FGB5N60UNDF 600V ， 5A额定短路
2012年2月
FGB5N60UNDF
600V ， 5A
短路额定IGBT
特点
短路额定10us的
高电流能力
高输入阻抗
快速开关
符合RoHS
tm
应用
家电变频驱动的参加办法
- 风扇电机驱动器，循环泵，冰箱，
洗碗机
概述
采用先进的NPT IGBT技术，飞兆半导体的不扩散核武器条约
IGBT的提供最佳性能的低功耗部反相
驱动应用中的低损失和短路rugged-
内斯功能是必不可少的。
C
集热器
（法兰）
克碳
E
TO-263AB/D2-PAK
G
E
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM （1）
I
F
P
D
T
J
T
英镑
T
L
描述
集电极到发射极电压
门到发射极电压
集电极电流
集电极电流
集电极电流脉冲
二极管的正向电流
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结温
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“从案例5秒
@ T
C
= 25
o
C
@ T
C
= 100
o
C
@ T
C
= 25
o
C
@ T
C
= 25
o
C
@ T
C
= 25
o
C
@ T
C
= 100 C
o
评级
600
± 20
10
5
15
5
73.5
29.4
-55到+150
-55到+150
300
单位
V
V
A
A
A
A
W
W
o
C
o
C
C
o
注意事项：
1 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大值。结温
2012仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FGB5N60UNDF版本A
FGB5N60UNDF 600V ， 5A额定短路
热特性
符号
R
θJC
（IGBT）
R
θJC
（二极管）
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到外壳
热阻，结到环境（ PCB安装） （ 2 ）
典型值。
马克斯。
1.7
4.5
40
单位
o
o
C / W
C / W
o
C / W
注意事项：
2 ：安装在1“方PCB（ FR4或G - 10材料）
包装标志和订购信息
器件标识
FGB5N60UNDF
设备
FGB5N60UNDF
包
TO-263AB/D2-PAK
相对大小
胶带宽度
-
QUANTITY
50
IGBT的电气特性
符号
开关特性
BV
CES
I
CES
I
GES
集电极到发射极击穿电压
集电极截止电流
G- ê漏电流
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
600
-
-
-
-
-
-
1
±10
V
mA
uA
基本特征
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
G- ê阈值电压
集电极到发射极饱和电压
I
C
= 5毫安，V
CE
= V
GE
I
C
= 5A
,
V
GE
= 15V
I
C
= 5A
,
V
GE
= 15V,
T
C
= 125
o
C
5.5
-
-
6.8
1.9
2.3
8.5
2.4
-
V
V
V
动态特性
C
IES
C
OES
C
水库
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
CE
= 30V
,
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
-
-
-
181
28
7
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
T
sc
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
短路承受时间
V
CC
= 350V,
R
G
= 100, V
GE
= 15V,
T
C
= 150
o
C
2
V
CC
= 400V ，我
C
= 5A,
R
G
= 10, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 125
o
C
V
CC
= 400V ，我
C
= 5A,
R
G
= 10, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 25
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
5.4
1.9
25.4
101
0.08
0.07
0.15
5.2
2.3
26.6
125
0.15
0.09
0.24
-
-
202
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
s
FGB5N60UNDF版本A
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FGB5N60UNDF 600V ， 5A额定短路
IGBT的电气特性
Q
g
Q
ge
Q
gc
总栅极电荷
门极 - 发射极充
门到集充电
T
C
= 25 ° C除非另有说明
-
V
CE
= 400V ，我
C
= 5A,
V
GE
= 15V
-
-
12.1
1.7
7.2
nC
nC
nC
二极管的电气特性
符号
V
FM
t
rr
Q
rr
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
二极管的正向电压
I
F
= 5A
测试条件
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
T
C
= 25
o
C
I
F
= 5A ，二
F
/ DT = 200A / μs的
T
C
= 125 C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
o
分钟。
-
-
-
-
-
-
典型值。
1.7
1.6
35
87
71
240
最大
2.2
-
单位
V
二极管的反向恢复时间
ns
二极管的反向恢复电荷
nC
-
FGB5N60UNDF版本A
3
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FGB5N60UNDF 600V ， 5A额定短路
典型性能特性
图1.典型的输出特性
30
T
C
= 25 C
o
图2.典型的输出特性
30
T
C
= 125 C
o
20V
17V
15V
20V
17V
15V
集电极电流，I
C
[A]
20
集电极电流，I
C
[A]
20
V
GE
= 12V
V
GE
= 12V
10
10
0
0.0
1.5
3.0
4.5
6.0
7.5
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
9.0
0
0.0
1.5
3.0
4.5
6.0
7.5
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
9.0
图3.典型的饱和电压
特征
20
共发射极
V
GE
= 15V
图4.传输特性
20
共发射极
V
CE
= 20V
集电极电流，I
C
[A]
集电极电流，I
C
[A]
15
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
o
15
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
o
10
10
5
5
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
6
0
0
3
6
9
12
栅极 - 发射极电压，V
GE
[V]
15
图5.饱和电压与案例
温度变电流等级
3.5
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
共发射极
V
GE
= 15V
图6.饱和电压与V
GE
20
共发射极
集电极 - 发射极电压
,
V
CE
[V]
3.0
10A
T
C
= 25 C
o
16
10A
2.5
12
5A
2.0
5A
8
I
C
= 2.5A
1.5
I
C
= 2.5A
4
1.0
25
50
75
100
125
o
集电极 - EmitterCase温度，T
C
[ C]
0
4
8
12
16
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
20
FGB5N60UNDF版本A
4
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FGB5N60UNDF 600V ， 5A额定短路
典型性能特性
图7.饱和电压与V
GE
20
共发射极
图8.电容特性
1000
集电极 - 发射极电压
,
V
CE
[V]
T
C
= 125 C
o
16
C
IES
10A
电容[ pF的]
100
C
OES
C
水库
12
5A
8
I
C
= 2.5A
10
共发射极
V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
T
C
= 25 C
o
4
0
1
4
8
12
16
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
20
1
10
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
30
图9.栅极电荷特性
15
400V
图10. SOA特征
20
10
100
s
10
s
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
12
200V
集电极电流，I
c
[A]
V
CC
= 100V
1ms
10毫秒
9
1
DC
6
*注意：
1. T
C
= 25 C
o
3
共发射极
T
C
= 25 C
o
0.1
15
0.05
1
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
0
0
5
10
栅极电荷，Q
g
[ NC ]
10
100
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
1000
图11.导通特性上与
栅极电阻
100
共发射极
V
CC
= 400V, V
GE
= 15V
I
C
= 5A
T
C
= 25 C
o
o
图12.关断特性对比
栅极电阻
1000
t
f
开关时间[ NS ]
10
t
D（上）
t
r
开关时间[ NS ]
T
C
= 125 C
100
t
D（关闭）
10
共发射极
V
CC
= 400V, V
GE
= 15V
I
C
= 5A
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
o
1
0
10
20
30
40
栅极电阻，R
G
[
]
50
1
0
10
20
30
40
栅极电阻，R
G
[
]
50
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