L
OW
N
OISE
, H
室内运动场
L
INEARITY
P
包装运输
PHEMTT
PERFORMANCE （ 1850兆赫）
27 dBm的输出功率（P
1dB
)
18分贝小信号增益（ SSG）的
1.2分贝噪声系数
42 dBm的输出IP3
45％的功率附加效率
提供评估板
拥有无铅完成包装
FPD1500DFN
说明与应用
该FPD1500DFN是一个打包的耗尽型铝镓砷/铟镓砷伪形态高电子
迁移率晶体管（ pHEMT制） 。它采用0.25
μm
x 1500
μm
肖特基势垒门，被定义
高分辨率步进基于光刻法。凹陷和偏移栅结构最小化
寄生参数来优化性能，设计与改进的线性过的外延结构
范围的偏置条件和输入功率电平。该FPD1500DFN裸片形式和使用
其他包。
典型的应用包括在PCS驱动程序或输出级/蜂窝基站的高intercept-
点的LNA ， WLL和WLAN系统，和其他类型的无线基础设施系统。
电气特性在22℃下
参数
功率1分贝增益压缩
小信号增益
功率附加英法fi效率
噪声系数
输出三阶截取点
（从下面P 15 5分贝
1dB
)
符号
P
1dB
SSG
PAE
NF
IP3
测试条件
V
DS
= 5 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 5 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 5 V ;我
DS
= 50% I
DSS
;
P
OUT
= P
1dB
V
DS
= 5 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 5V ;我
DS
= 50% I
DSS
匹配的最佳动力
匹配最佳IP3
饱和漏源电流
最大漏源电流
跨
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿电压
栅极 - 漏极击穿电压
I
DSS
I
最大
G
M
I
GSO
|V
P
|
|V
BDGS
|
|V
BDGD
|
V
DS
= 1.3 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 1.3 V; V
GS
+1 V
V
DS
= 1.3 V; V
GS
= 0 V
V
GS
= -5 V
V
DS
= 1.3 V ;我
DS
= 1.5毫安
I
GS
= 1.5毫安
I
GD
= 1.5毫安
0.7
12
12
375
40
42
465
750
400
1
0.9
18
18
15
1.3
550
mA
mA
mS
μA
V
V
V
DBM
民
典型值
27
18
45
1.2
最大
单位
DBM
dB
%
dB
射频指标测量
f
= 1850 MHz的使用CW信号
电话：
+1 408 850-5790
传真：
+1 408 850-5766
http://www.filtronic.co.uk/semis
修改后：
11/14/05
电子邮件：
sales@filcsi.com
L
OW
N
OISE
, H
室内运动场
L
INEARITY
P
包装运输
PHEMTT
绝对最大额定值
1
参数
漏源电压
栅源电压
漏 - 源电流
栅电流
RF输入功率
2
通道工作温度
储存温度
总功耗
增益压缩
符号
V
DS
V
GS
I
DS
I
G
P
IN
T
CH
T
英镑
P
合计
比较。
测试条件
-3V < V
GS
< + 0V
0V ＆ LT ; V
DS
< + 8V
对于V
DS
＆ GT ; 2V
正向或反向电流
在任何可以接受的偏置状态
在任何可以接受的偏置状态
非工作存储
请参阅下面的降额注
在任何偏置条件
-40
民
最大
8
-3
I
DSS
15
350
175
150
2.2
5
单位
V
V
mA
mA
mW
C
C
W
dB
%
FPD1500DFN
限制同时结合
3
2个或更多最大值。范围
80
1
2
T
环境
= 22 ° C除非另有说明
马克斯。 1 ： RF输入限制，如果必须输入VSWR > 2.5进一步限制
3
用户应避免超过80 ％的2个或更多同时限制
注意事项：
超过绝对最大额定值的工作条件将导致器件的永久性损坏。
定义为总功耗：P
合计
≡
(P
DC
+ P
IN
) – P
OUT
，其中：
P
DC
