FRK264D ， FRK264R ，
FRK264H
1998年6月
34A ， 250V ， 0.120欧姆，抗辐射，
N沟道功率MOSFET
包
TO-204AE
特点
34A ， 250V ， RDS （ ON） = 0.120Ω
第二代抗辐射MOSFET结果从新设计概念
伽玛
-
-
-
-
-
会见前-Rad公司特定网络阳离子100KRAD （SI ）
德网络斯内德终点规格的300KRAD （ Si）和1000KRAD （SI ）
性能允许有限使用，以3000KRAD （SI ）
生存3E9RAD （SI ） /秒， 80 ％的BVDSS通常
躲过2E12通常情况下如果电流限制在IDM
伽玛点
光电流
中子
- 22.0nA每- RAD （SI ） /秒典型
- 预RAD特定网络阳离子1E13中子/平方厘米
2
- 可用来1E14中子/平方厘米
2
描述
Intersil公司设计了一系列第二代硬权力
N和P沟道增强型与等级从100V到的MOSFET
500V， 1A至60A，和导通电阻低至25MΩ 。总剂量硬度
提供在100K的RAD （Si）和1000KRAD （Si）的与中子硬度范围从
1E13n/cm
2
对于500V产品1E14n /厘米
2
为100V的产品。剂量率硬度
（ GAMMA DOT）存在利率1E9没有电流限制和2E12与电流
租限制。
这个MOSFET是一个增强型硅栅功率音响场效晶体管
垂直DMOS （ VDMOS ）结构。它是专门设计和处理以
具有最小的特征性改变为总剂量（ GAMMA ）和中子（N
o
)
暴露。还针对设计和加工工作，提高生存
重离子（ SEE ）和/或剂量率（ GAMMA DOT ）曝光。
这部分可被提供作为模具或各种封装比上面示出的其它。
可靠性筛选可作为或者不TX （商业） ， TX当量
MIL-S- 19500 ， TXV等效MIL-S- 19500 ，或空间等效的
MIL -S - 19500 。联系Intersil的高可靠性营销组任何所需
偏离的数据表。
符号
绝对最大额定值
（ TC = 25
o
C）除非另有规定编
FRK264D ， R，H
250
250
34
21
100
±20
300
120
2.40
100
34
100
-55到+150
300
单位
V
V
A
A
A
V
W
W
W/
o
C
A
A
A
o
C
o
C
漏 - 源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .VDS
漏极 - 栅极电压（ RGS = 20kΩ的） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VDGR
连续漏电流
TC = 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .ID
TC = 100
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .ID
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 IDM
栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .VGS
最大功率耗散
TC = 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 PT
TC = 100
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 PT
降级以上+25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
感应电流，钳位， L = 100μH ， （见测试图） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ILM
连续源电流（体二极管） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。是
脉冲源电流（体二极管） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ISM
操作和储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 TJC ， TSTG
焊接温度（焊接时）
距离> 0.063英寸（ 1.6毫米）从个案， 10S最大。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 TL
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
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3233.1
4-1
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