FMS2023
DC- 20 GH
Z
MMIC L
OW
L
OSS
SPST一
BSORPTIVE
S
WITCH
F
EATURES
:
低插入损耗： 1分贝在20 GHz的
高隔离50分贝20 GHz的
在关断状态下输出吸收
出色的低控制电压性能
提供裸片形式
预生产数据表V3.0
F
UNCTIONAL
S
电气原理
:
RFIN
RFOUT
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
:
该FMS2023是低损耗高隔离
宽带单极单掷镓
砷化开关，设计上的FL05为0.5μm
从费尔多尼克切换过程。它提供
从输出吸收性质（50
欧姆端接） 。
该工艺技术提供了领先优势
针对开关应用的性能进行了优化。
该FMS2023被用于宽带开发
通信，
仪器仪表
和
电子战市场。
V1
V2
T
YPICAL
A
PPLICATIONS
:
宽带通信
测试仪表
光纤传感器
电子对抗（ ECM ， ESM ）
E
LECTRICAL
S
PECIFICATIONS
(
小
-
信号无特别注明，
):
P
ARAMETER
C
ONDITIONS
DC
5 GHz的
10 GHz的
15 GHZ
20 GHz的
DC- 20 GHz的
DC- 20 GHz的
DC- 20 GHz的
DC- 20 GHz的
2 GHz的
10 GHz的
20 GHz的
10 ％至90％的射频
九成-10％射频
50 ％的直流至90％的射频
50 ％的直流至10％的射频
M
IN
-0.6
-0.75
-0.9
-1.05
-1.25
–
–
–
–
26
25
22
–
–
–
–
T
YP
-0.42
-0.55
-0.7
-0.8
-1.0
-50
-21
-23
-11
28
27
24
17
42
27
53
M
AX
–
–
–
–
–
-43
-17
-17
-9
–
–
–
–
–
–
–
U
尼特
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
ns
ns
ns
ns
插入损耗
隔离
输入回波损耗
（ON状态）
输出回波损耗
（ON状态）
输出回波损耗
（关断状态）
P1dB
开关速度
注1：T
环境
= 25°C ， VCTRL = 0V / -5V
注2 ：根据晶圆上测量规范
1
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
费尔多尼克化合物半导体有限公司
传真： +44 （ 0 ） 1325 306177
电子邮件： sales@filcs.com
电话：+44 （ 0 ） 1325 301111
网址：
www.filtronic.com
FMS2023
预生产数据表V3.0
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS ：
P
ARAMETER
最大输入功率
工作温度
储存温度
T
RUTH
T
ABLE
:
C
ONTROL线
V1
-5V
0V
S
YMBOL
针
豪饮者
Tstor
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
+27dBm
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 150°C
RF P
ATH
RF
IN
- 射频
O
在（低损耗）
关性（Isolation ）
V2
0V
-5V
注：超过这些绝对的任何一个
最大额定值可能会造成永久性的
损坏设备。
注： -5V
±
0.2V; 0V
±
0.2V
P
AD
L
AYOUT
:
P
AD
N
AME
RFIN
RFO
V1
V2
P
IN
D
ESCRIPTION
RFIN
RFOUT
V1
V2
C
OORDINATES
(m)
141,587
1789,587
901,161
1101,161
注：坐标是从底部引用
左手边的模具的粘结垫的中心
开盘
D
IE
S
IZE
(m)
1910 x 1110
D
IE
T
HICKNESS
(m)
100
M
IN
. B
OND
P
AD
P
痒
(m)
150
M
IN
. B
OND PAD
O
PENING
（微米×
m
)
116 x 116
2
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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FMS2023
预生产数据表V3.0
T
YPICAL
P
ERFORMANCE FOR
O
N
-W
AFER
M
EASUREMENTS
:
注：测试条件V
CTRL
= -5V （低） & 0V （高） ，T
