FEN16DT通FEN6JT
无铅电镀产品
FEN16DT通FEN6JT
TO-220AB
.419(10.66)
.387(9.85)
.139(3.55)
民
Pb
16.0安培双快速高效的负极性半桥式整流器
特点
超快速开关的高效率
低正向压降
高电流能力
低反向漏电流
高浪涌电流能力
应用
单位:英寸(毫米)
.196(5.00)
.163(4.16)
.054(1.39)
.045(1.15)
.269(6.85)
.226(5.75)
.624(15.87)
.50(12.7)MIN
机械数据
案例: TO- 220AB散热器
环氧树脂: UL 94V- 0率阻燃
码头:每MIL -STD- 202焊接的
方法208
极性:上标明二极管体
安装位置:任意
重量: 2.2克约
o
.038(0.96)
.019(0.50)
.177(4.5)MAX
车载逆变器/太阳能逆变器
电镀电源,适配器,开关电源和UPS
汽车音响放大器和声音设备系统
.548(13.93)
.025(0.65)MAX
.1(2.54)
.1(2.54)
例
例
例
积极
共阴极
前缀"FEP"
负
共阳极
前缀"FEN"
倍
极性串联
前缀"FED"
最大额定值和电气特性
等级25
C
环境温度,除非另有规定。
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
符号
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流网络版
电流T
C
=100
C
峰值正向浪涌电流, 8.3ms单
半正弦波叠加在额定负荷
( JEDEC的方法)
最大正向电压
@ 8.0 A
反向电流最大DC @T
J
=25
C
在额定阻断电压DC @T
J
=125
C
最大反向恢复时间(注1 )
典型结电容(注2 )
典型热阻(注3 )
工作结存储
温度范围
o
o
o
FEN16DT FEN16GT FEN16JT
单位
200
140
200
400
280
400
16.0
600
420
600
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
IF
(AV)
I
FSM
175
150
A
V
F
0.98
1.3
10.0
250
35
90
2.2
-55到+ 150
1.7
V
uA
uA
nS
pF
o
I
R
TRR
C
J
R
JC
T
J
, T
英镑
CW
o
C
注: ( 1 )反向恢复测试条件IF = 0.5A , I = 1.0A , IRR = 0.25A 。
R
( 2 )测得1.0 MHz和应用4.0伏特的直流反向电压。
( 3 )热阻结到管壳。
Rev.04/2014
2006 Thinki半导体有限公司。
第1/2页
http://www.thinkisemi.com/
FEN16DT通FEN6JT
图1 - 正向电流降额曲线
16
图2 - 最大非重复性
峰值正向浪涌电流
200
峰值正向浪涌电流,
安培
正向平均整流
当前,安培
13
175
150
125
100
75
50
25
0
脉宽8.3ms的
单半陛下波
( JEDEC的方法)
10
8
6
4
60赫兹电阻或
感性负载
0
0
50
100
o
150
1
10
100
外壳温度,C
循环次数在60Hz
图3 - 典型瞬时
正向特性
IINSTANTANEOUS正向电流,
安培
80
FEN16DT
图4 - 典型的反向特性
1000
瞬时反向电流,
微安
FEN16GT
8
100
T
J
=125 C
o
10
T
J
=25 C
1
o
0.1
FEN16JT
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
T
J
=25 C
脉冲宽度= 300US
1 %占空比
1.0
1.2
1.4
1.6
o
0.1
0
20
40
60
80
100
正向电压,
伏
百分之额定峰值反向电压, %
图5 - 典型结电容
1000
结电容, pF的
T
J
= 25 C
F = 1.0 MHz的
VSIG = 50mVp -P
o
100
10
0.1
1.0
4.0
10
100
反向电压,伏
Rev.04/2014
2006 Thinki半导体有限公司。
第2/2页
http://www.thinkisemi.com/