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FDMA507PZ单P沟道PowerTrench

MOSFET

2010年5月

FDMA507PZ

单P沟道PowerTrench

MOSFET

-20 V， -7.8 A， 24毫欧

特点

最大

DS （ ON）

= 24毫欧，在V

= -5 V，I

= -7.8 A

最大

DS （ ON）

= 25毫欧，在V

= -4.5 V，I

= -7 A

最大

DS （ ON）

= 35毫欧，在V

= -2.5 V，I

= -5.5 A

最大

DS （ ON）

= 45毫欧，在V

= -1.8 V，I

= -4 A

薄型 - 0.8 mm最大 - 在包装的MicroFET

2×2毫米

HBM ESD保护等级> 3.2KV典型（注3 ）

不含卤素化合物和氧化锑

符合RoHS

概述

该器件用于电池充电和负载而设计

开关在蜂窝手机和其他超便携应用。

它具有低导通电阻体育场的MOSFET 。

这些新产品的2x2封装提供卓越的热

性能比较其物理尺寸，并适用于线性模式

应用程序。

MOSFET的最大额定值

= 25 C ，除非另有说明

符号

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

-Continuous

-Pulsed

, T

英镑

功耗

= 25 °C

（注1A ）

（注1B ）

= 25 °C

（注1A ）

参数

评级

-20

±8

-7.8

-24

2.4

0.9

-55到+150

单位

°C

工作和存储结温范围

热特性

θJA

热阻，结到环境

（注1A ）

（注1B ）

145

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

507

设备

FDMA507PZ

包

2×2的MicroFET

带尺寸

7 ’’

胶带宽度

12 mm

QUANTITY

3000台

2010仙童半导体公司

FDMA507PZ Rev.C

www.fairchildsemi.com

FDMA507PZ单P沟道PowerTrench

MOSFET

电气特性

= 25 C ，除非另有说明

符号

参数

测试条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

DSS

ΔBV

DSS

GSS

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

= -250

= 0 V

= -250

参考25 ℃下

= -16 V, V

= 0 V

= ±8 V, V

= 0 V

-20

-12

-1

±10

毫伏/°C的

基本特征

GS （ TH）

门源阈值电压

温度COEF网络cient

= V

, I

= -250

参考25 ℃下

= -5 V，I

= -7.8 A

= -4.5 V，I

= -7 A

DS （ ON）

漏极至源极导通电阻

= -2.5 V，I

= -5.5 A

= -1.8 V，I

= -4 A

= -5 V，I

= -7.8 A，T

= 125 °C

正向跨导

= -5 V，I

= -7.8 A

-0.4

-0.5

-1.5

毫伏/°C的

动态特性

国际空间站

OSS

RSS

输入电容

输出电容

反向传输电容

= -10 V, V

= 0 V,

F = 1 MHz的

1515

265

240

2015

355

360

开关特性

D（上）

D（关闭）

G（ TOT ）

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源栅极电荷

栅漏“米勒”充电

= -10 V，I

= -7.8 A

= -5 V

= -10 V，I

= -7.8 A

= -5 V ，R

根

= 6

6.4

192

7.5

307

154

漏源二极管的特性

源极到漏极二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

= 0 V，I

= -2.0 A

（注2 ）

-0.6

-1.2

106

= -7.8 A， di / dt的= 100 A / μs的

注意事项：

1. R

θJA

与安装在一个1的设备中确定

垫2盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。

θJC

由设计而

= CA

由下式确定

用户的电路板设计。

一。安装在52 ° C / W

在A 1

垫2盎司纯铜。

B 。安装在一个时145℃ / W的

2盎司纯铜最小焊盘。

2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％。

3.连接在栅极和源极之间的二极管只作为防止静电放电。没门过电压等级是不言而喻的。

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FDMA507PZ单P沟道PowerTrench

MOSFET

典型特征

= 25 C ，除非另有说明

-I

，漏电流（ A）

= -4.5 V

= -3 V

= -2.5 V

2.5

归

漏极至源极导通电阻

= -5 V

脉冲持续时间= 80

占空比= 0.5 ％ MAX

2.0

= -1.8 V

1.5

= -2.5 V

= -1.8 V

脉冲持续时间= 80

占空比= 0.5 ％ MAX

1.0

= -3 V

= -4.5 V

= -5 V

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

-V

，漏源极电压（ V）

0.5

-I

，漏电流（ A）

图1.地区特点

图2.归一导通电阻

VS漏极电流和栅极电压

160

DS （ ON）

，沥去

源导通电阻

(

)

归

漏极至源极导通电阻

1.6

= -7.8 A

= -5 V

= - 7.8 A

脉冲持续时间= 80

占空比= 0.5 ％ MAX

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

-75

120

= 125

= 25

-50

-25

25 50 75 100 125 150

，结温

(

)

-V

，门源电压（ V）

图3.归一导通电阻

VS结温

，反向漏电流（ A）

图4.导通电阻与栅极到

源极电压

= 150

= 25

= -55

脉冲持续时间= 80

占空比= 0.5 ％ MAX

= 0 V

-I

，漏电流（ A）

= -5 V

= 150

= 25

0.1

= -55

0.01

0.5

1.0

1.5

-V

，门源电压（ V）

2.0

0.001

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

-V

，体二极管正向电压（ V）

1.2

图5.传输特性

图6.源极到漏极二极管

正向电压随电流源

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FDMA507PZ单P沟道PowerTrench

MOSFET

典型特征

= 25 C ，除非另有说明

-V

，门源电压（ V）

= -7.8 V

10000

= -8 V

电容（pF）

国际空间站

= -10 V

1000

OSS

F = 1 MHz的

= 0 V

= -12 V

RSS

100

0.1

，栅极电荷（ NC）

-V

，漏源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.电容VS漏

至源极电压

-I

栅极漏电流（ A）

-1

-2

-3

-4

-5

-6

-7

-8

-9

= 0 V

-I

，漏电流（ A）

100美

1毫秒

= 125

这个区域是

limitedby

DS （ ON）

10毫秒

100毫秒

10 s

0.1

单脉冲

TJ =最大额定

= 145

C / W

TA = 25

= 25

-10

0.01

0.1

-V

GS ，

门源电压（ V）

-V

，漏源极电压（ V）

图9.栅极漏电流与门极

源极电压

1000

(

)

，瞬态峰值功率（ W）

图10.正向偏置安全

工作区

单脉冲

= 145

C / W

100

= 25 C

0.5

-4

-3

-2

T，脉冲宽度（秒）

-1

100

1000

图11.单脉冲最大功率耗散

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MOSFET

典型特征

= 25 C ，除非另有说明

占空比，降序排列

归热

阻抗Z

0.1

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

= 145℃ / W

注意事项：

DUTY因子：D = T

PEAK牛逼

= P

X Z

θJA

个R

θJA

+ T

-1

0.001

-4

-3

-2

吨，矩形脉冲持续时间（秒）

100

1000

图12.结至环境瞬态热响应曲线

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