环境
= 25 ° C除非另有说明
插入损耗（ S21 ON）
0.00
-0.20
S21 （ dB）的
S21 （ dB）的
-0.40
-0.60
-0.80
-1.00
-1.20
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率（GHz ）
0.00
-10.00
-20.00
-30.00
-40.00
-50.00
-60.00
-70.00
-80.00
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率（GHz ）
隔离（ S21 OFF）
输入回波损耗（ S11 ON）
0.00
-5.00
S11（ dB）的
S11（ dB）的
0.00
-5.00
-10.00
-15.00
-20.00
-25.00
-30.00
-35.00
-40.00
-45.00
输出回波损耗（ S22 ON）
-10.00
-15.00
-20.00
-25.00
-30.00
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率（GHz ）
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率（GHz ）
吸收输出回波损耗（ S22 OFF）
0.00
28.00
P1dB
-5.00
P1dB的（ DBM）
24.00
20.00
16.00
12.00
8.00
S11（ dB）的
-10.00
-15.00
-20.00
-25.00
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率（GHz ）
4.00
0.00
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率（GHz ）
3
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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FMS2023
预生产数据表V3.0
T
YPICAL
P
ERFORMANCE FOR
O
N
-W
AFER
M
EASUREMENTS OVER
T
emperature
:
注：测试条件V
CTRL
= -5V （低） & 0V （高）
T
环境
= 25°C
T
冷
= -40°C
T
热
= +85°C
插入损耗（ S21 ON）
0.00
-0.20
S21 （ dB）的
-0.40
-0.60
-0.80
-1.00
-1.20
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率（GHz ）
隔离（ S21 OFF）
0.00
-10.00
-20.00
S21 （ dB）的
-30.00
-40.00
-50.00
-60.00
-70.00
-80.00
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率（GHz ）
输入回波损耗（ S11 ON）
0.00
-5.00
S11（ dB）的
-10.00
输出回波损耗（ S22 ON）
0.00
-5.00
-10.00
S22 （ dB）的
-15.00
-20.00
-25.00
-30.00
-35.00
-40.00
-45.00
-15.00
-20.00
-25.00
-30.00
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率（GHz ）
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率（GHz ）
吸收输出回波损耗（ S22 OFF）
0.00
-5.00
-10.00
-15.00
-20.00
P1dB
28.00
24.00
P1dB的（ DBM）
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
S22 （ dB）的
20.00
16.00
12.00
8.00
4.00
-25.00
频率（GHz ）
0.00
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率（GHz ）
4
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
费尔多尼克化合物半导体有限公司
传真： +44 （ 0 ） 1325 306177
电子邮件： sales@filcs.com
电话：+44 （ 0 ） 1325 301111
网址：
www.filtronic.com
