FEP16AT - FEP16JT
销1
+
例
销2
FEP16AT - FEP16JT
特点
低正向压降。
高浪涌电流的能力。
1
3脚
CT阳性
销1
3脚
CT阴性
后缀"A"
2
3
-
例
销2
高电流能力。
高可靠性。
销1
AC
例
销2
TO-220AB
3脚
倍
后缀"D"
快速整流器（玻璃钝化）
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
16AT
16BT
16CT
价值
16DT
16FT
16GT
16HT
16JT
单位
400
500
600
V
A
A
°C
°C
T
英镑
T
J
最高重复反向
电压
平均正向电流整流，
.375 "引线长度@ T
A
= 100°C
非重复性峰值正向浪涌
当前
8.3ms单一正弦半波
存储温度范围
工作结温
50
100
150
200
300
16
200
-55到+150
-55到+150
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
热特性
符号
P
D
R
θJA
R
θJL
参数
功耗
热阻，结到环境
热阻，结领导
价值
8.33
15
2.2
单位
W
° C / W
° C / W
电气特性
符号
V
F
t
rr
I
R
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
16AT
16BT
设备
16CT 16DT
16FT
16GT
16HT
16JT
单位
1.5
50
V
ns
A
A
60
pF
C
T
正向电压@ 8.0A
反向恢复时间
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
RR
= 0.25 A
反向电流@额定V
R
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
总电容
V
R
= 4.0 。 F = 1.0 MHz的
0.95
35
10
500
85
1.3
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FEP16AT - FEP16JT ，版本C
FEP16AT - FEP16JT
典型特征
平均正向电流整流，我
F
[A]
峰值正向浪涌电流，I
FSM
[A]
20
200
16
160
12
单相
半波
60HZ
电阻或
感性负载
0.375" （ 9.0毫米） LEAD
长度
120
8
80
4
40
0
0
25
50
75
100
125
环境温度[摄氏度]
150
175
0
1
2
5
10
20
循环次数在60Hz
50
100
图1.正向电流降额曲线
100
FEP16AT-FEP16DT
图2.不重复浪涌电流
反向特性
1000
正向电流I
F
[A]
反向电流，I
R
[马]
10
FEP16FT-FEP16JT
100
T
A
= 100
C
1
10
0.1
T
A
= 25
C
脉冲宽度= 300μS
2 ％的占空比
1
T
A
= 25
C
0.01
0.4
0.1
0.6
0.8
1
1.2
1.4
正向电压，V
F
[V]
1.6
1.8
0
20
40
60
80
100
120
140
额定峰值反向电压（％）百分比
图3.正向电压特性
100
总电容，C
T
[ pF的]
90
80
70
60
50
FEP16FT-FEP16JT
40
图4.反向电流与反向电压
FEP16AT-FEP16DT
1
2
5
10
20
反向电压， V
R
[V]
50
100
图5.总电容
50
无感
50
无感
+0.5A
(-)
TRR
DUT
50V
（约）
50
无感
脉冲
发电机
（注2 ）
(+)
示波器
（注1 ）
0
-0.25A
-1.0A
1.0cm
设定时基
5/10纳秒/厘米
反向恢复时间Characterstic和测试电路图
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FEP16AT - FEP16JT ，版本C
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
支持设备或系统，其故障执行能
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
可以合理预期造成的生命的失败
不履行时，按照正确使用
支持设备或系统，或影响其安全性或
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
H4牧师
FEP16AT - FEP16JT
分立功率&信号
技术
FEP16AT - FEP16JT
特点
低正向压降。
高浪涌电流的能力。
高电流能力。
高可靠性。
0.113(2.87)
0.103(2.62)
0.27(6.86)
0.23(5.84)
0.412(10.5)
最大
0.154(3.91)
0.148(3.74)
0.185(4.70)
0.175(4.44)
0.055(1.40)
0.045(1.14)
0.594(15.1)
0.587(14.9)
TO-220AB
0.16(4.06)
1
0.14(3.56)
2
3
0.11(2.79)
0.10(2.54)
外型尺寸是：英寸（毫米）
销1
+
3脚
CT阳性
例
销2
销1
-
3脚
CT阴性
后缀“A”
例
销2
3脚
倍
后缀为“D”
销1
0.56(14.22)
AC
例
销2
0.037(0.94)
0.027(0.68)
0.53(13.46)
0.025(0.64)
0.105(2.67)
0.095(2.41)
0.014(0.35)
16安培玻璃钝化超快速整流器
绝对最大额定值*
符号
I
O
i
F（浪涌）
P
D
R
θJA
R
θJL
T
英镑
T
J
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
平均整流电流
.375 "引线长度@ T
A
= 100°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到环境
热阻，结领导
存储温度范围
工作结温
价值
16
单位
A
200
8.33
66
15
2.2
-65到+150
-65到+150
A
W
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
°C
