三菱N沟道功率MOSFET

FS50VSJ-3

高速开关使用

栅源电压

VS.GATE CHARGE

（典型值）

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

源极 - 漏极二极管

正向特性

（典型值）

100

源电流我

S

(A)

V

GS

= 0V

脉冲测试

T

C

= 125°C

10

T

ch

= 25°C

I

D

= 50A

V

DS

= 50V

8

80

6

80V

100V

60

75°C

25°C

4

40

2

20

0

40

80

120

160

200

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

栅极电荷q

g

（ NC ）

源极 - 漏极电压V

SD

(V)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

(25°C)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

（T ° C）

通态电阻VS.

通道温度

（典型值）

10

1

7

V

GS

= 10V

I

D

= 1/2I

D

5

脉冲测试

3

2

10

0

7

5

3

2

10

–1

–50

0

50

100

150

4.0

门极 - 源

电压V

GS （ TH）

(V)

阈值电压 -

通道温度

（典型值）

V

DS

= 10V

I

D

= 1毫安

3.2

2.4

1.6

0.8

0

–50

0

50

100

150

沟道温度Tch （ ° C）

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

(25°C)

瞬态热阻抗Z

日（ CH - C ）

（ ° C / W）

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

（T ° C）

击穿电压VS.

通道温度

（典型值）

1.4

V

GS

= 0V

I

D

= 1毫安

瞬态热阻抗

特征

10

1

7

5

3

2

10

0

7

0.5

5

3

0.2

2

0.1

10

–1

7

5

3

2

D = 1.0

1.2

1.0

0.8

P

DM

tw

0.6

0.05

0.02

0.01

单脉冲

T

D

=

tw

T

0.4

–50

0

50

100

150

10

–2 –4

10 2 3 5710

–3

2 3 5710

–2

2 3 5710

–1

2 3 5710

0

2 3 5710

1

2 3 5710

2

脉冲宽度t

w

(s)

2000年9月

沟道温度Tch （ ° C）

三菱N沟道功率MOSFET

FS50VSJ-3

高速开关使用

FS50VSJ-3

外形绘图

1.5MAX.

尺寸（mm）

4.5

1.3

r

10.5MAX.

1.5MAX.

8.6

±

0.3

9.8

±

0.5

3.0

+0.3

–0.5

0

–0

+0.3

1

5

0.8

B

0.5

Q宽E

wr

2.6

±

0.4

4V

DRIVE

V

DSS ................................................. ...............................

150V

r

DS （ ON）（ MAX ） ........................................... ...................

30m

I

D .........................................................................................

50A

综合

快恢复二极管（ TYP 。）

...........

125ns

q

门

w

漏

e

来源

r

漏

e

TO-220S

应用

电机控制，灯控制，电磁阀控制

直流 - 直流转换器等。

最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DM

I

DA

I

S

I

SM

P

D

T

ch

T

英镑

—

（ TC = 25 ° C）

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

漏电流（脉冲）

雪崩漏电流（脉冲）

源出电流

源电流（脉冲）

最大功率耗散

通道温度

储存温度

重量

典型的价值

V

GS

= 0V

V

DS

= 0V

条件

评级

150

±20

50

200

50

200

125

–55 ~ +150

1.2

4.5

单位

V

A

W

°C

g

Feb.1999

L = 100μH

(1.5)

三菱N沟道功率MOSFET

FS50VSJ-3

高速开关使用

电气特性

符号

V

（ BR ） DSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ TH）

r

DS （ ON）

r

DS （ ON）

V

DS （ ON）

y

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

SD

R

TH（ CH-C ）

t

rr

参数

漏源击穿电压

栅极 - 源极漏电流

漏极 - 源极漏电流

门源阈值电压

（总胆固醇= 25 ℃）下

测试条件

I

D

= 1mA时， V

GS

= 0V

V

GS

=

±20V,

V

DS

= 0V

V

DS

= 150V, V

GS

= 0V

I

D

= 1mA时， V

DS

= 10V

I

D

= 25A ，V

GS

= 10V

I

D

= 25A ，V

GS

= 4V

I

D

= 25A ，V

GS

= 10V

I

D

= 25A ，V

DS

= 10V

V

DS

= 10V, V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

范围

分钟。

150

—

1.0

—

典型值。

—

1.5

23

24

0.58

62

8200

870

440

54

110

850

340

1.0

—

125

马克斯。

—

±0.1

0.1

2.0

30

32

0.75

—

1.5

1.00

—

单位

V

A

mA

V

m

V

S

pF

ns

V

° C / W

ns

漏源导通电阻

漏源通态电压

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

源 - 漏电压

热阻

反向恢复时间

V

DD

= 80V ，我

D

= 25A ，V

GS

= 10V ，R

根

= R

GS

= 50

I

S

= 25A ，V

GS

= 0V

渠道情况

I

S

= 50A ， DIS / DT = -100A / μs的

性能曲线

功耗降额曲线

200

最大安全工作区

3

2

功耗P

D

(W)

