FPD1000AS
1W P
包装运输
P
OWER P
HEMT
性能（ 1.8千兆赫）
31 dBm的输出功率（P
1dB
)
15分贝功率增益（G
1dB
)
43 dBm的输出IP3
-42 dBc的ACPR WCDMA在21 dBm的P
CH
10V操作
50％的功率附加效率
提供评估板
可在网站设计数据
适合于应用至5GHz
说明与应用
见包装纲要
标识代码
该
FPD1000AS
被包装的
耗尽型
铝镓砷/铟镓砷伪形态高电子
迁移率晶体管（ pHEMT制） ，在L波段功率应用进行优化。表面贴装
包已经被优化的低寄生效应。
典型的应用包括在PCS驱动程序或输出级/蜂窝
基站
发射机
放大器，以及在WLL / WLAN放大器等功率应用。
电气特性在22℃下
参数
功率1分贝增益压缩
功率增益1dB增益压缩
最大稳定增益
S
21
/S
12
功率附加英法fi效率
在1分贝增益压缩
3
rd
阶互调失真
Γ
S
和
Γ
L
调整以获得最佳的IP3
饱和漏源电流
最大漏源电流
跨
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿电压
栅极 - 漏极击穿电压
热电阻（通道到外壳）
电话：
+1 408 850-5790
传真：
+1 408 850-5766
符号
P
1dB
G
1dB
味精
PAE
IM3
测试条件
V
DS
= 10V ;我
DS
= 200毫安
Γ
S
和
Γ
L
调整以获得最佳的IP3
V
DS
= 10V ;我
DS
= 200毫安
Γ
S
和
Γ
L
调整以获得最佳的IP3
V
DS
= 10 V ;我
DS
= 200毫安
P
IN
=为0dBm ， 50Ω系统
V
DS
= 10V ;我
DS
= 200毫安
Γ
S
和
Γ
L
调整以获得最佳的IP3
V
DS
= 10V ;我
DS
= 200毫安
P
OUT
= 19 dBm的（单音级）
民
30
13.5
典型值
31
15.0
20
50
最大
单位
DBM
射频指标测量
f
= 1.8 GHz的使用CW信号
dB
%
-46
480
650
1100
720
20
0.7
6
20
0.9
8
22
25
50
1.4
800
dBc的
mA
mA
mS
A
V
V
V
° C / W
I
DSS
I
最大
G
M
I
GSO
|V
P
|
|V
BDGS
|
|V
BDGD
|
Θ
CC
V
DS
= 1.3 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 1.3 V; V
GS
+1 V
V
DS
= 1.3 V; V
GS
= 0 V
V
GS
= -3 V
V
DS
= 1.3 V ;我
DS
= 2.4毫安
I
GS
= 2.4毫安
I
GD
= 2.4毫安
见注下页
HTTP ： //
www.filtronic.co.uk/semis
修改后：
05/26/05
电子邮件：
sales@filcsi.com
FPD1000AS
1W P
包装运输
P
OWER P
HEMT
推荐工作偏置条件
漏源电压：
从5V至10V
静态电流：
25 ％I
DSS
到55％我
DSS
绝对最大额定值
1
参数
漏源电压
栅源电压
漏 - 源电流
栅电流
RF输入功率
2
通道工作温度
储存温度
总功耗
增益压缩
符号
V
DS
V
GS
I
DS
I
G
P
IN
T
CH
T
英镑
P
合计
比较。
测试条件
-3V < V
GS
< + 0V
0V ＆ LT ; V
DS
< + 8V
对于V
DS
＆ GT ; 2V
正向/反向电流
在任何可以接受的偏置状态
在任何可以接受的偏置状态
非工作存储
请参阅下面的降额注
在任何偏置条件
-40
民
最大
12
-3
I
DSS
+20/-20
575
175
150
6.0
5
单位
V
V
mA
mA
mW
C
C
W
dB
%
限制同时结合
3
2个或更多最大值。范围
80
1
2
T
环境
= 22 ° C除非另有说明
马克斯。 1 ： RF输入限制，如果必须输入VSWR > 2.5进一步限制
3
用户应避免超过80 ％的2个或更多同时限制
注意事项：
超过绝对最大额定值的工作条件将导致器件的永久性损坏。
定义为总功耗：P
合计
≡
(P
DC
+ P
IN
) – P
OUT
，其中：
P
DC
：直流偏置电源
P
IN
： RF输入功率
P
OUT
：射频输出功率
总功耗要降额，符合上述22 ° C：
P
合计
= 3.5 - （ 0.04W / ° C）控制x T
PACK
其中T
PACK
=
源标签铅温度高于22
°
C
（降额式的系数是热导率）
例如：对于一个55 ° C源铅温度：P
合计
= 6.0 - （ 0.04 ×（ 55 - 22 ） ） = 4.68W
为了达到最佳的散热，通过（来源）过孔应直接使用下面的中央金属填充
金属化接地焊盘在所述封装的底部。
需要注意的热阻：
为25℃ / W的标称值被测量与安装在一个大的包
散热片与热复合，以确保有足够的（回流）的接触。封装温度称为
源线索。
操作注意事项
为避免对设备造成损坏应小心处理期间行使。适当的静电
放电（ESD ）预防措施应储存的各个阶段进行观察，搬运，装配和
测试。本产品已通过JESD22 A114进行测试， 1A级（ > 250V ，但< 500V ） ，人
体模型，并以A类， （ < 200V ），使用JESD22 A115 ，机型号。
电话：
+1 408 850-5790
传真：
+1 408 850-5766
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修改后：
