FCP600N60Z / FCPF600N60Z N沟道MOSFET
2013年3月
FCP600N60Z / FCPF600N60Z
N沟道的SuperFET
II MOSFET
600 V , 7.4 A, 600毫欧
特点
650 V @T
J
= 150°C
马克斯。
DS ( ON)
= 600 mΩ
超低栅极电荷(典型值Q
g
= 20 NC)
低有效输出电容(典型值
OSS
.eff = 74 pF的)
100 %雪崩测试
ESD能力提高
描述
的SuperFET II MOSFET是飞兆半导体的第一gen-
高压超级结( SJ ) MOSFET系列的关合作是
利用电荷平衡技术,导通电阻出色的低
tance和更低的栅极电荷性能。本先进的技
术是针对减少传导损耗,提供出众
开关性能,并能承受极端的dv / dt率
较高的雪崩能量。因此, SuperFETII MOSFET是
适合于对系统minia-各种AC / DC电源转换
turization和更高的效率。
应用
LCD / LED / PDP电视和显示器照明
太阳能逆变器
AC- DC电源供应器
D
G
TO-220
摹 S
GD S
TO-220F
S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25
o
C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
MOSFET的dv / dt
功耗
(T
C
=
25
o
C)
o
C
参数
- DC
- AC
- 连续(T
C
=
- 连续(T
C
=
- 脉冲
25
o
C)
100
o
C)
(注1 )
(注2 )
(注1 )
(注1 )
(注3)
(六> 1赫兹)
FCP600N60Z FCPF600N60Z
600
±20
±30
7.4
4.7
22.2
135
1.5
0.89
20
100
89
0.71
-55到+150
300
28
0.22
7.4*
4.7*
22.2*
单位
V
V
V
A
A
mJ
A
mJ
V / ns的
V / ns的
W
W/
o
C
o
C
o
C
- 减免上述25
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的,
1/8 ?从案例5秒
*漏电流受最高结温
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
参数
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
FCP600N60Z FCPF600N60Z
1.4
62.5
4.5
62.5
单位
o
C / W
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1
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包装标志和订购信息
器件标识
FCP600N60Z
FCPF600N60Z
设备
FCP600N60Z
FCPF600N60Z
包
TO-220
TO-220F
带尺寸
-
-
胶带宽度
-
-
QUANTITY
50
50
电气特性
T
C
= 25
o
C除非另有说明
符号
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
ΔT
J
BV
DS
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
漏源雪崩击穿
电压
零栅极电压漏极电流
门到身体漏电流
V
GS
= 0 V,I
D
= 10毫安,T
J
= 25°C
V
GS
= 0 V,I
D
= 10毫安,T
J
= 150°C
I
D
= 10毫安,参考25
o
C
V
GS
= 0 V,I
D
= 7.4 A
V
DS
= 480 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 480 V ,T
C
= 125 C
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0 V
o
600
650
-
-
-
-
-
-
-
0.67
700
-
-
-
-
-
-
-
1
10
±10
V
V
V/
o
C
V
μA
uA
基本特征
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
栅极阈值电压
静态漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μA
V
GS
= 10 V,I
D
= 3.7 A
V
DS
= 20 V,I
D
= 3.7 A
2.5
-
-
-
0.51
6.7
3.5
0.6
-
V
Ω
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
Q
G( TOT )
Q
gs
Q
gd
ESR
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
有效输出电容
总栅极电荷,在10V
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
等效串联电阻
V
DS
= 380 V,I
D
= 3.7 A
V
GS
= 10 V
(注4 )
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DS
= 380 V, V
GS
= 0 V , F = 1.0 MHz的
V
DS
= 0 V至480 V ,V
GS
= 0 V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
840
630
30
16.5
74
20
3.4
7.5
2.89
1120
840
45
-
-
26
-
-
-
pF
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
Ω
开漏
开关特性
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 380 V,I
D
= 3.7 A
V
GS
= 10 V ,R
G
= 4.7
Ω
(注4 )
-
-
-
-
13
7
39
9
36
24
88
28
ns
ns
ns
ns
漏源二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏极至源极二极管的正向电流
最大脉冲漏极至源极二极管的正向电流
漏极至源极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V,I
SD
= 3.7 A
V
GS
= 0 V,I
SD
= 3.7 A