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
电气特性
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
设备
16AT
16BT
100
70
100
16CT
150
105
150
16DT
200
140
200
10
500
35
0.95
85
1.3
50
1.5
60
16FT
300
210
300
16GT
400
280
400
16HT
500
350
500
16JT
600
420
600
50
35
50
单位
V
V
V
A
A
nS
V
pF
反向重复峰值电压
最大RMS电压
阻断电压DC
（额定V
R
)
最大反向电流
@额定V
R
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
最大反向恢复时间
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
RR
= 0.25 A
最大正向电压@ 8.0A
典型结电容
V
R
= 4.0 。 F = 1.0 MHz的
1999
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FEP16AT - FEP16JT ，版本A
FEP16AT - FEP16JT
典型特征
正向电流降额曲线
峰值正向浪涌电流（ A）
20
正向电流（ A）
非重复浪涌电流
200
16
160
12
单相
半波
60HZ
电阻或
感性负载
0.375" （ 9.0毫米） LEAD
长度
120
8
80
4
40
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度（ C）
175
0
1
2
5
10
20
50
循环次数在60Hz
100
正向特性
100
正向电流（ A）
FEP16AT-FEP16DT
反向特性
1000
反向电流（
A)
10
FEP16FT-FEP16JT
100
T
A
= 100
C
1
10
0.1
T
A
= 25
C
脉冲宽度= 300μS
2 ％的占空比
1
T
A
= 25
C
0.01
0.4
0.1
0.6
0.8
1
1.2
1.4
正向电压（ V）
1.6
1.8
0
20
40
60
80
100
120
140
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
结电容
100
90
电容（pF）
80
70
60
50
FEP16FT-FEP16JT
40
FEP16AT-FEP16DT
1
2
5
10
20
反向电压（ V）
50
100
50
无感
50
无感
+0.5A
(-)
TRR
DUT
50V
（约）
50
无感
脉冲
发电机
（注2 ）
(+)
示波器
（注1 ）
0
-0.25A
-1.0A
1.0cm
设定时基
5/10纳秒/厘米
反向恢复时间Characterstic和测试电路图
FEP16AT - FEP16JT ，版本A
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
HiSeC
放弃
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
TinyLogic
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
FEP16AT - FEP16JT
销1
+
例
销2
FEP16AT - FEP16JT
特点
低正向压降。
高浪涌电流的能力。
1
3脚
CT阳性
销1
3脚
CT阴性
后缀"A"
2
3
-
例
销2
高电流能力。
高可靠性。
销1
AC
例
销2
TO-220AB
3脚
倍
后缀"D"
快速整流器（玻璃钝化）
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
16AT
16BT
16CT
价值
16DT
16FT
16GT
16HT
16JT
单位
400
500
600
V
A
A
°C
°C
T
英镑
T
J
最高重复反向
电压
平均正向电流整流，
.375 "引线长度@ T
A
= 100°C
非重复性峰值正向浪涌
当前
8.3ms单一正弦半波
存储温度范围
工作结温
50
100
150
200
300
16
200
-55到+150
-55到+150
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
热特性
符号
P
D
R
θJA
R
θJL
参数
功耗
热阻，结到环境
热阻，结领导
价值
8.33
15
2.2
单位
W
° C / W
° C / W
电气特性
符号
V
F
t
rr
I
R
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
16AT
16BT
设备
16CT 16DT
16FT
16GT
16HT
16JT
单位
1.5
50
V
ns
A
A
60
pF
C
T
正向电压@ 8.0A
反向恢复时间
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
RR
= 0.25 A
反向电流@额定V
R
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
总电容
V
R
= 4.0 。 F = 1.0 MHz的
0.95
35
10
500
85
1.3
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FEP16AT - FEP16JT ，版本C
FEP16AT - FEP16JT
典型特征
平均正向电流整流，我
F
[A]
峰值正向浪涌电流，I
FSM
[A]
20
200
16
160
12
单相
半波
60HZ
电阻或
感性负载
0.375" （ 9.0毫米） LEAD
长度
120
8
80
4
40
0
0
25
50
75
100
125
环境温度[摄氏度]
150
175
0
1
2
5
10
20
循环次数在60Hz
50
100
图1.正向电流降额曲线
100
FEP16AT-FEP16DT
图2.不重复浪涌电流
反向特性
1000
正向电流I
F
[A]
反向电流，I
R
[马]
10
FEP16FT-FEP16JT
100
T
A
= 100
C
1
10
0.1
T
A
= 25
C
脉冲宽度= 300μS
