FDS3612
2001年3月
FDS3612
100V N沟道的PowerTrench
MOSFET
概述
这N沟道MOSFET的设计
具体而言，以提高直流/直流整体效率
使用同步或传统转换器
开关PWM控制器。
这些MOSFET的开关速度和更低的
比其他的MOSFET具有可比性的栅极电荷
R
DS （ ON）
规格。其结果是一个MOSFET，是
容易和更安全的驾驶（即使在非常高的频率） ，
和DC / DC具有较高的总电源设计
EF网络效率。
特点
3.4 A， 100 V
DS （ ON）
= 120毫欧@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 130毫欧@ V
GS
= 6 V
开关速度快
低栅极电荷（ 14 NC典型值）
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
高功率和电流处理能力
应用
DC / DC转换器
电机驱动器
D
D
D
D
5
6
4
3
2
1
SO-8
S
S
S
G
7
8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
评级
100
±
20
（注1A ）
单位
V
V
A
W
3.4
20
2.5
1.2
1.0
-55到+175
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
50
25
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS3612
设备
FDS3612
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDS3612版本B1 （ W）
FDS3612
电气特性
符号
W
DSS
I
AR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源雪崩能源
漏源雪崩电流
测试条件
单脉冲，V
DD
= 50 V，I
D
= 3.4 A
民
典型值
最大单位
90
3.4
mJ
A
漏源雪崩额定值
（注2 ）
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，正向
门体泄漏，反向
（注2 ）
V
GS
= 0 V,
I
D
= 250
A
100
106
10
100
–100
V
毫伏/°C的
A
nA
nA
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 80 V,
V
GS
= 20 V,
V
GS
= –20 V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
V
DS
= 0 V
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
I
D
= 250
A
V
DS
= V
GS
,
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
GS
= 10 V,
I
D
= 3.4 A
I
D
= 3.2 A
V
GS
= 6 V,
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.4A ，T
J
= 125°C
V
GS
= 10 V,
V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V,
I
D
= 3.4 A
2
2.5
–6
88
94
170
4
V
毫伏/°C的
120
130
245
m
I
D（上）
g
FS
10
11
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
DS
= 50 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
632
40
20
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 50 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1 A,
R
根
= 6
8.5
2
23
4.5
17
4
37
9
20
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 50 V,
V
GS
= 10 V
I
D
= 3.4 A,
14
2.4
3.8
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
V
GS
= 0 V,
I
S
= 2.1 A
电压
2.1
（注2 ）
A
V
0.75
1.2
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一） 50℃/ W（ 10秒）
62.5 ° C / W稳定状态
安装在一个时
1in
2
的2盎司垫
铜
B） 105 ° C / W时，
安装在一个0.04
2
2盎司纯铜垫
C） 125°C / W安装在一个时
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
FDS3612版本B1 （ W）
商标
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并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
星* POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
UltraFET
VCX
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注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
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飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
牧师H1
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