FQB45N15V2/FQI45N15V2
QFET
FQB45N15V2/FQI45N15V2
150V N沟道MOSFET
概述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管采用飞兆半导体专有的，
平面条形， DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对
最大限度地减少通态电阻，优越的开关
性能，并能承受高能量脉冲
雪崩和减刑模式。这些装置是公
适合用于DC到DC转换器， sychronous整流，
和其他应用最低的Rds（on ）是必需的。
特点
45A ， 150V ，R
DS （ ON）
= 0.04 @V
GS
= 10 V
低栅极电荷（典型的72 NC）
低的Crss （典型值135 pF的）
快速开关
100％的雪崩测试
改进的dv / dt能力
D
D
!
＆ QUOT ;
G
S
D
2
-PAK
FQB系列
I
2
-PAK
摹 S
FQI系列
G
!
！ "
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
!
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源电压
- 连续（T
C
= 25°C)
漏电流
- 连续（T
C
= 100°C)
漏电流
- 脉冲
（注1 ）
FQB45N15V2/FQI45N15V2
150
45
31
180
±
30
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W / ℃，
°C
°C
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功率耗散（T
C
= 25°C)
1124
45
22
4.5
220
1.47
-55到+175
300
- 减免上述25℃
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
8分之1 ＆ QUOT ;从案例5秒
热特性
*当安装在推荐的最小焊盘尺寸（ PCB安装）
符号
R
θJC
R
θJA
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境*
热阻，结到环境
典型值
--
--
--
最大
0.68
40
62.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
2003仙童半导体公司
版本A 2003年12月
FQB45N15V2/FQI45N15V2
典型特征
（续）
1.2
3.0
2.5
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
※
注意事项：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 22.5 A
0.9
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
0.5
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图7.击穿电压变化
与温度
50
10
3
图8.导通电阻变化
与温度
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
10
s
100
s
1毫秒
10毫秒
100毫秒
45
40
I
D
，漏电流[ A]
10
2
35
I
D
，漏电流[ A]
2
30
25
20
15
10
5
0
25
10
1
DC
10
0
※
注意事项：
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 175 C
3.单脉冲
o
o
10
-1
10
0
10
1
10
50
75
100
125
150
175
V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[
℃
]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
VS外壳温度
（T ）和T H的é R M一l研究（E S） P 0：N发E
10
0
D = 0 .5
0 .2
10
-1
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
10
-2
※
N 2 O TE S：
1 . Z
θ
J·C
t) = 0 .6 8
℃
/ W M A X 。
(
2 。 ü吨和Y F是C T O服务R，D = T
1
/ t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J·C
t)
(
P
DM
t
1
的I N G - 乐P ü升发E
θ
JC
t
2
Z
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S单方W AVE P ü LS E D URAT IO N [秒]
图11.瞬态热响应曲线
2003仙童半导体公司
版本A 2003年12月
FQB45N15V2/FQI45N15V2
QFET
FQB45N15V2/FQI45N15V2
150V N沟道MOSFET
概述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管采用飞兆半导体专有的，
平面条形， DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对
最大限度地减少通态电阻，优越的开关
性能，并能承受高能量脉冲
雪崩和减刑模式。这些装置是公
适合用于DC到DC转换器， sychronous整流，
和其他应用最低的Rds（on ）是必需的。
特点
45A ， 150V ，R
DS （ ON）
= 0.04 @V
GS
= 10 V
低栅极电荷（典型的72 NC）
低的Crss （典型值135 pF的）
快速开关
100％的雪崩测试
改进的dv / dt能力
D
D
!
＆ QUOT ;
G
S
D
2
-PAK
FQB系列
I
2
-PAK
摹 S
FQI系列
G
!
！ "
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
!
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源电压
- 连续（T
C
= 25°C)
漏电流
- 连续（T
C
= 100°C)
漏电流
- 脉冲
（注1 ）
FQB45N15V2/FQI45N15V2
150
45
31
180
±
30
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W / ℃，
°C
°C
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功率耗散（T
C
= 25°C)
1124
45
22
4.5
220
1.47
-55到+175
300
- 减免上述25℃
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
8分之1 ＆ QUOT ;从案例5秒
热特性
*当安装在推荐的最小焊盘尺寸（ PCB安装）
符号
R
θJC
R
θJA
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境*
热阻，结到环境
典型值
--
--
--
最大
0.68
40
62.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
2003仙童半导体公司
版本A 2003年12月
FQB45N15V2/FQI45N15V2
典型特征
（续）
1.2
3.0
2.5
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
※
注意事项：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 22.5 A
0.9
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
0.5
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图7.击穿电压变化
与温度
50
10
3
图8.导通电阻变化
与温度
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
10
s
100
s
1毫秒
10毫秒
100毫秒
45
40
I
D
，漏电流[ A]
10
2
35
I
D
，漏电流[ A]
2
30
25
20
15
10
5
0
25
10
1
DC
10
0
※
注意事项：
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 175 C
3.单脉冲
o
o
10
-1
10
0
10
1
10
50
75
100
125
150
175
V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[
℃
]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
VS外壳温度
（T ）和T H的é R M一l研究（E S） P 0：N发E
10
0
D = 0 .5
0 .2
10
-1
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
10
-2
※
N 2 O TE S：
1 . Z
θ
J·C
t) = 0 .6 8
℃
/ W M A X 。
(
2 。 ü吨和Y F是C T O服务R，D = T
1
/ t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J·C
t)
(
P
DM
t
1
的I N G - 乐P ü升发E
θ
JC
t
2
Z
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S单方W AVE P ü LS E D URAT IO N [秒]
图11.瞬态热响应曲线
2003仙童半导体公司
版本A 2003年12月
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