【订购数量： EN3080FC112NPN外延平面硅晶体管复合切换应用程序特点·内置偏置电阻（R1= 】,IC型号FC112,FC112 PDF资料,FC112经销商,ic,电子元器件-51电子网

订购数量： EN3080

FC112

NPN外延平面硅晶体管复合

切换应用程序

特点

·内置偏置电阻（R

= 22KΩ ，R

=22k)

包含在用2个晶体管·复合型

目前使用的CP包，提高到安装

荷兰国际集团的效率大大。

·该FC112形成有两个芯片，是等价

借给2SC3396 ，放置在一个包中。

·卓越的热平衡和对能力。

包装尺寸

单位：mm

2066

[FC112]

电气连接

C1 ： Collerctor1

C2 ： Collerctor2

B2 ：和Base2

EC：发射极常见

B1 ： BASE1

三洋： CP5

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在Ta = 25℃

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流（脉冲）

集电极耗散

总功耗

结温

储存温度

符号

VCBO

VCEO

VEBO

我CP

TSTG

1个单位

条件

评级

100

200

300

150

-55到+ 150

单位

电气特性

在Ta = 25℃

参数

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益

增益带宽积

输出电容

-E饱和电压

C- B击穿电压

C- E击穿电压

输入断态电压

输入通态电压

输入阻抗

电阻率

符号

ICBO

ICEO

IEBO

的hFE

联合B

VCB = 40V ， IE = 0

VCE = 40V ， IB = 0

VEB = 5V ， IC = 0

VCE = 5V ， IC = 5毫安

VCE = 10V ， IC = 5毫安

VCB = 10V ， F = 1MHz的

0.8

1.0

0.9

1.1

1.9

1.0

1.5

3.0

1.1

250

3.3

0.1

0.3

兆赫

113

条件

评级

民

典型值

最大

0.1

0.5

160

单位

VCE （ sat）的IC = 10毫安。 IB = 0.5毫安

V（ BR ） CBO IC = 10μA ， IE = 0

V（ BR ） CEO IC = 100μA ， RBE = ∞

六（关闭）

第六章（上）

R1/R2

VCE = 5V ， IC = 100μA

VCE = 0.2V ， IC = 5毫安

注意：上面显示的规格为每个单独的晶体管。

标记： 112

三洋电机有限公司。半导体公司经营业务指挥部

东京办事处东京大厦。， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN

52098HA （ KT ） / 4139MO ， TS No.3080-1 / 2

FC112

示例应用电路

没有描述或包含此产品旨在用于外科植入物，生命支持系统的使用，

航空航天设备，核电控制系统，车辆，灾难/犯罪预防设备和

等，其中的故障可能直接或间接地造成人身伤害，死亡或财产损失。

任何人购买描述或包含了上面提到的使用应的任何产品：

承担全部责任，赔偿和维护SANYO ELECTRIC CO 。， LTD。，其分支机构，

子公司和分销商和所有官员和雇员共同及个别，反对任何

和所有索赔和诉讼以及与此类使用相关的所有损害赔偿，成本及费用：

不施加任何负有责任的任何疏忽或过失，可以在任何此类索赔或引用

诉讼上的SANYO ELECTRIC CO 。， LTD。，其分支机构，子公司和分销商或任何

他们的官员和雇员共同或个别。

本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不guarant-

EED量产。 SANYO的任何信息都是准确可靠，但不保证

就其使用或知识产权或其他权利的任何侵犯都提出或暗示的

第三方。

该目录规定的5月， 1998年规范和信息此处如有

更改，恕不另行通知。

PS No.3080-2 / 2

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【绝对自己现货】100%全新原装正品，欢迎查询！！

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联系人：销售部1部

地址：美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜

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