三菱N沟道功率MOSFET
FS10KM-3
高速开关使用
FS10KM-3
外形绘图
10
±
0.3
6.5
±
0.3
3
±
0.3
尺寸（mm）
2.8
±
0.2
15
±
0.3
f
3.2
±
0.2
14
±
0.5
3.6
±
0.3
1.1
±
0.2
1.1
±
0.2
0.75
±
0.15
E
0.75
±
0.15
2.54
±
0.25
2.54
±
0.25
4.5
±
0.2
1 2 3
2.6
±
0.2
10V
DRIVE
V
DSS ................................................. ..............................
150V
r
DS （ ON） （ MAX ） ........................................... ................
170m
I
D ........................................................................................
10A
综合
快恢复二极管（ TYP 。 ）
..........
100ns
V
ISO ................................................. ..............................
2000V
w
q
q
门
w
漏
e
来源
e
TO-220FN
应用
电机控制，灯控制，电磁阀控制
直流 - 直流转换器等。
最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
DA
I
S
I
SM
P
D
T
ch
T
英镑
V
ISO
—
（ TC = 25 ° C）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流（脉冲）
雪崩漏电流（脉冲）
源出电流
源电流（脉冲）
最大功率耗散
通道温度
储存温度
隔离电压
重量
L = 100μH
V
GS
= 0V
V
DS
= 0V
条件
评级
150
±20
10
40
10
10
40
25
–55 ~ +150
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
°C
°C
V
g
Feb.1999
交流时间1分钟，终端到外壳
典型的价值
–55 ~ +150
2000
2.0
三菱N沟道功率MOSFET
FS10KM-3
高速开关使用
电气特性
符号
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
R
TH（ CH-C ）
t
rr
参数
漏源击穿电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流
门源阈值电压
（总胆固醇= 25 ℃）下
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
DS
= 150V, V
GS
= 0V
I
D
= 1mA时， V
DS
= 10V
I
D
= 5A ，V
GS
= 10V
I
D
= 5A ，V
GS
= 10V
I
D
= 5A ，V
DS
= 10V
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
范围
分钟。
150
—
—
2.0
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
3.0
122
0.61
12
1250
175
75
25
30
60
34
1.0
—
100
马克斯。
—
±0.1
0.1
4.0
170
0.85
—
—
—
—
—
—
—
—
1.5
5.00
—
单位
V
A
mA
V
m
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
° C / W
ns
漏源导通电阻
漏源通态电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
热阻
反向恢复时间
V
DD
= 80V ，我
D
= 5A ，V
GS
= 10V ，R
根
= R
GS
= 50
—
—
—
—
—
—
I
S
= 5A ，V
GS
= 0V
渠道情况
I
S
= 10A ， DIS / DT = -100A / μs的
性能曲线
功耗降额曲线
50
功耗P
D
(W)
漏电流I
D
(A)
最大安全工作区
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
40
30
TW = 10毫秒
20
100ms
10
0
0
50
100
150
200
10
0
7
T
C
= 25°C
10ms
5
单脉冲
DC
3
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
2
漏源电压V
DS
(V)
输出特性
（典型值）
5
V
GS
= 20V 10V 7V 6V
T
C
= 25°C
脉冲测试
1ms
案例温度T
C
(°C)
输出特性
（典型值）
10
V
GS
= 20V 10V 7V 6V
T
C
= 25°C
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
8
漏电流I
D
(A)
4
5V
6
3
4
5V
2
2
1
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
漏源电压V
DS
(V)
漏源电压V
DS
(V)
Feb.1999
三菱N沟道功率MOSFET
FS10KM-3
高速开关使用
FS10KM-3
外形绘图
10
±
0.3
6.5
±
0.3
3
±
0.3
尺寸（mm）
2.8
±
0.2
15
±
0.3
f
3.2
±
0.2
14
±
0.5
3.6
±
0.3
1.1
±
0.2
1.1
±
0.2
0.75
±
0.15
E
0.75
±
0.15
2.54
±
0.25
2.54
±
0.25
4.5
±
0.2
1 2 3
2.6
±
0.2
10V
DRIVE
V
DSS ................................................. ..............................
150V
r
DS （ ON） （ MAX ） ........................................... ................
170m
I
D ........................................................................................
10A
综合
快恢复二极管（ TYP 。 ）
..........
100ns
V
ISO ................................................. ..............................