：直流偏置电源
P
IN
： RF输入功率
P
OUT
：射频输出功率
总功耗要降额，符合上述22 ° C：
P
合计
= 2.2W - （ 0.0167W / ° C） x深
PACK
其中T
PACK
=
源极引脚温度高于22
°
C
（降额式的系数是热导率）
例如：对于一个65 ° C源铅温度：P
合计
= 2.2W - （ 0.0167 ×（ 65 - 22 ） ） = 1.48W
在封装的底面露出的散热片的正下方使用一个填充通孔的强烈
建议提供适当的热管理。理想的是，电路板的底面是
固定到散热片或热辐射。
操作注意事项
为避免对设备造成损坏应小心处理期间行使。适当的静电
放电（ESD ）预防措施应储存的各个阶段进行观察，搬运，装配和
测试。这些设备应被视为按ESD - STM5.1-1998 1A级，人体模式。
在ESD控制措施的更多信息可以在MIL -STD- 1686和MIL -HDBK -263被发现。
应用说明&设计数据
应用笔记，可以从当地的费尔多尼克销售代表或直接从
工厂。完整的设计数据，包括S参数，噪声数据，信号和大信号模型
可在费尔多尼克网站。评估板可应要求提供。
电话：
+1 408 850-5790
传真：
+1 408 850-5766
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修改后：
11/14/05
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L
OW
N
OISE
, H
室内运动场
L
INEARITY
P
包装运输
PHEMTT
FPD1500DFN
偏置指南
有源偏置电路提供良好的性能稳定性上运行的变化
温度，但是需要的组件相比，自偏压或双偏置的更大的数字。
这种电路应包括以下条款，以确保栅偏置漏偏前申请，
否则的pHEMT可被诱导以自振荡。请联系您的销售代表
附加信息。
双偏置电路实现起来比较简单，但需要调节的负
电压源为耗尽型器件，如FPD1500DFN 。
对于标准的A类操作，我50 ％
DSS
推荐偏置点。少量
在压缩之前的发作RF增益扩张是正常的，这个工作点。注意
pHEMTs ，因为它们是“准E / D模式”器件，显示出AB类性状在操作时
我50 ％
DSS
。为了实现P之间的间隔较大
1dB
和IP3 ，在25％的工作点
到第I 33％
DSS
范围被建议。这样的AB类操作不会降低IP3
性能。
包装外形
（单位：mm ）
改变所有的信息和规格，恕不另行通知。
电话：
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, H
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INEARITY
P
包装运输
PHEMTT
PCB足迹
FPD1500DFN
典型的I -V特性
直流IV曲线FPD1500SOT89
0.60
0.50
漏源电流（A ）
0.40
0.30
0.20
VG=-1.5V
VG-1.25V
VG=-1.00V
VG=-0.75V
VG=-0.5V
VG=-0.25V
VG=0V
0.10
0.00
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
漏源极电压（ V）
电话：
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P
包装运输
PHEMTT
FPD1500DFN
注意：测量我的推荐方法
DSS
或任何特定本人
DS
，是设置漏源
电压（V
DS
） ，在1.3V 。该测定点避免寄生自激振荡的发生而
通常会扭曲电流测量（该效果已被过滤的IV曲线
上面介绍） 。设置V
DS
> 1.3V通常会导致错误的测量电流，
即使在稳定电路。
建议：传统设备的I
DSS
评级（我
DS
在V
GS
= 0V ）作为一个预测器
RF功率，而对于MESFET的有我之间的相关性
DSS
和P
1dB
（功率增益1分贝
压缩）。对于pHEMTs它可以证明有
no
有意义的统计相关性
我的
DSS
和P
1dB
;具体的线性回归分析显示为R
2
< 0.7 ，回归
失败的F统计检验。我
DSS
是有时以电路调谐的引导是有用的，因为在S
22
没有变化
与静态工作点我
DS
.