2 ％的占空比
1
T
A
= 25
C
0.01
0.4
0.1
0.6
0.8
1
1.2
1.4
正向电压，V
F
[V]
1.6
1.8
0
20
40
60
80
100
120
140
额定峰值反向电压（％）百分比
图3.正向电压特性
100
总电容，C
T
[ pF的]
90
80
70
60
50
FEP16FT-FEP16JT
40
图4.反向电流与反向电压
FEP16AT-FEP16DT
1
2
5
10
20
反向电压， V
R
[V]
50
100
图5.总电容
50
无感
50
无感
+0.5A
(-)
TRR
DUT
50V
（约）
50
无感
脉冲
发电机
（注2 ）
(+)
示波器
（注1 ）
0
-0.25A
-1.0A
1.0cm
设定时基
5/10纳秒/厘米
反向恢复时间Characterstic和测试电路图
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FEP16AT - FEP16JT ，版本C
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
支持设备或系统，其故障执行能
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
可以合理预期造成的生命的失败
不履行时，按照正确使用
支持设备或系统，或影响其安全性或
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
H4牧师
FEP16AT - FEP16JT
销1
+
例
销2
FEP16AT - FEP16JT
特点
低正向压降。
高浪涌电流的能力。
1
3脚
CT阳性
销1
3脚
CT阴性
后缀"A"
2
3
-
例
销2
高电流能力。
高可靠性。
销1
AC
例
销2
TO-220AB
3脚
倍
后缀"D"
快速整流器（玻璃钝化）
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
16AT
16BT
16CT
价值
16DT
16FT
16GT
16HT
16JT
单位
400
500
600
V
A
A
°C
°C
T
英镑
T
J
最高重复反向
电压
平均正向电流整流，
.375 "引线长度@ T
A
= 100°C
非重复性峰值正向浪涌
当前
8.3ms单一正弦半波
存储温度范围
工作结温
50
100
150
200
300
16
200
-55到+150
-55到+150
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
热特性
符号
P
D
R
θJA
R
θJL
参数
功耗
热阻，结到环境
热阻，结领导
价值
8.33
15
2.2
单位
W
° C / W
° C / W
电气特性
符号
V
F
t
rr
I
R
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
16AT
16BT
设备
16CT 16DT
16FT
16GT
16HT
16JT
单位
1.5
50
V
ns
A
A
60
pF
C
T
正向电压@ 8.0A
反向恢复时间
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
RR
= 0.25 A
反向电流@额定V
R
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
总电容
V
R
= 4.0 。 F = 1.0 MHz的
0.95
35
10
500
85
1.3
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FEP16AT - FEP16JT ，版本C
FEP16AT - FEP16JT
典型特征
平均正向电流整流，我
F
[A]
峰值正向浪涌电流，I
FSM
[A]
20
200
16
160
12
单相
半波
60HZ
电阻或
感性负载
0.375" （ 9.0毫米） LEAD
长度
120
8
80
4
40
0
0
25
50
75
100
125
环境温度[摄氏度]
150
175
0
1
2
5
10
20
循环次数在60Hz
50
100
图1.正向电流降额曲线
100
FEP16AT-FEP16DT
图2.不重复浪涌电流
反向特性
1000
正向电流I
F
[A]
反向电流，I
R
[马]
10
FEP16FT-FEP16JT
100
T
A
= 100
C
1
10
0.1
T
A
= 25
C
脉冲宽度= 300μS
2 ％的占空比
1
T
A
= 25
C
0.01
0.4
0.1
0.6
0.8
1
1.2
1.4
正向电压，V
F
[V]
1.6
1.8
0
20
40
60
80
100
120
140
额定峰值反向电压（％）百分比
图3.正向电压特性
100
总电容，C
T
[ pF的]
90
80
70
60
50
FEP16FT-FEP16JT
40
图4.反向电流与反向电压
FEP16AT-FEP16DT
1
2
5
10
20
反向电压， V
R
[V]
50
100
图5.总电容
50
无感
50
无感
+0.5A
(-)
TRR
DUT
50V
（约）
50
无感
脉冲
发电机
（注2 ）
(+)
示波器
（注1 ）
0
-0.25A
-1.0A
1.0cm
设定时基
5/10纳秒/厘米
反向恢复时间Characterstic和测试电路图
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FEP16AT - FEP16JT ，版本C
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
支持设备或系统，其故障执行能
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
可以合理预期造成的生命的失败
不履行时，按照正确使用
支持设备或系统，或影响其安全性或
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
H4牧师
FEP16AT THRU FEP16JT
快捷高效塑封整流
反向电压 -
50至600伏
TO-220AB
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.154 (3.91)
DIA 。
