FQD2N60C / FQU2N60C
典型特征
（续）
1.2
3.0
2.5
BV
DSS
（范
alized ）
漏源击穿电压
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
※
注意事项：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 0.95 A
0.9
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
0.5
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图7.击穿电压变化
与温度
图8.导通电阻变化
与温度
2.0
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
10
1
1.6
100
s
I
D
，漏电流[ A]
1毫秒
10
0
10毫秒
100毫秒
DC
10
-1
※
注意事项：
1. T
C
= 25 C
o
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
10
-2
10
0
10
1
10
2
10
3
I
D
，漏电流[ A]
1.2
0.8
0.4
0.0
25
50
75
100
125
150
V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[
℃
]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
VS外壳温度
（T ）和T H的é R M一l研究（E S） P 0：N发E
D = 0 .5
10
0
0 .2
0 .1
0 .0 5
10
-1
※
N 2 O TE S：
1 . Z
θ
J·C
(t) = 2 .8 7
℃
/ W M A X 。
2 。 ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J·C
(t)
θ
JC
0 .0 2
0 .0 1
S IN克乐P ü LS ê
P
DM
t
1
t
2
Z
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S之四重W AVE P ü LS E D ü RA TIO N [秒]
图11.瞬态热响应曲线
2003仙童半导体公司
版本A ， 2003年10月
FQD2N60C / FQU2N60C
典型特征
（续）
1.2
3.0
2.5
BV
DSS
（范
alized ）
漏源击穿电压
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
※
注意事项：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 0.95 A
0.9
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
0.5
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图7.击穿电压变化
与温度
图8.导通电阻变化
与温度
2.0
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
10
1
1.6
100
s
I
D
，漏电流[ A]
1毫秒
10
0
10毫秒
100毫秒
DC
10
-1
※
注意事项：
1. T
C
= 25 C
o
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
10
-2
10
0
10
1
10
2
10
3
I
D
，漏电流[ A]
1.2
0.8
0.4
0.0
25
50
75
100
125
150
V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[
℃
]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
VS外壳温度
（T ）和T H的é R M一l研究（E S） P 0：N发E
D = 0 .5
10
0
0 .2
0 .1
0 .0 5
10
-1
※
N 2 O TE S：
1 . Z
θ
J·C
(t) = 2 .8 7
℃
/ W M A X 。
2 。 ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J·C
(t)
θ
JC
0 .0 2
0 .0 1
S IN克乐P ü LS ê
P
DM
t
1
t
2
Z
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S之四重W AVE P ü LS E D ü RA TIO N [秒]
图11.瞬态热响应曲线
2003仙童半导体公司
版本A ， 2003年10月
FQD2N60C / FQU2N60C N沟道
QFET
MOSFET
FQD2N60C / FQU2N60C
N沟道
QFET
MOSFET
600 V ， 1.9 A， 4.7 Ω
特点
1.9 A， 600 V ，R
DS （ ON）
= 4.7
（ MAX 。 ）
@ V
GS
= 10 V,
I
D
= 0.95 A
= LOW
栅极电荷
（典型值8.5 NC ）
低的Crss （典型值4.3 pF的）
100%
雪崩测试
符合RoHS
描述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管都采用Corise Semiconductors专有的，
平面条形， DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对
最大限度地减少通态电阻，优越的开关
性能，并能承受高能量脉冲
雪崩和减刑模式。这些装置是公
适用于高效率开关模式电源。
D
G
S
G
D
D
!
●
S
G
!
▲
●
●
D- PAK
I- PAK
!
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
漏源电压
漏电流
漏电流
- 连续（T
C
= 25°C)
- 连续（T
C
= 100°C)
- 脉冲
（注1 ）
参数
FQD2N60C / FQU2N60C
600
1.9
1.14
7.6
±
30
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W
W / ℃，
°C
°C
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功率耗散（T
A
= 25°C)*
功率耗散（T
C
= 25°C)
- 减免上述25℃
120
1.9
4.4
4.5
2.5
44
0.35
-55到+150
300
T
J
, T
英镑
T
L
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
8分之1 ＆ QUOT ;从案例5秒
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
R
θJA
参数
热阻，结到外壳，
马克斯。
热阻，结到环境*
热阻，结到环境，
马克斯。
FQD2N60C / FQU2N60C
2.87
50
110
单位
° C / W
° C / W
° C / W
*当安装在推荐的最小焊盘尺寸（ PCB安装）
1
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FQD2N60C / FQU2N60C N沟道
QFET
MOSFET
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.2
图8.导通电阻变化
与温度的关系
3.0
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
1.1
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
2.5
2.0
1.0
1.5
1.0
※
注意事项：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 0.95 A
0.9
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250 A
0.5
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结TEM
规律[ C]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
与外壳温度
2.0
10
1
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
1.6
I
D
，漏电流[ A]
1毫秒
10
0
I
D
，漏电流[ A]
3
100
s
10毫秒
100毫秒
DC
1.2
0.8
10
-1
※
注意事项：
o
1. T
C
= 25 C
o
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
0.4
10
-2
10
0
10
1
10
2
10
0.0
25
50
75
100
125
150
V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[
℃
]
图11.典型的漏电流斜率
与栅极电阻
图12.典型的漏源电压
斜率与栅极电阻
Z
θ
JC
（T ） ，热响应
D = 0 .5
10
0
0 .2
0 .1
0 .0 5
10
-1
※
N 2 O TE S：
1 . Z
θ
J·C
( t) = 2 .8 7
℃
/ W M A X 。
2 。 ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J·C
(t)
0 .0 2
0 .0 1
S IN克乐P ü LS ê
P
DM
t
1
t
2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S之四重W AVE P ü LS E D ü RA TIO N [秒]
4
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