电话：
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FPD1500DFN
L
OW
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H
室内运动场
L
INEARITY
P
包装运输P
HEMT
F
EATURES
(1850MH
Z
):
27 dBm的输出功率（ P1dB为）
18分贝小信号增益（ SSG）的
1.2分贝噪声系数
42 dBm的输出IP3
45％的功率附加效率
数据手册V3.0
P
ACKAGE
:
RoHS指令
FPD1500DFN - 符合RoHS标准
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
:
该FPD1500DFN是封装耗尽
模式的AlGaAs /砷化铟镓假晶高
电子迁移率晶体管（ pHEMT制） 。它
采用了0.25微米× 750微米的肖特基势垒
门，通过高分辨率的定义stepper-
基于光刻。凹陷和
偏置栅结构最大限度地减少寄生效应，
优化性能，以外延
结构设计以提高线性度
的范围内的偏置条件和输入功率
的水平。
T
YPICAL
A
PPLICATIONS
:
在PCS驱动程序或输出级/蜂窝
基站发射机放大器
高拦截点低噪声放大器
WLL和WLAN系统和其它类型的
无线基础设施系统。
E
LECTRICAL
S
PECIFICATIONS
:
P
ARAMETER
功率1分贝增益压缩
小信号增益
S
YMBOL
P1dB
SSG
C
ONDITIONS
VDS = 5 V ; IDS = 50 ％ IDSS
VDS = 5 V ; IDS = 50 ％ IDSS
M
IN
26
16.0
T
YP
27
18
M
AX
U
尼特
DBM
dB
功率附加英法fi效率
PAE
VDS = 5 V ; IDS = 50％的智能决策支持系统;
POUT =的P1dB
45
%
噪声系数
输出三阶截取点
（从15 5 dB以下的P1dB ）
NF
IP3
VDS = 5 V ; IDS = 50 ％ IDSS
VDS = 5V ; IDS = 50 ％ IDSS
匹配的最佳动力
匹配最佳IP3
1.2
dB
40
42
375
465
750
400
1
0.7
12
12
0.9
16
16
15
1.3
550
DBM
饱和漏源电流
最大漏源电流
跨
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿电压
栅极 - 漏极击穿电压
IDSS
IMAX
GM
IGSO
| VP |
| VBDGS |
| VBDGD |
VDS = 1.3 V ; VGS = 0 V
VDS = 1.3 V ; VGS
+1 V
VDS = 1.3 V ; VGS = 0 V
VGS = -5V
VDS = 1.3 V ; IDS = 1.5毫安
IGS = 1.5毫安
IGD = 1.5毫安
mA
mA
mS
A
V
V
V
注：t
环境
= 22 ° ;在f = 1850 MHz的使用CW信号的RF测量规范（特别注明的除外）
1
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
费尔多尼克化合物半导体有限公司
传真： +44 （ 0 ） 1325 306177
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www.filtronic.com
FPD1500DFN
数据手册V3.0
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
阿婷
1
:
P
ARAMETER
漏源电压
栅源电压
漏 - 源电流
栅电流
2
RF输入功率
通道工作温度
储存温度
总功耗
增益压缩
3
限制同时结合
2个或更多最大值。范围
针
总胆固醇
TSTG
P合计
比较。
在任何可以接受的偏置状态
在任何可以接受的偏置状态
非工作存储
请参阅下面的降额注
在任何偏置条件
350mW
175°C
-55 ° C至150℃
2.2W
5dB
S
YMBOL
VDS
VGS
IDS
IG
T
美东时间
C
ONDITIONS
-3V < VGS < + 0V
0V < VDS < + 8V
对于VDS > 2V
正向或反向电流
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
8V
-3V
IDSS
15mA
注意事项：
1
T
环境
= 22 ° C除非另有说明;超过这些绝对最大额定值的任何一个可能会导致
对设备造成永久性损坏
2
马克斯。 1 ： RF输入限制，如果必须输入VSWR > 2.5进一步限制
3
用户应避免超过80 ％的2个或更多同时限制
4
定义为总功耗：P
合计
≡
(P
DC
+ P
IN
) – P
OUT
,
其中，P
DC
：直流偏置电源，P
IN
： RF输入功率，P
OUT
：射频输出功率
总功耗要降额，符合上述22 ° C：
P
合计
