FDM3622的N-沟道PowerTrench
MOSFET
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V
T
J
= 100°C
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
100
1
250
±100
V
μA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
门源阈值电压
静态漏极至源极导通电阻
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V ，我
D
= 4.4A
V
GS
= 6.0V ，我
D
= 3.8A
V
GS
= 10V ，我
D
= 4.4A ，T
J
= 150°C
2
44
56
92
4
60
80
120
mΩ
V
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Rg
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
V
DS
= 15mV的， F = 1MHz的
820
125
35
3.1
1090
170
55
pF
pF
pF
Ω
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
GS
= 10V
V
DD
= 50V
I
D
= 4.4A
V
DD
= 50V ，我
D
= 4.4A
V
GS
= 10V ，R
根
= 24Ω
11
25
35
26
13
3.6
3.4
20
40
56
42
17
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= 4.4A
V
GS
= 0V时，我
S
= 2.2A
I
F
= 4.4A ，的di / dt = 100A / μs的
1.25
1.0
56
108
V
V
ns
nC
注意事项：
1:
R
θJA
与安装在一个1的设备中确定
2
盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR- 4材料。板。
θJC
由设计，同时保证
R
θJA
通过确定
用户的电路板设计。
（ A）R
θJA
= 60℃ / W安装在1时
2
垫2盎司纯铜， 1.5'x1.5'x0.062 “厚的PCB 。
（二）R
θJA
=装在2盎司纯铜最小焊盘时， 135 ° C / W 。
一。装在当60℃ / W的
在A 1
2
2盎司纯铜垫
B 。安装在一个时135℃ / W的
2盎司纯铜最小焊盘
2:
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
FDM3622 Rev.B的
2
www.fairchildsemi.com
FDM3622
N沟道的PowerTrench
MOSFET
电阻开关特性
(V
GS
= 10V)
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
V
DD
= 50V ，我
D
= 4.4A
V
GS
= 10V ，R
GS
= 24
-
-
-
-
-
-
-
11
25
35
26
-
54
-
-
-
-
92
ns
ns
ns
ns
ns
ns
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
RR
注意事项：
1.
R
θJA
与安装在1英寸的设备决定
2
2盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。
θJC
由设计而
θJA
is
通过用户的电路板的设计来确定。
（ a）中。
θJA
= 52 ° C /安装在1英寸当W
2
垫的2盎司铜。
（ b）中。
θJA
=安装在2盎司最小焊盘时， 108 ° C / W 。铜
2.
起始物为
J
=
25 ℃时， L = 31mH ，我
AS
= 3.5A ，V
DD
= 100V
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SD
= 4.4A
I
SD
= 2.2A
I
SD
= 4.4A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
I
SD
= 4.4A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
-
1.25
1.0
56
108
V
V
ns
nC
2005仙童半导体公司
FDM3622版本A
3
www.fairchildsemi.com
FDM3622
N沟道的PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
C
= 25 ° C除非另有说明
100
20
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
I
AS
，雪崩电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
100s
10
10
起始物为
J
= 25
o
C
1
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
单脉冲
T
J
=最大额定
T
A
= 25
o
C
1ms
10ms
起始物为
J
= 150
o
C
1
0.1
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
120
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
图5.正向偏置安全工作区
注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN7514和AN7515
图6.松开电感式开关
能力
10
10
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= 15V
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 10V
8
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
T
A
= 25
o
C
V
GS
= 5V
I
D
，漏电流（ A）
8
6
T
J
=
4
T
J
= 25
o
C
2
T
J
=
150
o
C
6
-55
o
C
4
V
GS
= 4.7V
V
GS
= 4.5V
2
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
V
GS
，门源电压（ V）
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.传热特性
80
归一漏极至源极
抗性
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
r
DS （ ON）
，漏极到源极
ON电阻（mΩ ）
70
I
D
= 4.4A
60
I
D
= 0.2A
50
图8.饱和特性
2.5
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
2.0
1.5
1.0
0.5
V
GS
= 10V ，我
D
= 4.4A
40
4
6
8
10
V
GS
，门源电压（ V）
0
-80
-40
0
40
80
(
o
C)
120
160
T
J
，结温
图9.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
图10.归一漏极至源极ON
电阻与结温
2005仙童半导体公司
FDM3622版本A
5
www.fairchildsemi.com
QQ：2881677436 复制
