FQN1N50C N沟道MOSFET
包装标志和订购信息
器件标识
1N50C
设备
FQN1N50C
包
TO-92
带尺寸
--
胶带宽度
--
QUANTITY
2000ea
电气特性
符号
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
参数
T
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V ，T
C
= 125°C
V
GS
= 30 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
500
--
--
--
--
--
--
0.5
--
--
--
--
--
--
50
250
100
-100
V
V /°C的
A
A
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.19 A
V
DS
= 40 V，I
D
= 0.19A
（注4 ）
2.0
--
--
--
4.6
0.6
4.0
6.0
--
V
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
--
--
--
150
28
4.1
195
40
--
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 400 V，I
D
= 1.0 A,
V
GS
= 10 V
（注4,5）
（注4,5）
V
DD
= 250 V，I
D
= 1.0 A,
R
G
= 25
--
--
--
--
--
--
--
10
10
20
15
4.9
0.66
2.9
30
30
50
40
6.4
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项：
1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 80mH ，我
AS
= 1.0A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25
,
起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
0.38A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS ，
起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立工作温度
6.一）参考的的R点
θ
JL
是漏极引出
B）当在静止空气环境中安装3 “ X4.5 ” FR- 4 PCB没有任何的铜垫
(R
θ
JA
是结点到外壳和外壳到环境的热阻之和。 R
θ
CA
是通过用户的电路板设计确定）
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= 0.38 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 1.0 A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
（注4 ）
--
--
--
--
--
--
--
--
188
0.55
0.38
3.04
1.4
--
--
A
A
V
ns
C
2001仙童半导体公司
FQN1N50C
牧师C0
2
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FQN1N50C N沟道MOSFET
典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.2
图8.导通电阻变化
与温度的关系
3.0
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
1.1
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
2.5
2.0
1.0
1.5
1.0
※
注意事项：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 0.19 A
0.9
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250 A
0.5
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
与外壳温度
0.4
10
1
10
s
I
D
，漏电流[ A]
10
0
100
s
100毫秒
10
-1
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
I
D
，漏电流[ A]
10
3
1毫秒
10毫秒
0.3
0.2
DC
10
-2
※
注意事项：
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
o
0.1
10
-3
10
0
10
1
10
2
0.0
25
50
75
100
125
150
V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[
℃
]
图11.瞬态热响应曲线
10
2
D = 0 .5
Z
θ
JC
热响应
(t),
10
1
0 .2
0 .1
0 .0 5
P
DM
t
1
t
2
10
0
0 .0 2
0 .0 1
S IN克乐P ü LS ê
10
-1
※
N 2 O TE S：
1 . Z
θ
1 J L
(t) = 6 0
℃
/ W M A X 。
2 。 ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
L
= P
D M
* Z
Q J·C
(t)
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
t
1
，S之四重W AVE P ü LS E D ü RA TIO N [秒]
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