【三菱N沟道功率MOSFETFS1KM-16A高速开关使用FS1KM-16A外形绘图10 ± 0.36】,IC型号FS1KM-16A,FS1KM-16A PDF资料,FS1KM-16A经销商,ic,电子元器件-51电子网

三菱N沟道功率MOSFET

FS1KM-16A

高速开关使用

FS1KM-16A

外形绘图

10 ± 0.3

6.5 ± 0.3

3 ± 0.3

尺寸（mm）

2.8 ± 0.2

15 ± 0.3

φ

3.2 ± 0.2

14 ± 0.5

3.6 ± 0.3

1.1 ± 0.2

0.75 ± 0.15

2.54 ± 0.25

4.5 ± 0.2

1 2 3

2.6 ± 0.2

w

V

DSS ................................................. ...............................

800V

r

DS （ ON）（ MAX ） ........................................... ...................

12.3

I

D ............................................................................................

1A

V

ISO ................................................. ...............................

2000V

q

门

w

漏

e

来源

e

TO-220FN

应用

开关电源， DC-DC转换器，电池充电器，电源

供应打印机，复印机，硬盘，软驱，电视，录像机， per-

SONAL电脑等。

最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DM

P

D

T

ch

T

英镑

V

ISO

—

（ TC = 25 ° C）

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

漏电流（脉冲）

最大功率耗散

通道温度

储存温度

隔离电压

重量

V

GS

= 0V

V

DS

= 0V

条件

评级

800

±30

1

3

25

–55 ~ +150

单位

V

A

W

°C

VRMS

g

Feb.1999

交流时间1分钟，终端到外壳

典型的价值

–55 ~ +150

2000

2

三菱N沟道功率MOSFET

FS1KM-16A

高速开关使用

电气特性

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ TH）

r

DS （ ON）

V

DS （ ON）

y

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

SD

R

TH（ CH-C ）

参数

（总胆固醇= 25 ℃）下

测试条件

I

D

= 1mA时， V

GS

= 0V

I

GS

=

±100A,

V

DS

= 0V

V

GS

=

±25V,

V

DS

= 0V

V

DS

= 800V, V

GS

= 0V

I

D

= 1mA时， V

DS

= 10V

I

D

= 0.5A ，V

GS

= 10V

I

D

= 0.5A ，V

GS

= 10V

I

D

= 0.5A ，V

DS

= 10V

V

DS

= 25V, V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

范围

分钟。

800

±30

—

2

—

0.6

—

典型值。

—

3

9.43

4.72

1.0

270

26

4

9

12

35

30

1.0

—

马克斯。

—

±10

1

4

12.3

6.15

—

1.5

5.0

单位

V

A

mA

V

S

pF

ns

V

° C / W

漏源击穿电压

栅源击穿电压

栅极 - 源极漏电流

漏极 - 源极漏电流

门源阈值电压

漏源导通电阻

漏源通态电压

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

源 - 漏电压

热阻

V

DD

= 200V ，我

D

= 0.5A ，V

GS

= 10V,

R

根

= R

GS

= 50

I

S

= 0.5A ，V

GS

= 0V

渠道情况

性能曲线

功耗降额曲线

50

功耗P

D

(W)

漏电流I

D

(A)

最大安全工作区

10

1

7

5

3

2

10

0

7

5

3

2

10

–1

7

5

3

2

10

–2

TW = 100毫秒

40

30

1ms

10ms

100ms

T

C

= 25°C

单脉冲

DC

20

10

0

50

100

150

200

3 5 7 10

1

2 3 5 7 10

2

2 3 5 7 10

3

2 3

漏源电压V

DS

(V)

输出特性

（典型值）

案例温度T

C

(°C)

输出特性

（典型值）

2.0

P

D

= 25W

V

GS

= 20V

10V

T

C

= 25°C

脉冲测试

1.0

T

C

= 25°C

脉冲测试

V

GS

= 20V

10V

5V

漏电流I

D

(A)

1.6

漏电流I

D

(A)

5V

0.8

1.2

0.6

4.5V

0.8

4.5V

4V

0.4

0.2

4V

0

10

20

30

40

50

0

4

8

12

16

20

漏源电压V

DS

(V)

漏源电压V

DS

(V)

Feb.1999

三菱N沟道功率MOSFET

FS1KM-16A

高速开关使用

导通电压VS.