0.148 (3.74)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
正向电流 -
16.0安培
特点
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
双整流器建设，积极centertap
玻璃钝化芯片路口
低功耗
低正向电压，高电流能力
高浪涌电流能力
超快恢复时间效率高
高温焊接保证：
250℃， 0.16" （ 4.06毫米）从壳体10秒
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.410 (10.41)
0.390 (9.91)
针
2
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
3
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
机械数据
案例：
JEDEC TO- 220AB模压塑料车身超过
钝化芯片
终端：
镀导致每MIL -STD- 750 ，
方法2026
极性：
由于标
安装位置：
任何
安装扭矩：
5 - 磅。最大。
重量：
0.08盎司， 2.24克
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.037 (0.94)
0.027 (0.68)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.35)
销1
3脚
销2
例
尺寸单位：英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
FEP
符号16AT
FEP
16BT
FEP
16CT
FEP
16DT
FEP
16FT
FEP
16GT
FEP
16HT
FEP
16JT
单位
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在T
C
=100°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷（ JEDEC的方法）
每站最大瞬时正向电压
在8.0A
反向电流最大DC
每腿额定阻断电压DC
最大反向恢复时间
（注1 ）
每腿
典型
J
油膏
C
每腿apacitance
典型热阻
（注3）
（注2 ）
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
50
35
50
100
70
100
150
105
150
200
140
200
300
210
300
400
280
400
500
350
500
600
420
600
伏
伏
伏
安培
16.0
I
FSM
200.0
安培
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θJA
R
θJC
T
J,
T
英镑
0.95
10.0
500.0
35.0
85.0
15.0
2.2
1.3
1.5
伏
A
T
C
=25°C
T
C
=100°C
50.0
60.0
ns
pF
° C / W
°C
工作结存储温度范围
-55到+150
注意事项：
（ 1 ）反向恢复测试条件：我
F
= 0.5A ，我
R
= 1.0A ，我
rr
=0.25A
（ 2 ）测得1.0 MH
Z
和应用4.0伏特的反向电压
结（ 3 ）到环境的热阻和结点每腿外壳安装在散热片
4/98
额定值和特性曲线FEP16AT THRU FEP16JT
图。 2 - 最大非重复峰值
正向浪涌电流
图。 1 - 正向电流降额曲线
平均正向电流，
安培
20
16
12
8.0
4.0
0
峰值正向浪涌电流，
安培
负载电阻或电感
300
250
200
150
100
50
0
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
0
50
100
150
外壳温度
1
10
周期数的AT 60 H
Z
100
图。 3-典型正向
特性每支架
瞬时正向电流，
安培
图。 4 - 典型反向特性
每腿
40
100
50-400V
500-600V
10
T
J
=125°C
瞬时反向漏电流，
微安
10
脉冲宽度= 300μS
1 ％占空比
12
T
J
=
5°C
1
T
J
=25°C
50-400V
300-400V
500-600V
00°C
T
J
=1
1
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
正向电压，
伏
0.1
T
J
=25°C
0.01
0
图。 5 - 典型结电容每支架
20
40
60
80
100
百分比额定峰值反向
电压％
1,000
结电容， pF的
T
J
=125°C
F = 1.0 MH
Z
Vsig=50mVp-p
100
50-400V
500-600V
10
0.1
1
10
100
反向电压，伏
FEP （F ， B） 16AT通FEP （F ， B） 16JT
威世通用半导体
双共阴极超快整流器塑料
TO-220AB
ITO-220AB
2
FEP16xT
销1
3脚
销2
例
3
1
FEPF16xT
销1
3脚
销2
2
3
1
TO-263AB
K
特点
玻璃钝化结
超快恢复时间
低开关损耗，效率高
高正向浪涌能力
AEC Q101标准
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
245 ° C（用于TO- 263AB封装）峰
浸焊260 ° C， 40秒（对于TO- 220AB和
ITO - 220AB封装）
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
对于交换式高频整流用
电源，逆变器，续流二极管，
直流 - 直流转换器，以及其它功率开关
应用程序。
机械数据
案例：
TO- 220AB ， ITO - 220AB ， TO- 263AB
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须测试， HE3后缀为高可靠性等级
（ AEC Q101标准） ，符合JESD 201 2级
晶须测试
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
2
1
FEPB16xT
销1
销2
K
散热器
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
