的InGaAs -PIN /前置放大器
接收器
特点
数据传输速率高达2.5Gb / s的
-23dBm （典型值） 。灵敏度
用砷化镓前置放大器30μm的活性区域的PIN芯片
小同轴封装多模光纤
FRM3Z231KT/LT
KT
应用
高比特率短途光传输系统
以2.5Gb / s的操作
描述
这些PIN前置放大器使用的InGaAs PIN芯片
砷化镓IC前置放大器。在KT包是专为
卧式PC板安装。在LT包由一个固定
垂直法兰。每个包与连接
多模光纤由Nd：YAG激光器焊接。该探测器
前置放大器是直流耦合，并具有低的电
当PIN码被照亮输出。这些设备
在符合ITU - T建议书
并满足Bellcore的要求。
LT
1.0版
1999年3月
1
FRM3Z231KT/LT
参数
储存温度
工作温度
电源电压
PIN反向电压
PIN反向电流
符号
TSTG
顶部
VSS
VR
红外光谱（注1 ）
的InGaAs -PIN /前置放大器
接收器
绝对最大额定值（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
评级
-40至+85
-40至+85
-7 0
0-20
2.0
单位
°C
°C
V
V
mA
光学&电气特性（Ta = -40 °C至+ 85°C ，
λ=1,310/1,550nm,
Vss=-5.2V,
VR = 5V，除非另有规定）
参数
PIN响应度
交流互
符号
R15
R13
Zt
测试条件
1,550nm ， M = 1的
1,310nm ， M = 1的
AC耦合中，f = 100MHz时，
RL=50,
销<-20dBm
交流耦合， RL = 50Ω ，
脚<-27dBm ，
-3dBm从1MHz
交流耦合， RL = 50Ω ，
BW内平均
Ta=25°C,
2.488Gb / s的NRZ ，
PRBS=2
23
-1,
B.E.R.=10
-10
TA = -40至+ 85°C
TA = -40至+ 85°C
2.488Gb / s的NRZ ，
PRBS=2
23
-1,
B.E.R.=10
-10
TA = -40至+ 85°C
（注2 ）
反向电压
电源电流
电源电压
VR
国际空间站
VSS
-
-
-
分钟。
0.80
0.80
400
范围
典型值。
0.85
0.85
600
马克斯。
-
-
-
单位
/ W
/ W
带宽
BW
1.8
2.0
-
GHz的
等效输入
噪声电流密度
in
-
-
6.5
-23
8
-22
PA /
Hz
DBM
灵敏度
Pr
-
0
-22
-
-21
-
DBM
DBM
最大过载
Po
-3
5
-
-5.46
-
-
-
-5.2
-
20
40
-4.94
DBM
V
mA
V
注：（1 ）连续波条件
（ 2）最大输入光功率P最大被定义为光功率时，半峰宽的变化输出的
与低输入光功率电平的比较，波形是小于10％ 。
（3）光学特性上的单模光纤被用作条件中指定
光源进行测试。
（ 4 ）无数据可用于任何设备。
1.0版
1999年3月
2
的InGaAs -PIN /前置放大器
接收器
图。 1输出特性
0.7
TC = 25°C
Vss=-5.2V
0.6交流耦合
RL=50
0.5的100Mb / s的
税50 ％
马克密度50 ％
0.4
0.3
0.2
0.1
FRM3Z231KT/LT
图。 2相对频率响应
输出电压峰值， Vpp的（MV ）
相对响应（ 3分贝/ DIV ）
ZT 600Ω
TA = 25°C
Vss=-5.2V
AC耦合
RL=50
Pin=-30dBm
λ
= 1310 / 1,550nm
1
10
100
1000
频率f （兆赫）
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
图4眼图与1,310nm ，
2.5Gb / s的NRZ ， 2
23
-1 PRBS入射信号
用贝塞尔滤波器的输入光波形
平均光， Ip.ave （毫安）
图3等效输入噪声电流密度
相对输入噪声电流密度，
在（PA / SQR 。赫兹）
10
5
TC = 25°C
Vss=-5.2V
AC耦合
RL=50
0
0
1.0
频率f （ GHz）的
2.0
等效输出波形
销= -22dBm ，TC = 25 ° C，M =最佳
100ps/div
1.0版
1999年3月
3
的InGaAs -PIN /前置放大器
接收器
欲了解更多信息，请联系：
FRM3Z231KT/LT
富士通化合物半导体股份有限公司。
美洲& R.O.W.
2355 Zanker路。
加利福尼亚州圣何塞， 95131-1138 ， U.S.A.
电话： （ 408 ） 232-9500
传真： （ 408 ） 428-9111
55 Schanck路
套房A - 2
永久业权， NJ 07728-2964 ， U.S.A.
