【FQD2N60C / FQU2N60C N沟道QFETMOSFET2013年4月FQD2N60C /】,IC型号FQD2N60CTF,FQD2N60CTF PDF资料,FQD2N60CTF经销商,ic,电子元器件-51电子网

FQD2N60C / FQU2N60C N沟道

QFET

MOSFET

2013年4月

FQD2N60C / FQU2N60C

600 V ， 1.9 A， 4.7 Ω

特点

1.9 A， 600 V ，R

DS （ ON）

= 4.7

（ MAX 。）

@ V

GS

= 10 V,

I

D

= 0.95 A

= LOW

栅极电荷

（典型值8.5 NC ）

低的Crss （典型值4.3 pF的）

100%

雪崩测试

符合RoHS

N沟道

QFET

MOSFET

描述

这种N沟道增强型功率MOSFET是

利用飞兆半导体公司生产的

专有的平面

条纹和DMOS技术。这种先进的MOSFET

技术已特别针对减少通态

阻力，从而能够提供优越的开关性能和

高雪崩能量强度。这些器件适用于

开关模式电源，有源功率因数校正

（PFC），和电子镇流器。

D

G

S

G

D

!

●

S

G

!

▲

●

D- PAK

I- PAK

!

S

绝对最大额定值

符号

V

DSS

I

D

I

DM

V

GSS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

P

D

漏源电压

漏电流

- 连续（T

C

= 25°C)

- 连续（T

C

= 100°C)

- 脉冲

（注1 ）

参数

FQD2N60C / FQU2N60C

600

1.9

1.14

7.6

±

30

（注2 ）

（注1 ）

（注3）

单位

V

A

V

mJ

A

mJ

V / ns的

W

W / ℃，

°C

栅源电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

功率耗散（T

A

= 25°C)*

功率耗散（T

C

= 25°C)

- 减免上述25℃

120

1.9

4.4

4.5

2.5

44

0.35

-55到+150

300

T

J

, T

英镑

T

L

工作和存储温度范围

最大无铅焊接温度的目的，

8分之1 ＆ QUOT ;从案例5秒

热特性

符号

R

θJC

R

θJA

R

θJA

参数

热阻，结到外壳，

马克斯。

热阻，结到环境*

热阻，结到环境，

马克斯。

FQD2N60C / FQU2N60C

2.87

50

110

单位

° C / W

*当安装在推荐的最小焊盘尺寸（ PCB安装）

2009仙童半导体公司

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FQD2N60C / FQU2N60C N沟道

QFET

MOSFET

包装标志和订购信息

器件标识

FQD2N60C

FDU2N60C

设备

FQD2N60C

FDU2N60C

包

D- PAK

I- PAK

T

C

= 25 ° C除非另有说明

带尺寸

-

胶带宽度

-

QUANTITY

电气特性

符号

开关特性

BV

DSS

ΔBV

DSS

/

T

J

I

DSS

I

GSSF

I

GSSR

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

注意事项：

参数

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门体漏电流，正向

门体漏电流，反向

栅极阈值电压

静态漏源

导通电阻

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

测试条件

V

GS

= 0 V，I

D

= 250

A

I

D

= 250

A,

参考25 ℃下

V

DS

= 600 V, V

GS

= 0 V

V

DS

= 480 V ，T

C

= 125°C

V

GS

= 30 V, V

DS

= 0 V

V

GS

= -30 V, V

DS

= 0 V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

A

V

GS

= 10 V，I

D

= 0.95 A

V

DS

= 40 V，I

D

= 0.95 A

V

DS

= 25 V, V

GS

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

（注4 ）

民

600

--

2.0

--

典型值

--

0.6

--

3.6

5.0

180

20

4.3

9

25

24

28

8.5

1.3

4.1

--

230

1.0

最大

--

1

10

100

-100

4.0

4.7

--

235

25

5.6

28

60

58

66

12

--

1.9

7.6

1.4

--

单位

V

V /°C的

A

nA

V

S

pF

ns

nC

A

V

ns

C

基本特征

动态特性

开关特性

V

DD

= 300 V，I

D

= 2 A,

R

G

= 25

--

（注4,5）

--

V

DS

= 480 V，I

D

= 2 A,

V

GS

= 10 V

（注4,5）

--

漏源二极管的特性和最大额定值

最大连续漏源二极管的正向电流

最大脉冲漏源二极管的正向电流

漏源二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

GS

= 0 V，I

S

= 1.9 A

V

GS

= 0 V，I

S

= 2 A,

dI

F

/ DT = 100 A / μs的

（注4 ）

--

1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温

2， L = 56mH ，我

AS

= 2A ，V

DD

= 50V ，R

G

= 25

,

起始物为

J

= 25°C

3. I

SD

≤

图2A中， di / dt的

≤

200A / μs的，V

DD

≤

BV

DSS ，

起始物为

J

= 25°C

4.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300μS ，占空比

≤

2%

5.基本上是独立工作温度

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QFET

MOSFET

典型性能特性

图1.区域特征

V

GS

上图：

15.0 V

10.0 V

8.0 V

7.0 V

6.5 V

6.0 V

5.5 V

5.0 V

底部： 4.5 V

图2.传输特性

10

1

I

D

，漏电流[ A]