t
rr
V
F
T
J
马克斯。
8.0 A ×2
50 V至600 V
200 A, 125 A
35纳秒， 50纳秒
0.95 V, 1.30 V, 1.50 V
150 °C
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均
整流电流在T
C
= 100 °C
峰值正向浪涌电流8.3ms
单半正弦波叠加
每个二极管的额定载荷
操作和储存温度范围
隔离电压（ ITO - 220AB只）
从终端到散热片T = 1分
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
FEP
16AT
50
35
50
FEP
16BT
100
70
100
FEP
16CT
150
105
150
FEP
16DT
200
140
200
16
FEP
16FT
300
210
300
FEP
16GT
400
280
400
FEP
16HT
500
350
500
FEP
16JT
600
420
600
单位
V
V
V
A
I
FSM
T
J
, T
英镑
V
AC
200
- 55 + 150
1500
125
A
°C
V
文档编号： 88596
修订： 07- NOV- 07
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
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1
FEP （F ， B） 16AT通FEP （F ， B） 16JT
威世通用半导体
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大瞬时
每个二极管的正向电压
(1)
反向电流最大DC
在每个额定直流二极管
阻断电压
最大反向恢复
每个二极管的时间
典型结电容
每二极管
注意：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
测试条件
8.0 A
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A,
I
rr
= 0.25 A
4.0 V， 1 MHz的
符号
V
F
FEP
16AT
FEP
16BT
FEP
16CT
FEP
16DT
FEP
16FT
FEP
16GT
FEP
16HT
FEP
16JT
单位
V
0.95
10
500
35
85
1.30
1.50
I
R
A
t
rr
C
J
50
60
ns
pF
热特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
从结二极管每到外壳的典型热阻
符号
R
θJC
FEP
2.2
FEPF
3.1
FEPB
2.2
单位
° C / W
订购信息
（例）
包
TO-220AB
ITO-220AB
TO-263AB
TO-263AB
TO-220AB
ITO-220AB
TO-263AB
TO-263AB
注意：
（ 1 ）汽车级AEC Q101标准
首选的P / N
FEP16JT-E3/45
FEPF16JT-E3/45
FEPB16JT-E3/45
FEPB16JT-E3/81
FEP16JTHE3/45
(1)
FEPF16JTHE3/45
(1)
FEPB16JTHE3/45
(1)
FEPB16JTHE3/81
(1)
单位重量（g ）
1.85
1.97
1.35
1.35
1.85
1.97
1.35
1.35
封装代码
45
45
45
81
45
45
45
81
基地数量
50/tube
50/tube
50/tube
800/reel
50/tube
50/tube
50/tube
800/reel
配送方式
管
管
管
磁带和卷轴
管
管
管
磁带和卷轴
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2
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
文档编号： 88596
修订： 07- NOV- 07
FEP （F ， B） 16AT通FEP （F ， B） 16JT
威世通用半导体
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
20
100
50 - 400
V
500 - 600
V
10
T
J
= 125 °C
16
12
瞬时反向漏
电流（ μA ）
负载电阻或电感
平均正向电流（ A）
1
T
J
= 100 °C
8
T
J
= 25 °C
0.1
4
0
0
50
100
150
0.01
0
20
40
60
80
100
外壳温度（ ° C）
百分比额定峰值反向
电压
(%)
图1.正向电流降额曲线
每二极管图4.典型的反向特性
300
1000
T
C
= 100 °C
8.3
毫秒单一正弦半波
50 - 400
V
500 - 600
V
T
J
= 125 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
峰值正向浪涌电流（ A）
200
结电容（pF ）
250
150
100
100
50
0
1
10
100
10
0.1
1
10
100
数
环，在60赫兹的
反向
电压
(V)
图2.最大非重复峰值正向浪涌电流
每二极管
图5.典型结电容每二极管
100
正向电流（A ）
T
J
= 125 °C
10
T
J
= 25 °C
脉冲
宽度
= 300
s
1
%
占空比
50 - 400
V
300 - 400
V
500 - 600
V
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
1
正向
电压
(V)
图3.典型正向特性每二极管
文档编号： 88596
修订： 07- NOV- 07
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3
FEP （F ， B） 16AT通FEP （F ， B） 16JT
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
TO-220AB
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 (3.91)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