栅源电压

（典型值）

50

漏极 - 源极导通状态

电压V

DS （ ON）

(V)

T

C

= 25°C

脉冲测试

通态电阻VS.

漏电流

（典型值）

20

漏极 - 源极导通状态

电阻R

DS （ ON）

()

T

C

= 25°C

脉冲测试

V

GS

= 10V

40

16

20V

30

I

D

= 2A

12

20

1A

0.5A

8

10

4

0

10

–2

2 3 5 710

–1

2 3 5 7 10

0

2 3 5 7 10

1

漏电流I

D

(A)

0

4

8

12

16

20

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

传输特性

（典型值）

2.0

T

C

= 25°C

V

DS

= 50V

脉冲测试

正向转移导纳

VS.DRAIN CURRENT

（典型值）

10

1

7

5

正向传递

导纳

y

fs

(S)

V

DS

= 10V

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

1.6

3

2

10

0

7

5

3

2

T

C

= 25°C

1.2

75°C

0.8

125°C

0.4

0

4

8

12

16

20

10

–1 –1

10

2 3

5 7 10

0

2 3

5 7 10

1

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

电容与

漏源电压

（典型值）

10

3

7

5

3

2

10

2

7

5

3

2

10

1

7

5

3

TCH = 25°C

2

F = 1MH

Z

10

0

V

GS

= 0V

开关特性

（典型值）

10

3

7

5

3

2

10

2

7

5

3

2

10

1

7

5

3

2

10

0 –1

10

TCH = 25°C

V

DD

= 200V

V

GS

= 10V

R

根

= R

GS

= 50

西塞

切换时间（纳秒）

电容

西塞，科斯，的Crss （PF ）

t

D（关闭）

t

f

t

r

t

D（上）

科斯

CRSS

2 3 5 7 10

0

2 3 5 7 10

1

2 3 5 7 10

2

漏源电压V

DS

(V)

2 3 4 5 7 10

0

2 3 4 5 7 10

1

漏电流I

D

(A)

Feb.1999

三菱N沟道功率MOSFET

FS1KM-16A

高速开关使用

栅源电压

VS.GATE CHARGE

（典型值）

源极 - 漏极二极管

正向特性

（典型值）

5

V

GS

= 0V

脉冲测试

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

20

TCH = 25°C

I

D

= 1A

16

源电流我

S

(A)

4

12

V

DS

= 250V

400V

600V

3

8

2

T

C

= 25°C

75°C

125°C

4

1

0

4

8

12

16

20

0

0.8

1.6

2.4

3.2

4.0

栅极电荷q

g

（ NC ）

源极 - 漏极电压V

SD

(V)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

(25°C)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

（T ° C）

通态电阻VS.

通道温度

（典型值）

10

1

7

5

3

2

10

0

7

5

3

2

10

–1

–50

0

50

100

150

V

GS

= 10V

I

D

= 1/2I

D

脉冲测试

阈值电压 -

通道温度

（典型值）

5.0

V

DS

= 10V

I

D

= 1毫安

门极 - 源

电压V

GS （ TH）

(V)

4.0

3.0

2.0

1.0

0

–50

0

50

100

150

沟道温度Tch （ ° C）

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

(25°C)

瞬态热阻抗Z

TH（ CH-C ）

（ ° C / W）

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

（T ° C）

击穿电压VS.