= 2.2 - （ 0.0167W / ° C） x深
PACK
其中T
PACK
=源标签铅温度高于22°C
（降额式的系数是热导率）
例如：对于一个65 ℃的温度载体：P
合计
= 2.2W - （ 0.0167 ×（ 65 - 22 ） ） = 1.48W
5
在封装的底面露出的散热片的正下方使用一个填充通孔的强烈
建议提供适当的热管理。理想的是，电路板的底部被固定到一个
散热片或散热器热
B
IASING
G
UIDELINES
:
有源偏置电路提供良好的性能稳定性上运行的变化
温度，但是需要的组件相比，自偏压或双偏置的更大的数字。
这种电路应包括以下条款，以确保栅偏置漏偏前申请，
否则的pHEMT可被诱导以自振荡
双偏置电路实现起来比较简单，但需要调节的负电压
供应耗尽型器件。
对于标准的A类操作， IDSS偏置点的50％的建议。少量
在压缩之前的发作RF增益扩张是正常的，这个工作点。注意
pHEMTs ，因为它们是“准E / D模式”器件，显示出AB类的性状，在50 ％时，操作
的智能决策支持系统。实现的P1dB和IP3 ，在25％的工作点之间的一个较大的分离
的IDSS范围33 ％的建议。这样的AB类操作不会降低IP3性能。
2
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
费尔多尼克化合物半导体有限公司
传真： +44 （ 0 ） 1325 306177
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FPD1500DFN
数据手册V3.0
T
YPICAL
T
联联
RF P
ERFORMANCE
:
FPD1500DFN偏@ VD = 5V ID = 50 ％ IDSS
35
味精
FPD1500DFN偏@ VD = 5V ， ID = 50 ％ IDSS
1.5
S21
30
1.25
噪声Fugure （ dB）的
1
0.75
0.5
0.25
0
味精
MAG S21
＆放大器;
25
20
15
10
5
0
0.4
1.4
2.4
3.4
4.4
5.4 6.4 7.4
频率（GHz ）
8.4
9.4
10.4 11.4 12
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
频率（GHz ）
4.5
5
5.5
6
偏见@ 5V ， 50 ％ IDSS
在1.85GHz采取评估板数据
21.0
20.0
SSG （ dB）的
偏见@ 5V ， 33 ％ IDSS
在评估和演示板@ 1.85GHz采取数据
32.0
31.0
30.0
29.0
28.0
27.0
26.0
25.0
24.0
23.0
22.0
1.90
噪声系数（dB ）
1.60
1.30
1.00
0.70
0.40
N.F.
（ dB）的
18.0
17.0
16.0
15.0
SSG
（ dB）的
P1dB的（ DBM）
P1dB的（ DBM）
19.0
-20
-10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
65%
-20
-10
温度（℃）
温度（℃）
B
IAS
R
反应的影响
:
增益&的P1dB VS Vd的拍摄@ IDS = 50 ％ IDSS
18.0
17.0
16.0
32.0
30.0
28.0
26.0
24.0
22.0
20.0
18.0
获得&的P1dB VS ％ IDSS两者@ VD = 5V
18.0
17.0
P1dB的（ DBM）
30.0
28.0
26.0
P1dB的（ DBM）
SSG （ dB）的
SSG （ dB）的
16.0
15.0
14.0
13.0
12.0
15.0
14.0
13.0
12.0
24.0
SSG
（ dB）的
P1dB的（ DBM）
16.0
14.0
12.0
10.0
SSG （ dB）的
P1dB的（ DBM）
22.0
20.0
15%
25%
35%
45%
VD （ V）
IDSS ％
3
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55%
2.00
2.50
3.00
3.50
4.00
4.50
5.00
5.50
6.00
6.50
7.00
7.50
8.00
90
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
FPD1500DFN
数据手册V3.0
T
YPICAL
O
安输出
P
车道
C
ONTOURS
（ VDS = 5V ， IDS = 50 ％ IDSS ） ：
FPD1500DFN功率等高线900MHz的
0.
6
0.
4
0.
8
1.
0
2.
0
3.
0
4.
0
5.
0
10.
0
0
0.
2
0.
4
0.
6
0.
8
1.
0
2.
0
3. 4. 5.
0 0 0
10
.0
SWP最大
114
0.
2
28dBm
27dBm
-
0 2
10 0
21dBm
-
26dBm
25dBm
24dBm
-
0 4
-
0.
-
0.
-
1.
-
2.