电话： （ 732 ） 303-0282
传真： （ 732 ） 431-3393
小心
富士通化合物半导体的产品包含
砷化镓
砷化镓（GaAs ）
这会危害人体和环境。
为安全起见，请遵循以下步骤：
不要将本产品放入口中。
不要改变这个产品的形式转化为气体，粉末或液体
通过燃烧，粉碎，或化学处理，因为这些副产物
是危险的，如果吸入，食入，或吞食人体。
遵守政府的法律和丢弃这个时候公司规定
产品。该产品必须按照方法被丢弃
适用危险废物的程序规定。
www.fcsi.fujitsu.com
富士通MIKROELECTRONIK有限公司
量子器件事业部
网络之家
Norreys驱动器
梅登黑德，伯克希尔SL6 4FJ ，英国
电话： +44 （ 0 ） 1628 504800
传真： +44 （ 0 ） 1628 504888
富士通量子器件。，LTD 。
亚洲&日本
2-7-1 ，西新宿
新宿区，东京163-0721
日本
电话： 3-5322-3356
传真： 3-5322-3398
富士通公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
信息不转达根据富士通公司或他人的权利的任何许可。
1999富士通化合物半导体股份有限公司。
美国印刷FCSI0199M200
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接收器
特点
数据传输速率高达2.5Gb / s的
-23dBm （典型值） 。灵敏度
用砷化镓前置放大器30μm的活性区域的PIN芯片
小同轴封装多模光纤
FRM3Z231KT/LT
KT
应用
高比特率短途光传输系统
以2.5Gb / s的操作
描述
这些PIN前置放大器使用的InGaAs PIN芯片
砷化镓IC前置放大器。在KT包是专为
卧式PC板安装。在LT包由一个固定
垂直法兰。每个包与连接
多模光纤由Nd：YAG激光器焊接。该探测器
前置放大器是直流耦合，并具有低的电
当PIN码被照亮输出。这些设备
在符合ITU - T建议书
并满足Bellcore的要求。
LT
1.0版
1999年3月
1
FRM3Z231KT/LT
参数
储存温度
工作温度
电源电压
PIN反向电压
PIN反向电流
符号
TSTG
顶部
VSS
VR
红外光谱（注1 ）
的InGaAs -PIN /前置放大器
接收器
绝对最大额定值（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
评级
-40至+85
-40至+85
-7 0
0-20
2.0
单位
°C
°C
V
V
mA
光学&电气特性（Ta = -40 °C至+ 85°C ，
λ=1,310/1,550nm,
Vss=-5.2V,
VR = 5V，除非另有规定）
参数
PIN响应度
交流互
符号
R15
R13
Zt
测试条件
1,550nm ， M = 1的
1,310nm ， M = 1的
AC耦合中，f = 100MHz时，
RL=50,
销<-20dBm
交流耦合， RL = 50Ω ，
脚<-27dBm ，
-3dBm从1MHz
交流耦合， RL = 50Ω ，
BW内平均
Ta=25°C,
2.488Gb / s的NRZ ，
PRBS=2
23
-1,
B.E.R.=10
-10
TA = -40至+ 85°C
TA = -40至+ 85°C
2.488Gb / s的NRZ ，
PRBS=2
23
-1,
B.E.R.=10
-10
TA = -40至+ 85°C
（注2 ）
反向电压
电源电流
电源电压
VR
国际空间站
VSS
-
-
-
分钟。
0.80
0.80
400
范围
典型值。
0.85
0.85
600
马克斯。
-
-
-
单位
/ W
/ W
带宽
BW
1.8
2.0
-
GHz的
等效输入
噪声电流密度
in
-
-
6.5
-23
8
-22
PA /
Hz
DBM
灵敏度
Pr
-
0
-22
-
-21
-
DBM
DBM
最大过载
Po
-3
5
-
-5.46
-
-
-
-5.2
-
20
40
-4.94
DBM
V
mA
V
注：（1 ）连续波条件
（ 2）最大输入光功率P最大被定义为光功率时，半峰宽的变化输出的
与低输入光功率电平的比较，波形是小于10％ 。
（3）光学特性上的单模光纤被用作条件中指定
光源进行测试。
（ 4 ）无数据可用于任何设备。
1.0版
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的InGaAs -PIN /前置放大器
接收器
图。 1输出特性
0.7
TC = 25°C
Vss=-5.2V
0.6交流耦合
RL=50
0.5的100Mb / s的
税50 ％
马克密度50 ％
0.4
0.3
0.2
0.1
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图。 2相对频率响应
输出电压峰值， Vpp的（MV ）
相对响应（ 3分贝/ DIV ）
ZT 600Ω
TA = 25°C
Vss=-5.2V
AC耦合
RL=50
Pin=-30dBm
λ
= 1310 / 1,550nm
1
10
100
1000
频率f （兆赫）
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
图4眼图与1,310nm ，
2.5Gb / s的NRZ ， 2
23
-1 PRBS入射信号
用贝塞尔滤波器的输入光波形
平均光， Ip.ave （毫安）
图3等效输入噪声电流密度
相对输入噪声电流密度，
在（PA / SQR 。赫兹）
10
5
TC = 25°C
Vss=-5.2V
AC耦合
RL=50
0
0
1.0
频率f （ GHz）的
2.0
等效输出波形
销= -22dBm ，TC = 25 ° C，M =最佳
100ps/div
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接收器
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美洲& R.O.W.
2355 Zanker路。
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电话： （ 408 ） 232-9500
传真： （ 408 ） 428-9111
55 Schanck路
套房A - 2
永久业权， NJ 07728-2964 ， U.S.A.
电话： （ 732 ） 303-0282
传真： （ 732 ） 431-3393
小心
富士通化合物半导体的产品包含
砷化镓
砷化镓（GaAs ）
这会危害人体和环境。
为安全起见，请遵循以下步骤：
不要将本产品放入口中。
不要改变这个产品的形式转化为气体，粉末或液体
通过燃烧，粉碎，或化学处理，因为这些副产物
是危险的，如果吸入，食入，或吞食人体。
遵守政府的法律和丢弃这个时候公司规定
产品。该产品必须按照方法被丢弃
适用危险废物的程序规定。
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富士通MIKROELECTRONIK有限公司
量子器件事业部
网络之家
Norreys驱动器
梅登黑德，伯克希尔SL6 4FJ ，英国
电话： +44 （ 0 ） 1628 504800
传真： +44 （ 0 ） 1628 504888
富士通量子器件。，LTD 。
亚洲&日本
2-7-1 ，西新宿
新宿区，东京163-0721
日本
电话： 3-5322-3356
传真： 3-5322-3398
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