通道温度

（典型值）

1.4

V

GS

= 0V

I

D

= 1毫安

瞬态热阻抗

特征

10

1

7

D = 1.0

5

3

0.5

2

0.2

1.2

1.0

0.8

10

0

0.1

7

5

3

2

10

–1

7

5

3

2

0.05

P

DM

0.02

0.01

单脉冲

tw

T

D

=

tw

T

0.6

0.4

–50

0

50

100

150

10

–2

10

–4

2 3 5710

–3

2 3 5710

–2

2 3 5710

–1

2 3 5710

0

2 3 5710

1

2 3 5710

2

脉冲宽度t

w

(s)

Feb.1999

沟道温度Tch （ ° C）

三菱N沟道功率MOSFET

FS1KM-16A

高速开关使用

FS1KM-16A

外形绘图

10 ± 0.3

6.5 ± 0.3

3 ± 0.3

尺寸（mm）

2.8 ± 0.2

15 ± 0.3

φ

3.2 ± 0.2

14 ± 0.5

3.6 ± 0.3

1.1 ± 0.2

0.75 ± 0.15

2.54 ± 0.25

4.5 ± 0.2

1 2 3

2.6 ± 0.2

w

V

DSS ................................................. ...............................

800V

r

DS （ ON）（ MAX ） ........................................... ...................

12.3

I

D ............................................................................................

1A

V

ISO ................................................. ...............................

2000V

q

门

w

漏

e

来源

e

TO-220FN

应用

开关电源， DC-DC转换器，电池充电器，电源

供应打印机，复印机，硬盘，软驱，电视，录像机， per-

SONAL电脑等。

最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DM

P

D

T

ch

T

英镑

V

ISO

—

（ TC = 25 ° C）

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

漏电流（脉冲）

最大功率耗散

通道温度

储存温度

隔离电压

重量

V

GS

= 0V

V

DS

= 0V

条件

评级

800

±30

1

3

25

–55 ~ +150

单位

V

A

W

°C

VRMS

g

Feb.1999

交流时间1分钟，终端到外壳

典型的价值

–55 ~ +150

2000

2

三菱N沟道功率MOSFET

FS1KM-16A

高速开关使用

电气特性

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ TH）

r

DS （ ON）

V

DS （ ON）

y

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

SD

R

TH（ CH-C ）

参数

（总胆固醇= 25 ℃）下

测试条件

I

D

= 1mA时， V

GS

= 0V

I

GS

=

±100A,

V

DS

= 0V

V

GS

=

±25V,

V

DS

= 0V

V

DS

= 800V, V

GS

= 0V

I

D

= 1mA时， V

DS

= 10V

I

D

= 0.5A ，V

GS

= 10V

I

D

= 0.5A ，V

GS

= 10V

I

D

= 0.5A ，V

DS

= 10V

V

DS

= 25V, V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

范围

分钟。

800

±30

—

2

—

0.6

—

典型值。

—

3

9.43

4.72

1.0

270

26

4

9

12

35

30

1.0

—

马克斯。

—

±10

1

4

12.3

6.15

—

1.5

5.0

单位

V

A

mA

V

S

pF

ns

V

° C / W

漏源击穿电压

栅源击穿电压

栅极 - 源极漏电流

漏极 - 源极漏电流

门源阈值电压

漏源导通电阻

漏源通态电压

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

源 - 漏电压

热阻

V

DD

= 200V ，我

D

= 0.5A ，V

GS

= 10V,

R

根

= R

GS

= 50

I

S

= 0.5A ，V

GS

= 0V

渠道情况

性能曲线

功耗降额曲线

50

功耗P

D

(W)

漏电流I

D

(A)

最大安全工作区

10

1

7

5

3

2

10

0

7

5

3

2

10

–1

7

5

3

2

10

–2

TW = 100毫秒

40

30

1ms

10ms

100ms

T

C

= 25°C

单脉冲

DC

20

10

0

50

100

150

200

3 5 7 10

1

2 3 5 7 10

2

2 3 5 7 10

3

2 3

漏源电压V

DS

(V)

输出特性

（典型值）

案例温度T

C

(°C)

输出特性

（典型值）

2.0

P

D

= 25W

V

GS

= 20V

10V

T

C

= 25°C

脉冲测试

1.0

T

C

= 25°C

脉冲测试

V

GS

= 20V

10V

5V

漏电流I

D

(A)

1.6

漏电流I

D

(A)

5V

0.8

1.2

0.6

4.5V

0.8

4.5V

4V

0.4

0.2

4V

0

10

20

30

40

50

0

4

8

12

16

20

漏源电压V

DS

(V)

漏源电压V

DS

(V)

Feb.1999

三菱N沟道功率MOSFET

FS1KM-16A

高速开关使用

导通电压VS.

