FPD4000AS
2.5W P
包装运输
P
OWER P
HEMT
性能（ 1.8千兆赫）
34.5 dBm的输出功率（P
1dB
)
12分贝功率增益（G
1dB
)
45 dBm的输出IP3
8V操作
50％的功率附加效率
提供评估板
可在网站设计数据
适合于应用至5GHz
说明与应用
见包装纲要
标识代码
该FPD4000AS是一个打包的耗尽型铝镓砷/铟镓砷伪形态高电子
迁移率晶体管（ pHEMT制） ，在L波段功率应用进行优化。表面贴装
包已经被优化的低寄生效应。
典型的应用包括在PCS的驱动程序或输出级/蜂窝基站发射机
放大器，以及在WLL / WLAN放大器等功率应用。
电气特性在22℃下
参数
功率1分贝增益压缩
功率增益1dB增益压缩
最大稳定增益
S
21
/S
12
功率附加英法fi效率
在1分贝增益压缩
3
rd
阶互调失真
Γ
S
和
Γ
L
调整以获得最佳的IP3
饱和漏源电流
最大漏源电流
跨
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿电压
栅极 - 漏极击穿电压
热电阻（通道到外壳）
I
DSS
I
最大
G
M
I
GSO
|V
P
|
|V
BDGS
|
|V
BDGD
|
Θ
CC
IM3
PAE
符号
P
1dB
G
1dB
味精
测试条件
V
DS
= 8V ;我
DQ
= 700毫安
Γ
S
和
Γ
L
调整以获得最佳的IP3
V
DS
= 8V ;我
DQ
= 700毫安
Γ
S
和
Γ
L
调整以获得最佳的IP3
V
DS
= 8V ;我
DQ
= 700毫安
P
IN
=为0dBm ， 50Ω系统
V
DS
= 8V ;我
DQ
= 700毫安
Γ
S
和
Γ
L
调整以获得最佳的IP3
V
DS
= 8V ;我
DQ
= 700毫安
P
OUT
= 23 dBm的（单音级）
V
DS
= 1.3 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 1.3 V; V
GS
+1 V
V
DS
= 1.3 V; V
GS
= 0 V
V
GS
= -3 V
V
DS
= 1.3 V ;我
DS
= 8毫安
I
GS
= 8毫安
I
GD
= 8毫安
见注下页
0.7
6
20
1.9
-46
2.3
3.6
2.4
70
0.9
10
22
16
170
1.4
2.65
dBc的
mA
mA
mS
A
V
V
V
° C / W
50
%
18
dB
10.5
12
民
33.5
典型值
34.5
最大
单位
DBM
射频指标测量
f
= 1.8 GHz的使用CW信号
电话：
+1 408 850-5790
传真：
+1 408 850-5766
HTTP ： //
www.filtronic.co.uk/semis
修改后：
05/26/05
电子邮件：
sales@filcsi.com
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推荐工作偏置条件
漏源电压：
从5V至8V
静态电流：
400 mA至750毫安
绝对最大额定值
1
参数
漏源电压
栅源电压
漏 - 源电流
栅电流
RF输入功率
2
通道工作温度
储存温度
总功耗
增益压缩
符号
V
DS
V
GS
I
DS
I
G
P
IN
T
CH
T
英镑
P
合计
比较。
测试条件
-3V < V
GS
< + 0V
0V ＆ LT ; V
DS
< + 8V
对于V
DS
＆ GT ; 2V
正向/反向电流
在任何可以接受的偏置状态
在任何可以接受的偏置状态
非工作存储
请参阅下面的降额注
在任何偏置条件
-40
民
最大
12
-3
I
DSS
+20/-20
575
175
150
9.0
5
单位
V
V
mA
mA
mW
C
C
W
dB
%
限制同时结合
3
2个或更多最大值。范围
80
1
2
T
环境
= 22 ° C除非另有说明
马克斯。 1 ： RF输入限制，如果必须输入VSWR > 2.5进一步限制
3
用户应避免超过80 ％的2个或更多同时限制
注意事项：
超过绝对最大额定值的工作条件将导致器件的永久性损坏。
定义为总功耗：P
合计
≡
(P
DC
+ P
IN
) – P
OUT
，其中：
P
DC
：直流偏置电源
P
IN
： RF输入功率
P
OUT
：射频输出功率
总功耗要降额，符合上述22 ° C：
P
合计
= 9.0 - （ 0.0625W / ° C） x深
PACK
其中T
PACK
=
源标签铅温度高于22
°
C
（降额式的系数是热导率）
例如：对于一个55 ° C源铅温度：P
合计
= 9.0 - （ 0.0625 ×（ 55 - 22 ） ） = 6.94W
为了达到最佳的散热，通过（来源）过孔应直接使用下面的中央金属填充
金属化接地焊盘在所述封装的底部。
需要注意的热阻：
16 ° C / W标称值的测量与安装在一个大包
散热片与热复合，以确保有足够的（回流）的接触。封装温度称为
源线索。
操作注意事项
为避免对设备造成损坏应小心处理期间行使。适当的静电
放电（ESD ）预防措施应储存的各个阶段进行观察，搬运，装配和
测试。本产品已通过JESD22 A114进行测试， 1A级（ > 250V ，但< 500V ） ，人
体模型，并以A类， （ < 200V ），使用JESD22 A115 ，机型号。
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偏置指南
有源偏置电路提供良好的性能稳定性上运行的变化
温度，但是需要的组件相比，自偏压或双偏置的更大的数字。
这种电路应包括以下条款，以确保栅偏置漏偏前申请，
否则的pHEMT可被诱导以自振荡。请联系您的销售代表
附加信息。
双偏置电路实现起来比较简单，但需要调节的负
电压源为耗尽型器件，如FPD1000AS 。
自偏置电路采用的RF -旁路源电阻，以提供负栅 - 源极
偏置电压，并且这些电路提供一些的温度稳定的设备。标称
值电路的发展为3.25
对于推荐的200mA工作点。
推荐200毫安偏置点名义上是AB类模式。少量的RF增益
膨胀压缩的发作之前是正常的运行点。
封装和建议的PC板布局
（尺寸以毫米为单位 - 毫米）
包装标志
CODE
例如：
f1ZD
P1F
f
=费尔多尼克
1ZD =批号/日期代码
P1F =状态，部分代码，
部件类型
改变所有的信息和规格，恕不另行通知。
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