FMS2023
预生产数据表V3.0
P
简称
A
SSEMBLY
I
NSTRUCTIONS
:
GaAs器件是脆弱的，应该
非常小心处理。特别设计的
夹头应该尽可能使用。
管芯的背面是金属化和
推荐的安装方法是通过使用
导电环氧树脂。环氧应适用
到附着表面均匀地与
谨慎，以避免对环氧树脂的侵犯
到模具的上表面和理想不应
超过一半的芯片高度。对于自动化
免除Ablestick LMISR4推荐
和用于手动分配Ablestick 84-1 LMI或
84-1 LMIT建议。这些应
固化在150 ℃的温度一小时
在烤箱中特别预留环氧树脂
只有固化。如果可能的话固化烘箱应
可以用干燥的氮气。共晶模
连接不推荐。
这部分有金（Au ）接合焊盘要求
使用金（99.99 ％纯度）的接合线。这是
建议直径25.4μm金线
被使用。热超声球焊是
首选。标称阶段的温度
150℃和40克的粘结力一直
如图给予有效的结果为25μm的金属丝。
超声波能量应保持在最低限度。
对于这种键合技术，舞台温度
不应高于200 ℃，键凸
力不应该被上面60克提高。
热超声
楔子
合
和
热压楔焊也可以
用来实现良好丝焊。
键应该从模头首先被制成与
然后到安装基板或封装。
的接合线的物理长度应
最小尤其是当制作RF或
接地连接。
H
ANDLING
P
RECAUTIONS
:
为避免损坏
该
器件
CARE
应该行使
中
处理。
正确
静电
放电
（ ESD ）
预防措施应在各个阶段必须遵守
储存，搬运，装配和测试。
这些装置应被视为1A类
（ 250-500 V）作为JEDEC标准规定
第22号- A114 。有关ESD的详细信息
控制措施可以在MIL -STD-找到
1686和MIL -HDBK -263 。
A
PPLICATION
N
OTES
＆放大器;
ESIGN
D
ATA
:
应用笔记和设计数据，包括S-
参数可根据要求提供。
D
ISCLAIMERS
:
本产品不适合在任何使用
基于空间或维持生命/支持
设备。
O
RDERING
I
载文信息
:
P
艺术
N
棕土
FMS2023-000-WP
D
ESCRIPTION
死在华夫格包
（ Gel-Pak的应要求提供）
5
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FMS2023
DC- 20 GH
Z
MMIC L
OW
L
OSS
SPST一
BSORPTIVE
S
WITCH
F
EATURES
:
提供裸片形式
无反光设计
低插入损耗1分贝在20 GHz的典型
非常高的隔离50分贝在20 GHz的典型
出色的低控制电压性能
初步数据表V2.2
F
UNCTIONAL
S
电气原理
:
RFIN
RFOUT
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
:
该FMS2023是低损耗高隔离
宽带单刀单掷镓
设计用于宽带使用砷化镓开关
通信仪器仪表及电子
战争中的应用。在模具制造
使用费尔多尼克FL05 0.5μm的切换过程
技术
那
报价
领导
EDGE
针对开关应用的性能进行了优化。
V1
V2
T
YPICAL
A
PPLICATIONS
:
宽带通信
仪器仪表
电子对抗（ ECM ， ESM ）
E
LECTRICAL
S
PECIFICATIONS
（基于晶圆上测量）
:
P
ARAMETER
插入损耗
插入损耗
插入损耗
隔离
隔离
隔离
输入回波损耗（状态）
输出回波损耗（状态）
输出回波损耗（关闭状态）
P1dB
C
ONDITIONS
（ DC - 10 ） GHz时，小信号
（ 10-15 ） GHz的小信号
（ 15-20 ） GHz的小信号
（ DC - 10 ） GHz时，小信号
（ 10-15 ） GHz的小信号
（ 15-20 ） GHz的小信号
（ DC - 20 ） GHz的小信号
（ DC - 20 ） GHz的小信号
（ DC - 20 ） GHz的小信号
-5V控制
M
IN
T
YP
0.7
0.8
1
47
47
50
20
22
12
26
M
AX
U
尼特
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
ns
DBM
注：t
环境
= 25°C ， VCTRL = 0V / -5V
1
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FMS2023
初步数据表V2.2
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS ：
P
ARAMETER
最大输入功率
工作温度
储存温度
T
RUTH
T
ABLE
:
C
ONTROL线
V1
-5V
0V
S
YMBOL
针