160

漏电流I

D

(A)

120

10

2

7

5

3

2

10

1

7

5

3

2

TW = 10毫秒

100ms

1ms

10ms

80

40

0

50

100

150

200

10

0

DC

7

T

C

= 25°C

5

单脉冲

3

0

10 2 3 5 7 10

1

2 3 5 7 10

2

2 3 5 7 10

3

漏源电压V

DS

(V)

输出特性

（典型值）

50

V

GS

= 10V 5V

4V

3V

案例温度T

C

(°C)

输出特性

（典型值）

100

V

GS

= 10V 5V

4V

T

C

= 25°C

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

80

漏电流I

D

(A)

40

60

3V

30

40

P

D

= 125W

20

2.5V

20

10

T

C

= 25°C

脉冲测试

0

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

漏源电压V

DS

(V)

漏源电压V

DS

(V)

Feb.1999

三菱N沟道功率MOSFET

FS50VSJ-3

高速开关使用

导通电压VS.

栅源电压

（典型值）

2.0

I

D

= 100A

通态电阻VS.

漏电流

（典型值）

40

T

C

= 25°C

脉冲测试

1.6

80A

漏极 - 源极导通状态

电阻R

DS （ ON）

(m)

漏极 - 源极导通状态

电压V

DS （ ON）

(V)

32

1.2

50A

24

V

GS

= 4V

10V

0.8

16

0.4

T

C

= 25°C

脉冲测试

20A

8

0

2

4

6

8

10

3 5 7 10

0

2 3 5 7 10

1

2 3 5 7 10

2

2 3

漏电流I

D

(A)

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

传输特性

（典型值）

100

T

C

= 25°C

V

DS

= 10V

脉冲测试

正向转移导纳

VS.DRAIN CURRENT

（典型值）

10

2

7

5

4

3

2

10

1

7

5

4

3

2

V

DS

= 10V

脉冲测试

T

C

= 25°C

75°C

125°C

漏电流I

D

(A)

60

40

20

正向传递

导纳

y

fs

(S)

80

0

2

4

6

8

10

0 0

10

2 3 4 5 7 10

1

2 3 4 5 7 10

2

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

电容与

漏源电压

（典型值）

2

10

4

7

5

3

2

10

3

7

5

3

2

西塞

开关特性

（典型值）

10

4

7

5

3

2

10

3

7

5

3

2

10

2

7

5

3

2

10

1 0

10

2 3

t

D（关闭）

t

f

TCH = 25°C

V

DD

= 80V

V

GS

= 10V

R

根

= R

GS

= 50

科斯

CRSS

切换时间（纳秒）

电容

西塞，科斯，的Crss （PF ）

t

r

t

D（上）

10

2

7

TCH = 25°C

5

F = 1MH

Z

3

V

GS

= 0V

2

3 5 710

0

2 3 5 7 10

1

2 3 5 7 10

2

2 3

漏源电压V

DS

(V)

5 7 10

1

2 3

5 7 10

2

漏电流I

D

(A)

Feb.1999

三菱N沟道功率MOSFET

FS50VSJ-3

高速开关使用

栅源电压

VS.GATE CHARGE

（典型值）

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

源极 - 漏极二极管

正向特性

（典型值）

100

源电流我

S

(A)

V

GS

= 0V

脉冲测试

T

C

= 125°C

10

T

ch

= 25°C

I

D

= 50A

V

DS

= 50V

8

80

6

80V

100V

60

75°C

25°C

4

40

2

20

0

40

80

120

160

200

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

栅极电荷q

g

（ NC ）

源极 - 漏极电压V

SD

(V)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

(25°C)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

（T ° C）

通态电阻VS.

通道温度

（典型值）

10

1

7

V

GS

= 10V

I

D

= 1/2I

D

5

脉冲测试

3

2

10

0

7

5

3

2

10

–1

–50

0

50

100

150

2.0

门极 - 源

电压V

GS （ TH）

(V)

阈值电压 -

通道温度

（典型值）

V

DS

= 10V

I

D

= 1毫安

1.6

1.2

0.8

0.4

0

–50

0

50

100

150

沟道温度Tch （ ° C）

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

(25°C)

瞬态热阻抗Z

日（ CH - C ）

（ ° C / W）

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

（T ° C）

击穿电压VS.