10

I

D

，漏电流[ A]

0

150 C

10

0

o

-55 C

25 C

o

10

-1

※

注意事项：

1. 250μ s脉冲测试

2. T

C

= 25

℃

※

注意事项：

1. V

DS

= 40V

2. 250μ s脉冲测试

10

-2

10

-1

10

0

10

1

10

-1

2

4

6

8

10

V

DS

，漏源电压[V]

V

GS

，栅源电压[V]

图3.导通电阻变化对比

漏电流和栅极电压

图4.体二极管正向电压

变化与源电流

和Temperatue

12

R

DS （ ON）

[ ],

漏源导通电阻

8

V

GS

= 10V

I

DR

，反向漏电流[ A]

10

6

10

0

4

V

GS

= 20V

2

※

注：t

J

= 25

℃

150

℃

25

℃

-1

※

注意事项：

1. V

GS

= 0V

2. 250μ s脉冲测试

0

10

0

1

2

3

4

5

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

I

D

，漏电流[ A]

V

SD

，源极 - 漏极电压[ V]

图5.电容特性

500

450

400

350

C

国际空间站

= C

gs

+ C

gd

(C

ds

=短路）

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

C

RSS

= C

gd

图6.栅极电荷特性

12

10

V

DS

= 120V

V

DS

= 300V

电容[ pF的]

C

国际空间站

C

OSS

V

GS

，栅源电压[V]

8

300

250

200

150

100

50

0

-1

10

0

1

V

DS

= 480V

6

C

RSS

※

注意事项;

1. V

GS

= 0 V

2. F = 1 MHz的

4

2

※

注：我

D

= 2A

10

0

2

4

6

8

10

V

DS

，漏源电压[V]

Q

G

，总栅极电荷[ NC ]

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QFET

MOSFET

典型性能特性

（续）

图7.击穿电压变化

与温度的关系

1.2

图8.导通电阻变化

与温度的关系

3.0

BV

DSS

（归一化）

漏源击穿电压

1.1

R

DS （ ON）

（归一化）

漏源导通电阻

2.5

2.0

1.0

1.5

1.0

※

注意事项：

1. V

GS

= 10 V

2. I

D

= 0.95 A

0.9

※

注意事项：

1. V

GS

= 0 V

2. I

D

= 250 A

0.5

0.8

-100

-50

0

50

100

o

150

200

0.0

-100

-50

0

50

100

o

150

200

T

J

，结温[C]

T

J

，结TEM

规律[ C]

图9.最高安全工作区

图10.最大漏极电流

与外壳温度

2.0

10

1

在这一领域

由R有限公司

DS （ ON）

1.6

I

D

，漏电流[ A]

1毫秒

10

0

I

D

，漏电流[ A]

3

100

s

10毫秒

100毫秒

DC

1.2

0.8

10

-1

※

注意事项：

o

1. T

C

= 25 C

o

2. T

J

= 150 C

3.单脉冲

0.4

10

-2

10

0

10

1

10

2

10

0.0

25

50

75

100

125

150

V

DS

，漏源电压[V]

T

C

，外壳温度[

℃

]

图11.典型的漏电流斜率

与栅极电阻

图12.典型的漏源电压

斜率与栅极电阻

Z

θ

JC

（T ），热响应

D = 0 .5

10

0

0 .2

0 .1

0 .0 5

10

-1

※

N 2 O TE S：

1 . Z

θ

J·C

( t) = 2 .8 7

℃

/ W M A X 。

2 。 ü TY F A C到R，D = T

1

/t

2

3 . T

J·M

- T

C

= P

D M

* Z

θ

J·C

(t)

0 .0 2

0 .0 1

S IN克乐P ü LS ê

P

DM

t

1

t

2

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

t

1

，S之四重W AVE P ü LS E D ü RA TIO N [秒]

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QFET

MOSFET

栅极电荷测试电路波形&

50KΩ

12V

200nF

300nF

同一类型

作为DUT

V

DS

V

GS

10V

Q

gs

Q

g

V

GS

Q

gd

DUT

3mA

收费

电阻开关测试电路波形&

V

DS

R

G

10V

V

GS

R

L

V

DD

V

DS

90%

DUT

V

GS

10%

t

D（上）

t

on

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

t

f

非钳位感应开关测试电路波形&

L

V

DS

I

D

R

G

10V

t

p

BV

DSS

1

---- L I

AS2

--------------------

E

AS

=

2

BV

DSS

- V

DD

BV

DSS

I

AS

V

DD

I

D

(t)

V

DD

t

p

DUT

V

DS

(t)

时间

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