22dBm
-
-
23dBm
5 0
4 0
-
3 0
SWP敏
1
FPD1500DFN功率等高线1850MHz
0.
8
0.
6
0.4
3.0
4.0
5.0
0.2
10.0
1.
0
2.
0
SWP最大
159
0
0.
2
28dBm
0.
4
0.
6
0.
8
1.
0
2.
0
3. 4. 5.
0 0
0
10
.0
27dBm
-10.0
26dBm
-0.2
21dBm
-5.0
22dBm
-4.0
25dBm
23dBm
-3.0
-0.4
-
2.
0
-
0.
8
-
1.
0
-
0.
6
SWP敏
1
4
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FPD1500DFN
数据手册V3.0
T
YPICAL
我-V
极特
:
直流IV曲线FPD750SOT89
直流IV曲线FPD1500DFN
0.30
0.25
漏源电流（A ）
0.20
0.15
0.10
VG=-1.50
VG=-1.25V
VG=-1.00V
VG=-0.75V
VG=-0.50V
VG=-0.25V
VG=0V
0.05
0.00
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
漏源极电压（ V）
注意：测量我的推荐方法
DSS
或任何特定本人
DS
，是设置漏源电压（V
DS
)
在1.3V 。该测定点避免了发病寄生自激振荡的，这通常扭曲
电流测量（该效果已被过滤的，从上面给出的IV曲线） 。设置V
DS
> 1.3V
通常会导致在当前测量中的误差，即使在稳定化电路。
建议：传统设备的I
DSS
评级（我
DS
在V
GS
= 0V ）作为射频功率的预测值，并
对于MESFET的有我之间的相关性
DSS
和P
1dB
（功率1分贝增益压缩） 。对于pHEMTs它可以
显示有
no
我的有意义的统计相关性
DSS
和P
1dB
;具体的线性回归
分析显示为R
2
< 0.7 ，回归失败的F统计检验。我
DSS
有时为电路中的导有用
调谐，因为S
22
不随静态工作点我
DS
.
5
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FPD1500DFN
L
OW
N
OISE
H
室内运动场
L
INEARITY
P
包装运输P
HEMT
F
EATURES
(1850MH
Z
):
27 dBm的输出功率（ P1dB为）
18分贝小信号增益（ SSG）的
1.2分贝噪声系数
42 dBm的输出IP3
45％的功率附加效率
符合RoHS指令（指令2002/95 / EC ）
数据手册V2.1
P
ACKAGE
:
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
:
该FPD1500DFN是封装耗尽
模式的AlGaAs /砷化铟镓假晶高
电子迁移率晶体管（ pHEMT制） 。它
采用了0.25微米× 750微米的肖特基势垒
门，通过高分辨率的定义stepper-
基于光刻。凹陷和
偏置栅结构最大限度地减少寄生效应，
优化性能，以外延
结构设计以提高线性度
的范围内的偏置条件和输入功率
的水平。
T
YPICAL
A
PPLICATIONS
:
在PCS驱动程序或输出级/蜂窝
基站发射机放大器
高拦截点低噪声放大器
WLL和WLAN系统和其它类型的
无线基础设施系统。
E
LECTRICAL
S
PECIFICATIONS
:
P
ARAMETER
功率1分贝增益压缩
小信号增益
S
YMBOL
P1dB
SSG
C
ONDITIONS
VDS = 5 V ; IDS = 50 ％ IDSS
VDS = 5 V ; IDS = 50 ％ IDSS
M
IN
T
YP
27
18
M
AX
U
尼特
DBM
dB
功率附加英法fi效率
PAE
VDS = 5 V ; IDS = 50％的智能决策支持系统;
POUT =的P1dB
45
%
噪声系数
输出三阶截取点
（从15 5 dB以下的P1dB ）
NF
IP3
VDS = 5 V ; IDS = 50 ％ IDSS
VDS = 5V ; IDS = 50 ％ IDSS
匹配的最佳动力
匹配最佳IP3
1.2
dB
40
42
375
465
750
400
1
0.7
12
12
0.9
16
16
15
1.3
550
DBM
饱和漏源电流
最大漏源电流
跨
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿电压
栅极 - 漏极击穿电压
IDSS
IMAX
GM
IGSO
| VP |
| VBDGS |
| VBDGD |
VDS = 1.3 V ; VGS = 0 V
VDS = 1.3 V ; VGS
+1 V