豪饮者
Tstor
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
+38dBm
-40 ° C至+ 100°C
-55 ° C至+ 150°C
RF P
ATH
RF
IN
- 射频
O
在（低损耗）
关性（Isolation ）
V2
0V
-5V
注：超过这些绝对的任何一个
最大额定值可能会造成永久性的
损坏设备。
注： -5V
±
0.2V; 0V
±
0.2V
P
AD
L
AYOUT
:
P
AD
N
AME
RFIN
RFO
V1
V2
D
ESCRIPTION
P
IN
C
OORDINATES
(m)
RFIN
RFOUT
V1
V2
141,587
1789,587
901,161
1101,161
注：坐标是从底部引用
左手边的模具的粘结垫的中心
开盘
D
IE
S
IZE
(m)
1910 x 1110
D
IE
T
HICKNESS
(m)
100
M
IN
. B
OND
P
AD
P
痒
(m)
150
M
IN
. B
OND PAD
O
PENING
（微米×
m
)
116 x 116
2
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FMS2023
初步数据表V2.2
T
YPICAL
M
EASURED
P
ERFORMANCE
O
N
W
AFER
:
注：测试条件V
CTRL
= -5V （低） & 0V （高） ，T
环境
= 25 ° C除非另有说明
插入损耗（dB ）
0
隔离度（dB ）
0
-10
-0.5
-20
-30
-1
-40
-50
-1.5
-60
-70
-2
1
6
11
频率（GHz ）
16
20
-80
1
6
11
频率（GHz ）
16
20
输入回波损耗（dB ）
0
输出回波损耗（dB ）
0
导通状态
关闭状态
-10
-10
-20
-20
-30
-30
-40
1
6
11
频率（GHz ）
16
-40
20
1
6
11
频率（GHz ）
16
20
3
2.5
损耗（dB）
万兆赫兹
20G的赫兹
2
1.5
1
0.5
0
1 5 16 1 7 18 19 2 0 21 2 2 23 2 4 25 2 6
IN P ü T P上宽E R（ D B M）
3
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FMS2023
初步数据表V2.2
P
简称
A
SSEMBLY
I
NSTRUCTIONS
:
GaAs器件是脆弱的，应该
非常小心处理。特别设计的
夹头应该尽可能使用。
管芯的背面是金属化和
推荐的安装方法是通过使用
焊锡或导电环氧树脂。如果是环氧树脂
选择，则它应该被施加到
附着表面均匀和有节制地来
避免在顶端环氧树脂的侵蚀
面的模具的，理想情况下应不超过
一半芯片的高度。对于自动分配
Ablestick LMISR4建议和
手动分配Ablestick 84-1 LMI或84-1
LMIT建议。这些应
固化在150 ℃的温度下在1小时内
烤箱特别预留环氧树脂固化
只。如果可能的话固化烘箱应
用干燥的氮气。
这部分有金（Au ）接合焊盘要求
使用金（99.99 ％纯度）的接合线。这是
建议直径25.4μm金线
被使用。热超声球焊是
首选。标称阶段的温度
150℃和40克的粘结力一直
如图给予有效的结果为25μm的金属丝。
超声波能量应保持在最低限度。
对于这种键合技术，舞台温度
不应高于200 ℃，键凸
力不应该被上面60克提高。
热超声
楔子
合
和
热压楔焊也可以
用来实现良好丝焊。
键应该从模头首先被制成与
然后到安装基板或封装。
的接合线的物理长度应
最小尤其是当制作RF或
接地连接。
H
ANDLING
P
RECAUTIONS
:
为了避免损坏器件护理应
在处理过程中行使。
正确
静电放电（ ESD ）注意事项
应于存储的所有阶段都可以观察到，
搬运，组装和测试。
这些
设备应被视为1A类（ 0-500
V）在JEDEC标准号定义22-
A114 。在ESD控制的更多信息
措施可以发现在MIL -STD- 1686和
MIL-HDBK-263.
A
PPLICATION
N
OTES
＆放大器;
ESIGN
D
ATA
:
应用笔记和设计数据，包括S-
参数可用;请联系
费尔多尼克化合物半导体有限公司
D
ISCLAIMERS
:
本产品不适合在任何使用
基于空间或维持生命/支持
设备。
O
RDERING
I
载文信息
:
P
艺术
N
棕土
FMS2023-000
D
ESCRIPTION
死在华夫格包
（ Gel-Pak的应要求提供）
4
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QQ：2881677436 复制
