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FDQ7236AS
2011年1月
FDQ7236AS
双笔记本电源n沟道PowerTrench
在SO- 14封装
概述
该FDQ7236AS被设计来取代两个单SO-
8 MOSFET的直流到直流电源。高侧
开关（ Q1 ）的设计特别强调
降低开关损耗，而低压侧开关
（ Q2 ）优化利用，以减少传导损耗
TM
飞兆半导体的SyncFET
技术。该FDQ7236AS
包括MOSFET的专利组合
与肖特基二极管单片集成。
特点
Q2:
14 A， 30V 。
DS （ ON）
= 8.7毫欧@ V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
= 10.5毫欧@ V
GS
= 4.5V
Q1:
11A， 30V 。
DS （ ON）
= 13.2毫欧@ V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
= 16毫欧@ V
GS
= 4.5V
S2
S2
S2
SO-14
销1
G1
VIN
G2
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
Q2
30
（注1A ）
Q1
30
±20
11
50
1.8
1.1
55
+150
单位
V
V
A
W
°C
功率消耗单操作
（注1A & 1B ）
（注1C & 1D ）
±20
14
50
2.4
1.3
工作和存储结温范围
热特性
R
θJA
热阻，结到环境
（注1A & 1B ）
（注1C & 1D ）
52
94
68
118
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDQ7236AS
设备
FDQ7236AS
带尺寸
13”
胶带宽度
16mm
QUANTITY
2500台
2011
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDQ7236AS C版本
FDQ7236AS
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿
电压
击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
测试条件
V
GS
= 0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS
= 0 V,
I
D
= 250
A
I
D
= 10毫安，引用至25℃
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 24 V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V,
T
J
= 125°C
V
GS
=
±20
V,
V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
,
I
D
= 1毫安
I
D
= 250
A
V
DS
= V
GS
,
I
D
= 10毫安，引用至25℃
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
GS
= 10 V,
I
D
= 14 A
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 13 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 14A ，T
J
= 125°C
V
GS
= 10 V,
I
D
= 11 A
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 10 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 11, T
J
= 125°C
V
GS
= 10 V,
V
DS
= 5 V
V
GS
= 10 V,
V
DS
= 5 V
V
DS
= 10 V,
I
D
= 14 A
I
D
= 11 A
V
DS
= 10 V,
输入最小值典型值
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
所有
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
30
30
25
24
最大单位
V
毫伏/°C的
500
1
A
mA
A
nA
V
毫伏/°C的
8.7
10.5
12.5
13.2
16
19
m
开关特性
5.6
40
±100
1
1
1.8
1.7
3
4
7.2
8.7
10
11
13
15
3
3
I
GSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
门体漏
（注2 ）
基本特征
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
Q1
I
D（上）
g
FS
通态漏电流
正向跨导
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
50
50
58
43
1530
920
440
190
160
120
1.9
1.9
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
GS
= 15mV的， F = 1.0 MHz的
V
DS
= 15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
pF
pF
pF
FDQ7236AS C版本
FDQ7236AS
电气特性
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
（注2 ）
测试条件
输入最小值典型值
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
12
9
13
5
30
27
19
4
17
11
18
15
28
16
13
9
28
17
15
9
4.1
2.7
4.9
3.3
最大单位
21
18
23
10
49
43
35
8
30
20
32
26
44
29
23
18
39
24
21
19
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 15 V,
V
GS
= 10V,
I
D
= 1 A,
R
根
= 6
V
DD
= 15 V,
V
GS
= 4.5V,
I
D
= 1 A,
R
根
= 6
总栅极电荷，V
GS
= 10V
总栅极电荷，V
GS
= 5V
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
Q2
V
DS
= 15 V，I
D
= 14A
Q1
V
DS
= 15 V，I
D
= 11A
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
V
GS
= 0 V,
I
S
= 3.4 A
V
GS
= 0 V,
I
S
= 1.9 A
I
S
= 2.1 A
V
GS
= 0 V,
I
F
= 14A
dI
F
/ DT = 300 A / μs的
I
F
= 11A
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
（注2 ）
（注2 ）
（注2 ）
t
rr
Q
rr
t
rr
Q
rr
注意：
1.
0.5
0.4
0.7
22
15
16
5
3.4
2.1
0.7
1.2
A
V
ns
nC
ns
nC
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为焊接安装
的漏极引脚表面。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a)
68 ° C / W时，
安装在一个1英寸
2
PAD
2盎司纯铜（ Q1 ） 。
c)
安装时， 118 ° C / W
对2盎司最小焊盘
铜（Q1） 。
b)
52 ° C / W时，
安装在一个1英寸
2
PAD
2盎司纯铜（ Q2 ） 。
d)
安装在94 ° C / W
2盎司最小焊盘
铜（ Q2 ） 。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
3
4
FDQ7236AS C版本
FDQ7236AS
典型特征： Q2
50
V
GS
= 10V
40
6.0V
3.5V
4.0V
4.5V
30
3.0V
20
2.6
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
V
GS
= 3.0V
2.2
I
D
，漏电流（ A）
1.8
3.5V
1.4
4.0V
4.5V
6.0V
10.0V
10
2.5V
0
0
0.5
1
1.5
V
DS
，漏源电压（V ）
2
1
0.6
0
10
20
30
I
D
，漏电流（ A）
40
50
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.024
1.6
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
I
D
= 14A
V
GS
=10V
1.4
I
D
= 7A
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
0.02
1.2
0.016
T
A
= 125
o
C
0.012
1
T
A
= 25
o
C
0.008
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
o
T
J
，结温（ C）
125
150
0.004
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
10
图3.导通电阻变化与
温度。
50
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
100
I
S
，反向漏电流（ A）
V
DS
= 5V
V
GS
= 0V
40
I
D
，漏电流（ A）
10
T
A
= 125
o
C
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
25
o
C
30
20
T
A
= 125
o
C
-55 C
o
-55 C
o
10
25 C
o
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
GS
，门源电压（ V）
4
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
1
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDQ7236AS C版本
FDQ7236AS
典型特征： Q2
10
V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= 14A
2500
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
8
20V
2000
电容（pF）
V
DS
= 10V
C
国际空间站
6
15V
1500
4
1000
C
OSS
2
500
C
RSS
0
0
5
10
15
20
Q
g
，栅极电荷（ NC）
25
30
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏源极电压（ V）
30
图7.栅极电荷特性。
100
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
100s
R
DS （ ON）
极限
1ms
10ms
100ms
1s
10s
DC
50
图8.电容特性。
I
D
，漏电流（ A）
40
10
单脉冲
R
θ
JA
= 94 ° C / W
T
A
= 25°C
30
1
20
0.1
V
GS
= 10V
单脉冲
R
θ
JA
= 94
o
C / W
T
A
= 25 C
o
10
0.01
0.01
0.1
1
10
V
DS
，漏源电压（V ）
100
0
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，时间（秒）
10
100
1000
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R（T ） ，规范有效的瞬变
热阻
1
D = 0.5
0.2
R
θJA
（吨） = R （t）的R *
θJA
R
θJA
= 94 ° C / W
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
P（ PK）
t
1
t
2
单脉冲
0.01
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1d中描述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变更
FDQ7236AS C版本
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    FDQ7236AS
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