VDS = 1.3 V ; VGS = 0 V
VGS = -5V
VDS = 1.3 V ; IDS = 1.5毫安
IGS = 1.5毫安
IGD = 1.5毫安
mA
mA
mS
μA
V
V
V
注：t
环境
= 22 ° ;在f = 1850 MHz的使用CW信号的RF测量规范（特别注明的除外）
1
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FPD1500DFN
数据手册V2.1
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
阿婷
1
:
P
ARAMETER
漏源电压
栅源电压
漏 - 源电流
栅电流
2
RF输入功率
通道工作温度
储存温度
总功耗
增益压缩
3
限制同时结合
2个或更多最大值。范围
针
总胆固醇
TSTG
P合计
比较。
在任何可以接受的偏置状态
在任何可以接受的偏置状态
非工作存储
请参阅下面的降额注
在任何偏置条件
350mW
175°C
-40 ° C至150℃
2.2W
5dB
S
YMBOL
VDS
VGS
IDS
IG
T
美东时间
C
ONDITIONS
-3V < VGS < + 0V
0V < VDS < + 8V
对于VDS > 2V
正向或反向电流
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
8V
-3V
IDSS
15mA
注意事项：
1
T
环境
= 22 ° C除非另有说明;超过这些绝对最大额定值的任何一个可能会导致
对设备造成永久性损坏
2
马克斯。 1 ： RF输入限制，如果必须输入VSWR > 2.5进一步限制
3
用户应避免超过80 ％的2个或更多同时限制
4
定义为总功耗：P
合计
≡
(P
DC
+ P
IN
) – P
OUT
,
其中，P
DC
：直流偏置电源，P
IN
： RF输入功率，P
OUT
：射频输出功率
总功耗要降额，符合上述22 ° C：
P
合计
= 2.2 - （ 0.0167W / ° C） x深
PACK
其中T
PACK
=源标签铅温度高于22°C
（降额式的系数是热导率）
例如：对于一个65 ℃的温度载体：P
合计
= 2.2W - （ 0.0167 ×（ 65 - 22 ） ） = 1.48mW
5
在封装的底面露出的散热片的正下方使用一个填充通孔的强烈
建议提供适当的热管理。理想的是，电路板的底部被固定到一个
散热片或散热器热
B
IASING
G
UIDELINES
:
有源偏置电路提供良好的性能稳定性上运行的变化
温度，但是需要的组件相比，自偏压或双偏置的更大的数字。
这种电路应包括以下条款，以确保栅偏置漏偏前申请，
否则的pHEMT可被诱导以自振荡
双偏置电路实现起来比较简单，但需要调节的负电压
供应耗尽型器件。
对于标准的A类操作， IDSS偏置点的50％的建议。少量
在压缩之前的发作RF增益扩张是正常的，这个工作点。注意
pHEMTs ，因为它们是“准E / D模式”器件，显示出AB类的性状，在50 ％时，操作
的智能决策支持系统。实现的P1dB和IP3 ，在25％的工作点之间的一个较大的分离
的IDSS范围33 ％的建议。这样的AB类操作不会降低IP3性能。
2
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FPD1500DFN
数据手册V2.1
T
YPICAL
T
联联
RF P
ERFORMANCE
:
FPD1500DFN偏@ VD = 5V ID = 50 ％ IDSS
35
味精
FPD1500DFN偏@ VD = 5V ， ID = 50 ％ IDSS
1.5
S21
30
1.25
噪声Fugure （ dB）的
1
0.75
0.5
0.25
0
味精
MAG S21
＆放大器;
25
20
15
10
5
0
0.4
1.4
2.4
3.4
4.4
5.4 6.4 7.4
频率（GHz ）
8.4
9.4
10.4 11.4 12
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
频率（GHz ）
4.5
5
5.5
6
偏见@ 5V ， 50 ％ IDSS
在1.85GHz采取评估板数据
21.0
20.0
SSG （ dB）的
偏见@ 5V ， 33 ％ IDSS
在评估和演示板@ 1.85GHz采取数据
32.0
31.0
30.0
29.0
28.0
27.0
26.0
25.0
24.0
23.0
22.0
1.90
噪声系数（dB ）
1.60
1.30
1.00
0.70
0.40
-20
-10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
65%
温度（℃）
N.F.