2000V
w
q
q
门
w
漏
e
来源
e
TO-220FN
应用
电机控制，灯控制，电磁阀控制
直流 - 直流转换器等。
最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
DA
I
S
I
SM
P
D
T
ch
T
英镑
V
ISO
—
（ TC = 25 ° C）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流（脉冲）
雪崩漏电流（脉冲）
源出电流
源电流（脉冲）
最大功率耗散
通道温度
储存温度
隔离电压
重量
L = 100μH
V
GS
= 0V
V
DS
= 0V
条件
评级
150
±20
10
40
10
10
40
25
–55 ~ +150
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
°C
°C
V
g
Feb.1999
交流时间1分钟，终端到外壳
典型的价值
–55 ~ +150
2000
2.0
三菱N沟道功率MOSFET
FS10KM-3
高速开关使用
电气特性
符号
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
R
TH（ CH-C ）
t
rr
参数
漏源击穿电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流
门源阈值电压
（总胆固醇= 25 ℃）下
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
DS
= 150V, V
GS
= 0V
I
D
= 1mA时， V
DS
= 10V
I
D
= 5A ，V
GS
= 10V
I
D
= 5A ，V
GS
= 10V
I
D
= 5A ，V
DS
= 10V
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
范围
分钟。
150
—
—
2.0
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
3.0
122
0.61
12
1250
175
75
25
30
60
34
1.0
—
100
马克斯。
—
±0.1
0.1
4.0
170
0.85
—
—
—
—
—
—
—
—
1.5
5.00
—
单位
V
A
mA
V
m
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
° C / W
ns
漏源导通电阻
漏源通态电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
热阻
反向恢复时间
V
DD
= 80V ，我
D
= 5A ，V
GS
= 10V ，R
根
= R
GS
= 50
—
—
—
—
—
—
I
S
= 5A ，V
GS
= 0V
渠道情况
I
S
= 10A ， DIS / DT = -100A / μs的
性能曲线
功耗降额曲线
50
功耗P
D
(W)
漏电流I
D
(A)
最大安全工作区
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
40
30
TW = 10毫秒
20
100ms
10
0
0
50
100
150
200
10
0
7
T
C
= 25°C
10ms
5
单脉冲
DC
3
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
2
漏源电压V
DS
(V)
输出特性
（典型值）
5
V
GS
= 20V 10V 7V 6V
T
C
= 25°C
脉冲测试
1ms
案例温度T
C
(°C)
输出特性
（典型值）
10
V
GS
= 20V 10V 7V 6V
T
C
= 25°C
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
8
漏电流I
D
(A)
4
5V
6
3
4
5V
2
2
1
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
漏源电压V
DS
(V)
漏源电压V
DS
(V)
Feb.1999
我们所有的客户
关于文件中提到的名字，如三菱的变化
电气和三菱XX ，瑞萨科技公司
日立和三菱电机的半导体业务转移到瑞萨
科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟
和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等
因此，虽然三菱电机，三菱电机株式会社，三菱
半导体及其他三菱品牌名称提到的文件中，这些名称
已在事实上，所有被更改为瑞萨科技公司感谢您的理解。
除了我们的企业商标，标识和公司声明，没有改变任何已经
到文档中的内容作出，而这些变化不构成任何改动的
文件本身的内容。
注：三菱电机将继续高频&光学器件的业务运营
与功率器件。
瑞萨科技公司
客户服务部
2003年4月1日
三菱N沟道功率MOSFET
FS10KM-3
高速开关使用
FS10KM-3
外形绘图
10
±
0.3
6.5
±
0.3
3
±
0.3
尺寸（mm）
2.8
±
0.2
15
±
0.3
f
3.2
±
0.2
14
±
0.5
3.6
±
0.3
1.1
±
0.2
1.1
±
0.2
0.75
±
0.15
E
0.75
±
0.15
2.54
±
0.25
2.54
±
0.25
4.5
±
0.2
1 2 3
2.6
±
0.2
10V
DRIVE
V
DSS ................................................. ..............................
150V
r
DS （ ON） （ MAX ） ........................................... ................
170m
I
D ........................................................................................
10A
综合
快恢复二极管（ TYP 。 ）
..........
100ns
V
ISO ................................................. ..............................
2000V
w
q
q
门
w
漏
e
来源
e
TO-220FN
应用
电机控制，灯控制，电磁阀控制
直流 - 直流转换器等。
最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
DA
I
S
I
SM
P
D
T
ch
T
英镑
V
ISO
—
（ TC = 25 ° C）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流（脉冲）
雪崩漏电流（脉冲）
源出电流
源电流（脉冲）
最大功率耗散
通道温度
储存温度
隔离电压
重量
L = 100μH
V
GS
= 0V
V
DS
= 0V
条件
评级
150
±20
10
40
10
10
40
25
–55 ~ +150
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
°C
°C
V
g
Feb.1999
交流时间1分钟，终端到外壳
典型的价值
–55 ~ +150
2000
2.0
三菱N沟道功率MOSFET
FS10KM-3
高速开关使用
电气特性
符号
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
R
TH（ CH-C ）
t
rr
参数
漏源击穿电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流
门源阈值电压
（总胆固醇= 25 ℃）下
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
DS
= 150V, V
GS
= 0V
I
D
= 1mA时， V
DS
= 10V
I
D
= 5A ，V
GS
= 10V
I
D
= 5A ，V
GS
= 10V
I
D
= 5A ，V
DS
= 10V
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
范围
分钟。
150
—
—
2.0
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
3.0
122
0.61
12
1250
175
75
25
30
60
34
1.0
—
100
马克斯。
—
±0.1
0.1
4.0
170
0.85
—
—
—
—
—
—
—
—
1.5
5.00
—
单位
V
A
mA
V
m
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
° C / W
ns
漏源导通电阻
漏源通态电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
热阻
反向恢复时间
V
DD
= 80V ，我
D
= 5A ，V
GS
= 10V ，R
根
= R
GS
= 50
—
—
—
—
—
—
I
S
= 5A ，V
GS
= 0V
渠道情况
I
S
= 10A ， DIS / DT = -100A / μs的
性能曲线
功耗降额曲线
50
功耗P
D
(W)
漏电流I
D
(A)
最大安全工作区
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
40
30
TW = 10毫秒
20
100ms
10
0
0
50
100
150
200
10
0
7
T
C
= 25°C
10ms
5
单脉冲
DC
3
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
2
漏源电压V
DS
(V)
输出特性
（典型值）
5
V
GS
= 20V 10V 7V 6V
T
C
= 25°C
脉冲测试
1ms
案例温度T
C
(°C)
输出特性
（典型值）
10
V
GS
= 20V 10V 7V 6V
T
C
= 25°C
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
8
漏电流I
D
(A)
4
5V
6
3
4
5V
2
2
1
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
漏源电压V
DS
(V)
漏源电压V
DS
(V)
Feb.1999
QQ：2880707522 复制