栅源电压

（典型值）

50

漏极 - 源极导通状态

电压V

DS （ ON）

(V)

T

C

= 25°C

脉冲测试

通态电阻VS.

漏电流

（典型值）

20

漏极 - 源极导通状态

电阻R

DS （ ON）

()

T

C

= 25°C

脉冲测试

V

GS

= 10V

40

16

20V

30

I

D

= 2A

12

20

1A

0.5A

8

10

4

0

10

–2

2 3 5 710

–1

2 3 5 7 10

0

2 3 5 7 10

1

漏电流I

D

(A)

0

4

8

12

16

20

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

传输特性

（典型值）

2.0

T

C

= 25°C

V

DS

= 50V

脉冲测试

正向转移导纳

VS.DRAIN CURRENT

（典型值）

10

1

7

5

正向传递

导纳

y

fs

(S)

V

DS

= 10V

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

1.6

3

2

10

0

7

5

3

2

T

C

= 25°C

1.2

75°C

0.8

125°C

0.4

0

4

8

12

16

20

10

–1 –1

10

2 3

5 7 10

0

2 3

5 7 10

1

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

电容与

漏源电压

（典型值）

10

3

7

5

3

2

10

2

7

5

3

2

10

1

7

5

3

TCH = 25°C

2

F = 1MH

Z

10

0

V

GS

= 0V

开关特性

（典型值）

10

3

7

5

3

2

10

2

7

5

3

2

10

1

7

5

3

2

10

0 –1

10

TCH = 25°C

V

DD

= 200V

V

GS

= 10V

R

根

= R

GS

= 50

西塞

切换时间（纳秒）

电容

西塞，科斯，的Crss （PF ）

t

D（关闭）

t

f

t

r

t

D（上）

科斯

CRSS

2 3 5 7 10

0

2 3 5 7 10

1

2 3 5 7 10

2

漏源电压V

DS

(V)

2 3 4 5 7 10

0

2 3 4 5 7 10

1

漏电流I

D

(A)

Feb.1999

三菱N沟道功率MOSFET

FS1KM-16A

高速开关使用

栅源电压

VS.GATE CHARGE

（典型值）

源极 - 漏极二极管

正向特性

（典型值）

5

V

GS

= 0V

脉冲测试

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

20

TCH = 25°C

I

D

= 1A

16

源电流我

S

(A)

4

12

V

DS

= 250V

400V

600V

3

8

2

T

C

= 25°C

75°C

125°C

4

1

0

4

8

12

16

20

0

0.8

1.6

2.4

3.2

4.0

栅极电荷q

g

（ NC ）

源极 - 漏极电压V

SD

(V)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

(25°C)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

（T ° C）

通态电阻VS.

通道温度

（典型值）

10

1

7

5

3

2

10

0

7

5

3

2

10

–1

–50

0

50

100

150

V

GS

= 10V

I

D

= 1/2I

D

脉冲测试

阈值电压 -

通道温度

（典型值）

5.0

V

DS

= 10V

I

D

= 1毫安

门极 - 源

电压V

GS （ TH）

(V)

4.0

3.0

2.0

1.0

0

–50

0

50

100

150

沟道温度Tch （ ° C）

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

(25°C)

瞬态热阻抗Z

TH（ CH-C ）

（ ° C / W）

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

（T ° C）

击穿电压VS.

通道温度

（典型值）

1.4

V

GS

= 0V

I

D

= 1毫安

瞬态热阻抗

特征

10

1

7

D = 1.0

5

3

0.5

2

0.2

1.2

1.0

0.8

10

0

0.1

7

5

3

2

10

–1

7

5

3

2

0.05

P

DM

0.02

0.01

单脉冲

tw

T

D

=

tw

T

0.6

0.4

–50

0

50

100

150

10

–2

10

–4

2 3 5710

–3

2 3 5710

–2

2 3 5710

–1

2 3 5710

0

2 3 5710

1

2 3 5710

2

脉冲宽度t

w

(s)

Feb.1999

沟道温度Tch （ ° C）