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
-
200
2.3
7.4
22.2
1.2
-
-
A
A
V
ns
μC
注意事项:
1.重复评价:脉冲宽度有限的最高结温
2. I
AS
= 1.5 A,V
DD
= 50 V ,R
G
= 25
Ω,
起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
3.7 A, di / dt的
≤
200 A / μs的,V
DD
≤
BV
DSS
,起始物为
J
= 25°C
4.基本上是独立的工作温度典型特征
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典型性能特性
图1.区域特征
20
V
GS
=
10.0V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
图2.传输特性
50
*注意:
1. V
DS
= 20V
2. 250
μ
s脉冲测试
10
I
D
,漏电流[ A]
I
D
,漏电流[ A]
10
25 C
150 C
o
o
-55 C
o
1
1
*注意:
1. 250
μ
s脉冲测试
2. T
C
= 25 C
o
0.4
0.2
1
10
V
DS
,漏源电压[V]
20
0.2
2
3
4
5
6
7
V
GS
,栅源电压[V]
8
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
1.2
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
100
R
DS ( ON)
[
Ω
],
漏源导通电阻
1.0
0.8
V
GS
= 10V
I
S
,反向漏电流[ A]
150 C
o
10
25 C
o
0.6
V
GS
= 20V
0.4
0.2
0
4
*注:t
C
= 25 C
8
12
I
D
,漏电流[ A]
16
20
o
*注意:
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s脉冲测试
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
,体二极管正向电压[ V]
1.4
图5.电容特性
10000
图6.栅极电荷特性
10
V
DS
= 120V
V
DS
= 300V
V
DS
= 480V
C
国际空间站
V
GS
,栅源电压[V]
1000
8
电容[ pF的]
6
100
*注意:
1. V
GS
= 0V
2, F = 1MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的(CDS =短路)
COSS =硫化镉+ Cgd的
CRSS = Cgd的
C
OSS
4
10
2
1
0.5
0.1
C
RSS
*注:我
D
= 3.7A
600
0
0
5
10
15
20
Q
g
,总栅极电荷[ NC ]
25
1
10
100
V
DS
,漏源电压[V]
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典型性能特性
(续)
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.12
图8.导通电阻变化
与温度的关系
2.5
BV
DSS
, [归]
漏源击穿电压
1.08
1.04
1.00
0.96
0.92
0.88
-80
*注意:
1. V
GS
= 0V
2. I
D
= 10毫安
R
DS ( ON)
, [归]
漏源导通电阻
2.0
1.5
1.0
*注意:
1. V
GS
= 10V
2. I
D
= 3.7A
-40
0
40
80
120
o
T
J
,结温[C]
160
0.5
-80
-40
0
40
80
120
o
T
J
,结温[C]
160
图9.最高安全工作区
与外壳温度 - FCP600N60Z
50
图10.最大安全工作区
与外壳温度 - FCPF600N60Z
100
I
D
,漏电流[ A]
I
D
,漏电流[ A]
10
10
μ
s
100
μ
s
1ms
10ms
DC
10
10
μ
s
100
μ
s
1
在这一领域
由R有限公司
DS ( ON)
1ms
10ms
DC
1
在这一领域
由R有限公司
DS ( ON)
*注意:
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
o
0.1
*注意:
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
o
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
,漏源电压[V]
1000
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
,漏源电压[V]
1000
图11.最大漏极电流
8
图12. EOSS与漏极至源极电压
交换能力
4
I
D
,漏电流[ A]
6
3
4
E
OSS
, [
μ
J]
50
75
100
125
o
T
C
,外壳温度[C]
150
2
2
1
0
25
0
0
100
200
300
400
500
V
DS
,漏源极电压[ V]
600
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典型性能特性
(续)
图13.瞬态热响应曲线 - FCP600N60Z
2
热响应[Z
θ
JC
]
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.1
P
DM
t
1
*注意:
t
2
o
1. Z
θ
JC
( T) = 1.4 ℃/ W(最大值) 。
2.占空比,D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
0.01
-5
10
10
-4
10
10
矩形脉冲持续时间(秒)
-3
-2
10
-1
10
0
图14.瞬态热响应曲线 - FCPF600N60Z
5
热响应[Z
θ
JC
]
0.5
0.2
1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
t
1
t
2
o
*注意:
1. Z
θ
JC
( T) = 4.5 ℃/ W(最大值) 。
2.占空比,D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
0.1
-5
10
10
-4
10
10
10
10
矩形脉冲持续时间(秒)
-3
-2
-1
0
10
1
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