3
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
45 ° REF 。
0.404 (10.26)
0.384 (9.75)
0.076 （ 1.93 ） REF 。
0.076 （ 1.93 ） REF 。
7 ° REF 。
0.140 （ 3.56 ） DIA 。
0.125 （ 3.17 ） DIA 。
0.135 （ 3.43 ） DIA 。
0.122 （ 3.08 ） DIA 。
ITO-220AB
0.190 (4.83)
0.170 (4.32)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.600 (15.24)
0.580 (14.73)
针
0.671 (17.04)
0.651 (16.54)
7 ° REF 。
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
针
2
1
2
3
7 ° REF 。
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.025 (0.64)
0.015 (0.38)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.035 (0.89)
0.025 (0.64)
0.205 (5.21)
0.195 (4.95)
0.028 (0.71)
0.020 (0.51)
TO-263AB
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
分钟。
K
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
1
K
2
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.670 (17.02)
0.591 (15.00)
0.15 （ 3.81 ）最低。
0.08 （ 2.032 ） MIN 。
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.33 （ 8.38 ）最低。
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局
0.42 （ 10.66 ） MIN 。
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0 0.01 （ 0 0.254 ）
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
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4
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文档编号： 88596
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日前，Vishay
放弃
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文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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1
证书TH97 / 10561QM
证书TW00 / 17276EM
FEP16AT - FEP16JT
PRV ： 50 - 600伏
IO： 16安培
产品特点：
*
*
*
*
*
高电流能力
高浪涌电流能力
低漏电，高电压
玻璃钝化结
无铅/符合RoHS免费
销1
3脚
超快塑胶整流器
TO-220AB
0.154 （ 3.91 ） DIA 。
0.148(3.74)
0.113(2.87)
0.103(2.62)
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.055(1.39)
0.045(1.14)
0.145(3.68)
0.135(3.43)
0.350(8.89)
0.330(8.39)
0.160(4.06)
0.140(3.56)
0.185(4.70)
0.175(4.44)
0.635(16.13)
0.625(15.87)
例
+
销2
0.603(15.32)
0.573(14.55)
1 2 3
CT阳性
销1
例
-
销2
0.560(14.22)
0.530(13.46)
机械数据：
*案例：环氧树脂，模压
*铅焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
*极性：标
*安装位置：任意
*重量：2.24克数（约）
3脚
CT阴性
后缀"A"
0.205(520)
0.195(4.95)
0.037(0.94)
0.027(0.68)
0.105(2.67)
0.095(2.41)
0.022(0.56)
0.014(0.36)
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
等级25
°
C环境温度，除非另有规定。
等级
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均正向电流，T
C
= 100°C
最大峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷（ JEDEC的方法）在Tc = 100℃
最大正向电压在I
F
= 8 A
在T最大反向电流
C
= 25 °C
额定阻断电压DC
T
C
= 100 °C
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
FEP FEP FEP FEP FEP FEP FEP FEP
16AT 16BT 16CT 16DT 16FT 16GT 16HT 16JT
50
35
50
100
70
100
150
105
150
200
140
200
16
300
210
300
400
280
400
500
350
500
600
420
600
单位
V
V
V
A
I
FSM
200
125
A
V
F
I
R
I
R（高）
TRR
Cj
R
θJC
T
J
, T
英镑
0.95
10
500