通道温度

（典型值）

1.4

V

GS

= 0V

I

D

= 1毫安

瞬态热阻抗

特征

10

1

7

5

3

2

10

0

7

0.5

5

3

0.2

2

0.1

10

–1

7

5

3

2

D = 1.0

1.2

1.0

0.8

P

DM

tw

0.6

0.05

0.02

0.01

单脉冲

T

D

=

tw

T

0.4

–50

0

50

100

150

10

–2 –4

10 2 3 5710

–3

2 3 5710

–2

2 3 5710

–1

2 3 5710

0

2 3 5710

1

2 3 5710

2

脉冲宽度t

w

(s)

Feb.1999

沟道温度Tch （ ° C）

三菱N沟道功率MOSFET

FS50VSJ-3

高速开关使用

FS50VSJ-3

外形绘图

1.5MAX.

尺寸（mm）

4.5

1.3

r

10.5MAX.

1.5MAX.

8.6

±

0.3

9.8

±

0.5

3.0

+0.3

–0.5

0

–0

+0.3

1

5

0.8

B

0.5

Q宽E

wr

2.6

±

0.4

4V

DRIVE

V

DSS ................................................. ...............................

150V

r

DS （ ON）（ MAX ） ........................................... ...................

30m

I

D .........................................................................................

50A

综合

快恢复二极管（ TYP 。）

...........

125ns

q

门

w

漏

e

来源

r

漏

e

TO-220S

应用

电机控制，灯控制，电磁阀控制

直流 - 直流转换器等。

最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DM

I

DA

I

S

I

SM

P

D

T

ch

T

英镑

—

（ TC = 25 ° C）

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

漏电流（脉冲）

雪崩漏电流（脉冲）

源出电流

源电流（脉冲）

最大功率耗散

通道温度

储存温度

重量

典型的价值

V

GS

= 0V

V

DS

= 0V

条件

评级

150

±20

50

200

50

200

125

–55 ~ +150

1.2

4.5

单位

V

A

W

°C

g

Feb.1999

L = 100μH

(1.5)

三菱N沟道功率MOSFET

FS50VSJ-3

高速开关使用

电气特性

符号

V

（ BR ） DSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ TH）

r

DS （ ON）

r

DS （ ON）

V

DS （ ON）

y

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

SD

R

TH（ CH-C ）

t

rr

参数

漏源击穿电压

栅极 - 源极漏电流

漏极 - 源极漏电流

门源阈值电压

（总胆固醇= 25 ℃）下

测试条件

I

D

= 1mA时， V

GS

= 0V

V

GS

=

±20V,

V

DS

= 0V

V

DS

= 150V, V

GS

= 0V

I

D

= 1mA时， V

DS

= 10V

I

D

= 25A ，V

GS

= 10V

I

D

= 25A ，V

GS

= 4V

I

D

= 25A ，V

GS

= 10V

I

D

= 25A ，V

DS

= 10V

V

DS

= 10V, V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

范围

分钟。

150

—

1.0

—

典型值。

—

1.5

23

24

0.58

62

8200

870

440

54

110

850

340

1.0

—

125

马克斯。

—

±0.1

0.1

2.0

30

32

0.75

—

1.5

1.00

—

单位

V

A

mA

V

m

V

S

pF

ns

V

° C / W

ns

漏源导通电阻

漏源通态电压

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

源 - 漏电压

热阻

反向恢复时间

V

DD

= 80V ，我

D

= 25A ，V

GS

= 10V ，R

根

= R

GS

= 50

I

S

= 25A ，V

GS

= 0V

渠道情况

I

S

= 50A ， DIS / DT = -100A / μs的

性能曲线

功耗降额曲线

200

最大安全工作区

3

2

功耗P

D

(W)

160

漏电流I

D

(A)

120

10

2

7

5

3

2

10

1

7

5

3

2

TW = 10毫秒

100ms

1ms

10ms

80

40

0

50

100

150

200

10

0

DC

7

T

C

= 25°C

5

单脉冲

3

0

10 2 3 5 7 10

1

2 3 5 7 10

2

2 3 5 7 10

3

漏源电压V

DS

(V)

输出特性

（典型值）

50

V

GS

= 10V 5V

4V

3V

案例温度T

C

(°C)

输出特性

（典型值）

100

V

GS

= 10V 5V

4V

T

C

= 25°C

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

80

漏电流I

D

(A)

40

60

3V

30

40

P

D

= 125W

20

2.5V

20

10

T

C

= 25°C

脉冲测试

0

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

漏源电压V

DS

(V)

漏源电压V

DS

(V)

Feb.1999

三菱N沟道功率MOSFET

FS50VSJ-3

高速开关使用

导通电压VS.