（ dB）的
18.0
17.0
16.0
15.0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
-20
-10
90
SSG
（ dB）的
P1dB的（ DBM）
P1dB的（ DBM）
19.0
温度（℃）
B
IAS
R
反应的影响
:
增益&的P1dB VS Vd的拍摄@ IDS = 50 ％ IDSS
18.0
17.0
16.0
SSG （ dB）的
15.0
14.0
13.0
12.0
2.00
2.50
3.00
3.50
4.00
4.50
5.00
5.50
6.00
6.50
7.00
7.50
8.00
32.0
30.0
28.0
26.0
24.0
22.0
20.0
18.0
P1dB的（ DBM）
获得&的P1dB VS ％ IDSS两者@ VD = 5V
18.0
17.0
SSG （ dB）的
30.0
28.0
26.0
P1dB的（ DBM）
16.0
15.0
14.0
13.0
12.0
15%
25%
35%
45%
55%
24.0
SSG
（ dB）的
P1dB的（ DBM）
16.0
14.0
12.0
10.0
SSG （ dB）的
P1dB的（ DBM）
22.0
20.0
VD （ V）
IDSS ％
3
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90
FPD1500DFN
数据手册V2.1
T
YPICAL
O
安输出
P
车道
C
ONTOURS
（ VDS = 5V ， IDS = 50 ％ IDSS ） ：
FPD1500DFN电源CONTUORS 900MHz的
1.0
0. 6
SWP最大
114
2.
0
0.8
0.
4
0
3.
4.0
5 .0
0.2
10.0
28dBm
21dBm
23dBm
-3
.0
-0
.4
-0.
6
.0
-2
SWP敏
1
-0.8
FPD1500DFN电源CONTUORS 1850MHz
1.0
0.6
-1.0
SWP最大
159
2.
0
0.8
3 .0
4. 0
5.0
0.2
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
27dBm
26dBm
- 0.2
5.0
0
10.0
28dBm
21dBm
22dBm
23dBm
-3
.0
.4
-0
-0.
6
.0
-2
SWP敏
1
- 0.8
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-1.0
4
-5.0
- 4.
0
25dBm
24dBm
-10.0
- 5. 0
- 0.2
-4 .
0
26dBm
25dBm
24dBm
22dBm
10.0
-10 .0
27dBm
10.0
1.0
0.2
0.4
0.6
0.8
2.0
3.0
4.0
5.0
0
0.
4
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FPD1500DFN
数据手册V2.1
T
YPICAL
我-V
极特
:
直流IV曲线FPD750SOT89
0.30
0.25
漏源电流（A ）
0.20
0.15
0.10
VG=-1.50
VG=-1.25V
VG=-1.00V
VG=-0.75V
VG=-0.50V
VG=-0.25V
VG=0V
注：用于测量的推荐方法
I
DSS
或任何特定本人
DS
，是设置漏源
电压（V
DS
） ，在1.3V 。该测量点
避免了寄生自激振荡的发生而
通常会扭曲电流测量
（这种效应已经被过滤的IV曲线
上面介绍） 。设置V
DS
> 1.3V会
通常
原因
错误
in
该
当前
的测量，即使在稳定化电路。
建议：传统设备的I
DSS
评级（我
DS
在V
GS
= 0V ）作为一个预测器
RF功率，而对于MESFET的是有相关性
我的
DSS
和P
1dB
（功率增益1分贝
压缩）。对于pHEMTs它可以表明
有
no
有意义的统计相关性
我的
DSS
和P
1dB
;特别是线性
回归分析显示为R
2
< 0.7 ，并且
回归失败的F统计检验。
I
DSS
is
有时为指导，以电路调整，因为有用
在S
22
不会随静态工作
点我
DS
.
0.05
0.00
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
漏源极电压（ V）
5
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