35
85
1.2
1.3
1.5
V
A
A
最大反向恢复时间（注1 ）
在V典型结电容
R
= 4V ， F = 1MHz的
最大热阻，结到外壳
操作和储存温度范围
50
60
ns
pF
° C / W
°C
- 65至+ 150
注意事项：
（ 1 ）反向恢复测试条件：我
F
= 0.5A ，我
R
= 1A ; IRR = 0.25 A
（ 2 ）负CT加后缀"A"例如： FEP16ATA ， FEP16BTA ... FEP16JTA
第1页2
启示录03 ： 2006年5月13日
证书TH97 / 10561QM
证书TW00 / 17276EM
额定值和特性曲线（ FEP16AT FEP16JT ）
图1 - 正向电流
电流降额
24
300
T
J
TJ =最大值。
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC ）的方法
图2 - 最大非重复性
峰值正向浪涌电流
正向平均整流
当前，安培
峰值正向浪涌
当前，安培
0
25
50
75
100
125
150
175
20
250
16
200
12
150
8
100
4
50
0
0
1
2
4
6
10
20
40
60
100
外壳温度（
°
C)
循环次数在60Hz
图3 - 典型瞬时
正向特性
100
图。 4 - 典型的反向特性
100
FEP16AT - FEP16DT
FEP16FT - FEP16GT
正向
当前，安培
瞬时反向
当前，微安
T
J
= 100
°C
10
10
FEP16HT - FEP16JT
1
T
J
= 25
°C
脉冲宽度= 300
μs
1 ％占空比
1
T
J
= 25
°C
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.1
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0
20
40
60
80
100
120
140
正向
电压，伏
百分比额定峰值反向
电压， （ ％ ）
图。 5 - 典型结电容
结电容， pF的
1000
FEP16AT - FEP16GT
TJ = 25 C
F = 1.0 MHz的
VSIG = 50 MVP -P
100
FEP16HT - FEP16JT
10
0.1
1
10
100
反向电压，伏
第2页2
启示录03 ： 2006年5月13日
16A超快速
恢复二极管
FEP16AT
–
FEP16JT
16A超快速整流器
特点
玻璃钝化结
超快速的恢复时间，高压
低功耗，高效率
低正向电压，高电流能力
高浪涌电流能力
符合RoHS标准
TO-220
机械数据
案例：
环氧树脂：
终端：
极性：
MOUNTING
扭矩：
重量：
的TO-220 ，模制塑料
塑料包装已UL可燃性分类94V- 0
铅，每MIL -STD- 202方法208
由于标
最大10磅
0.08盎司， 2.24克
最大额定值和电气特性
(T
A
= 25°C除非另有说明）
符号
描述
最高重复
峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断
电压
最大平均
正向整流
当前
峰值正向浪涌
电流每LEG
FEP
16AT
50
35
50
FEP
16BT
100
70
100
FEP
16CT
150
105
150
FEP
16DT
200
140
200
16
FEP
16FT
300
210
300
FEP
16GT
400
280
400
FEP
16HT
500
350
500
FEP
16JT
600
420
600
单位
V
V
V
A
条件
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
T
C
=100C
8.3ms单半
正弦波
叠加
额定负荷（ JEDEC
法）
I
FSM
200
A
TAITRON零部件股份有限公司
www.taitroncomponents.com
联系电话：
传真：
（ 800 ） -TAITRON （ 800 ） -824-8766
（ 800 ） -TAITFAX （ 800 ） -824-8329
(661)-257-6060
(661)-257-6415
版本A / AH 2008-04-25
第1页5
16A超快速整流器
FEP16AT
–
FEP16JT
符号
描述
最大
瞬时
每腿正向电压
最大直流反接
电流在额定DC
阻断电压
典型的反向
每腿恢复时间
典型结
电容每支架
典型的热
阻力
每个结点到外壳
腿
工作结
储存温度
范围
FEP
16AT
FEP
16BT
FEP
16CT
FEP
16DT
FEP
16FT
FEP
16GT
FEP
16HT
FEP
16JT
单位
V
条件
I
F
=8.0A
T
C
=25° C
T
C
=100° C
50
85
60
nS
pF
I
F
= 0.5A ，我
R
=1A,
I
rr
=0.25A
V
R
= 4V ， F = 1MHz的
V
F
I
R
T
rr
C
J
R
thJC
T
J,
T
英镑
0.95
10
500
35
1.30
1.50
A
2.2
° C / W
-55到+150
°C
典型特性曲线
图1 -FORWARD电流降额曲线
图2 -Max的。非重复性峰值正向浪涌电流
每腿
峰值正向浪涌电流（ A）
外壳温度（ ° C）
正向平均整流电流
(A)
循环次数在60Hz
版本A / AH 2008-04-25
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页2的5
16A超快速整流器
FEP16AT
–
FEP16JT
FIG.3-典型正向特性
每腿
瞬时反向漏电流（ μA ）
图4 - 典型的反向特性
每腿
I
nstantaneous正向电流（ A）
正向电压（ V）
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
FIG.5-典型结电容每支架
结电容（pF ）
反向电压（ V）
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第3 5
16A超快速整流器
FEP16AT
–
FEP16JT
尺寸以英寸（毫米）
TO-220
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第4 5
16A超快速整流器
FEP16AT
–
FEP16JT
如何联系我们：
美国总部