栅源电压

（典型值）

2.0

I

D

= 100A

通态电阻VS.

漏电流

（典型值）

40

T

C

= 25°C

脉冲测试

1.6

80A

漏极 - 源极导通状态

电阻R

DS （ ON）

(m)

漏极 - 源极导通状态

电压V

DS （ ON）

(V)

32

1.2

50A

24

V

GS

= 4V

10V

0.8

16

0.4

T

C

= 25°C

脉冲测试

20A

8

0

2

4

6

8

10

3 5 7 10

0

2 3 5 7 10

1

2 3 5 7 10

2

2 3

漏电流I

D

(A)

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

传输特性

（典型值）

100

T

C

= 25°C

V

DS

= 10V

脉冲测试

正向转移导纳

VS.DRAIN CURRENT

（典型值）

10

2

7

5

4

3

2

10

1

7

5

4

3

2

V

DS

= 10V

脉冲测试

T

C

= 25°C

75°C

125°C

漏电流I

D

(A)

60

40

20

正向传递

导纳

y

fs

(S)

80

0

2

4

6

8

10

0 0

10

2 3 4 5 7 10

1

2 3 4 5 7 10

2

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

电容与

漏源电压

（典型值）

2

10

4

7

5

3

2

10

3

7

5

3

2

西塞

开关特性

（典型值）

10

4

7

5

3

2

10

3

7

5

3

2

10

2

7

5

3

2

10

1 0

10

2 3

t

D（关闭）

t

f

TCH = 25°C

V

DD

= 80V

V

GS

= 10V

R

根

= R

GS

= 50

科斯

CRSS

切换时间（纳秒）

电容

西塞，科斯，的Crss （PF ）

t

r

t

D（上）

10

2

7

TCH = 25°C

5

F = 1MH

Z

3

V

GS

= 0V

2

3 5 710

0

2 3 5 7 10

1

2 3 5 7 10

2

2 3

漏源电压V

DS

(V)

5 7 10

1

2 3

5 7 10

2

漏电流I

D

(A)

Feb.1999

三菱N沟道功率MOSFET

FS50VSJ-3

高速开关使用

栅源电压

VS.GATE CHARGE

（典型值）

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

源极 - 漏极二极管

正向特性

（典型值）

100

源电流我

S

(A)

V

GS

= 0V

脉冲测试

T

C

= 125°C

10

T

ch

= 25°C

I

D

= 50A

V

DS

= 50V

8

80

6

80V

100V

60

75°C

25°C

4

40

2

20

0

40

80

120

160

200

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

栅极电荷q

g

（ NC ）

源极 - 漏极电压V

SD

(V)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

(25°C)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

（T ° C）

通态电阻VS.

通道温度

（典型值）

10

1

7

V

GS

= 10V

I

D

= 1/2I

D

5

脉冲测试

3

2

10

0

7

5

3

2

10

–1

–50

0

50

100

150

2.0

门极 - 源

电压V

GS （ TH）

(V)

阈值电压 -

通道温度

（典型值）

V

DS

= 10V

I

D

= 1毫安

1.6

1.2

0.8

0.4

0

–50

0

50

100

150

沟道温度Tch （ ° C）

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

(25°C)

瞬态热阻抗Z

日（ CH - C ）

（ ° C / W）

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

（T ° C）

击穿电压VS.

通道温度

（典型值）

1.4

V

GS

= 0V

I

D

= 1毫安

瞬态热阻抗

特征

10

1

7

5

3

2

10

0

7

0.5

5

3

0.2

2

0.1

10

–1

7

5

3

2

D = 1.0

1.2

1.0

0.8

P

DM

tw

0.6

0.05

0.02

0.01

单脉冲

T

D

=

tw

T

0.4

–50

0

50

100

150

10

–2 –4

10 2 3 5710

–3

2 3 5710

–2

2 3 5710

–1

2 3 5710

0

2 3 5710

1

2 3 5710

2

脉冲宽度t

w

(s)

Feb.1999

沟道温度Tch （ ° C）