28040西哈里森PARKAWAY ，瓦伦西亚，CA 91355-4162
联系电话： （ 800 ） TAITRON （ 800 ） 824-8766 （ 661 ） 257-6060
传真： （ 800 ） TAITFAX （ 800 ） 824-8329 （ 661 ） 257-6415
电子邮件：
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TAITRON组件墨西哥， S.A .DE C.V。
中央大道5000室内5 PARQUE工业ATITALAQUIA ，伊达尔戈CP
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电话： + 52-55-5560-1519
传真： + 52-55-5560-2190
TAITRON COMPONETS Incorporated电子REPRESENTAES DO BRASIL LTDA
RUA DOMINGOS DE MORAIS ， 2777 ， 2.ANDAR ， SALA 24 SADE - 圣保罗 - SP 04035-001 BRAZIL
电话： + 55-11-5574-7949
传真： + 55-11-5572-0052
TAITRON COMPONETS INCORPORATED上海代表处
首都银行大厦1160西延安路， SUITE 1503 ，上海， 200052 ，中国
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传真： + 86-21-5424-9931
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页5
FEP16A通FEP16J
无铅电镀产品
FEP16A通FEP16J
TO-220AB
.419(10.66)
.387(9.85)
.139(3.55)
民
Pb
16.0安培快速高效的塑料半桥式整流器
特点
玻璃钝化结
快速开关的高效率
低正向压降和高电流能力
低反向漏电流
高浪涌电流能力
应用
单位：英寸（毫米）
.196(5.00)
.163(4.16)
.054(1.39)
.045(1.15)
.269(6.85)
.226(5.75)
.624(15.87)
.50(12.7)MIN
机械数据
案例：模压塑料TO- 220AB散热器
环氧树脂： UL 94V- 0率阻燃
码头：每MIL -STD- 202焊接的
方法208
极性：对人体标示
安装位置：任意
重量： 2.03克
.038(0.96)
.019(0.50)
.177(4.5)MAX
汽车环境|直流电机控制
电镀电源| UPS |逆变器
汽车功放和音响设备系统等。
.548(13.93)
.025(0.65)MAX
.1(2.54)
.1(2.54)
例
例
例
CT阳性
共阴极
后缀"T"
CT阴性
共阳极
后缀"TA"
倍
串联
后缀"TD"
最大额定值和电气特性
等级25
o
C
环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
共阴极后缀"T"
共阳极后缀"TA"
阳极和阴极共存后缀"TD"
FEP16AT FEP16BT
FEP16DT FEP16FT
FEP16GT
FEP16JT
符号
FEP16ATA FEP16BTA FEP16DTA FEP16FTA FEP16GTA FEP16JTA
单位
FEP16ATD FEP16BTD FEP16DTD FEP16FTD FEP16GTD FEP16JTD
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流网络版
电流T
C
=100
C
峰值正向浪涌电流， 8.3ms单
半正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法）
最大正向电压
@ 8.0 A
反向电流最大DC @T
J
=25
C
在额定阻断电压DC @T
J
=125
C
最大反向恢复时间（注1 ）
典型结电容（注2 ）
典型热阻（注3 ）
工作结存储
温度范围
o
o
o
V
RRM
V
RMS
V
DC
IF
（AV）
50
35
50
100
70
100
200
140
200
16.0
300
210
300
400
280
400
600
420
600
V
V
V
A
I
FSM
175
150
A
V
F
0.98
10.0
250
35
90
2.2
-55到+ 150
1.3
1.7
V
uA
uA
nS
pF
o
I
R
TRR
C
J
R
JC
T
J
, T
英镑
CW
o
C
注： （ 1 ）反向恢复测试条件IF = 0.5A ， I = 1.0A ， IRR = 0.25A 。
R
（ 2 ）测得1.0 MHz和应用4.0伏特的直流反向电压。
（ 3 ）热阻结到管壳。
第1/2页
2006 Thinki半导体有限公司。
http://www.thinkisemi.com/
FEP16A通FEP16J
图1 - 正向电流降额曲线
16
图2 - 最大非重复性
峰值正向浪涌电流
200
峰值正向浪涌电流，
安培
正向平均整流
当前，安培
13
175
150
125
100
75
50
25
0
脉宽8.3ms的
单半陛下波
（ JEDEC的方法）
10
8
6
4
60赫兹电阻或
感性负载
0
0
50
100
o
150
1
10
100
外壳温度，C
循环次数在60Hz
图3 - 典型瞬时
正向特性
IINSTANTANEOUS正向电流，
安培
10
图4 - 典型的反向特性
1000
FEP16A-FEP16D
瞬时反向电流，
微安
FEP16F-FEP16G
100
T
J
=125 C
o
1.0
FEP16J
10
T
J
=25 C
1
o
0.1
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
T
J
=25 C
脉冲宽度= 300US
1 ％占空比
1.0
1.2
1.4
1.6
o
0.1
0
20
40
60
80
100
正向电压，
伏
百分之额定峰值反向电压， ％
图5 - 典型结电容
1000
结电容， pF的
T
J
= 25 C
F = 1.0 MHz的
VSIG = 50mVp -P
o
100
10
0.1
1.0
4.0
10
100
反向电压，伏
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