05/26/05
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sales@filcsi.com
FPD1000AS
1W P
包装运输
P
OWER P
HEMT
偏置指南
有源偏置电路提供良好的性能稳定性上运行的变化
温度，但是需要的组件相比，自偏压或双偏置的更大的数字。
这种电路应包括以下条款，以确保栅偏置漏偏前申请，
否则的pHEMT可被诱导以自振荡。请联系您的销售代表
附加信息。
双偏置电路实现起来比较简单，但需要调节的负
电压源为耗尽型器件，如FPD1000AS 。
自偏置电路采用的RF -旁路源电阻，以提供负栅 - 源极
偏置电压，并且这些电路提供一些的温度稳定的设备。标称
值电路的发展为3.25
对于推荐的200mA工作点。
推荐200毫安偏置点名义上是AB类模式。少量的RF增益
膨胀压缩的发作之前是正常的运行点。
封装和建议的PC板布局
（尺寸以毫米为单位 - 毫米）
包装标志
CODE
例如：
f1ZD
P1F
f
=费尔多尼克
1ZD =批号/日期代码
P1F =状态，部分代码，
部件类型
改变所有的信息和规格，恕不另行通知。
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+1 408 850-5790
传真：
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FPD1000AS
1W P
包装运输
P
OWER P
HEMT
典型的射频性能（V
DS
= 10V我
DS
= 200毫安
f
= 1800兆赫） ：
功率传输特性
3.50
31.00
3.00
29.00
2.50
27.00
25.00
23.00
21.00
19.00
17.00
15.00
0.00
2.00
1.50
噘
比较点
1.00
.50
.00
2.00
4.00
6.00
8.00
10.00
12.00
14.00
16.00
-.50
18.00
输入功率（dBm ）
漏极效率和PAE
70.00%
70.00%
60.00%
60.00%
PAE （％）
40.00%
PAE
EFF 。
40.00%
30.00%
30.00%
20.00%
20.00%
10.00%
10.00%
.00%
0.00
2.00
4.00
6.00
8.00
10.00
12.00
14.00
16.00
.00%
18.00
输入功率（dBm ）
电话：
+1 408 850-5790
传真：
+1 408 850-5766
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修改后：
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排水 FFI效率（ ％ ）
50.00%
50.00%
增益压缩（分贝）
输出功率（dBm ）
FPD1000AS
1W P
包装运输
P
OWER P
HEMT
IM产品与输入功率
-15.00
27.00
-20.00
输出功率（dBm ）
25.00
-25.00
噘
23.00
IM3 ， dBc的
-30.00
-35.00
21.00
-40.00
-45.00
19.00
-50.00
17.00
2.00
3.00
4.00
5.00
6.00
7.00
8.00
9.00
10.00
11.00
-55.00
12.00
输入功率（dBm ）
注：上面显示输入和输出功率为单载波或单色调层次图。
FPD1000AS IP3轮廓线1800兆赫
0.6
SWP最大
222
2.
0
0.8
1.0
10.0
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
0.2
5.0
0
-0.
6
-
0
2.
- 0.8
电话：
+1 408 850-5790
传真：
+1 408 850-5766
HTTP ： //
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-1.0
-3
.0
注意：
IP3轮廓与P生成
IN
4
= 11分贝
.
-0
回退的P
1dB
。局部最大值为最佳
线性位于：
Γ
L
= 40 + j55
和
Γ
L
= 113 + j70
同
Γ
S
= 15 + j12
SWP敏
1
修改后：
05/26/05
电子邮件：
sales@filcsi.com
- 5.0
- 0.2
-10.0
-4.
0
0.2
48 dBm的
46 dBm的
44 dBm的
42 dBm的
40 dBm的
0
3.
4.0
5.0
10.0
IM产品（ DBC）
0.
4
FPD1000AS
1W P
包装运输
P
OWER P
HEMT
F
EATURES
:
31 dBm的输出功率（ P1dB为） @ 1.8GHz的
15分贝功率增益（ G1dB ） @ 1.8GHz的
43 dBm的输出IP3
-42 dBc的ACPR WCDMA在21 dBm的PCH
10V操作
50％的功率附加效率
提供评估板
适合于应用至5GHz
数据手册V3.0
P
ACKAGE
T
YPICAL
A
PPLICATIONS
:
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
:
该FPD1000AS是封装耗尽
模式的AlGaAs /砷化铟镓假晶高
电子
流动性
晶体管
（ pHEMT制）
在L波段功率应用进行优化。
表面贴装封装已
低寄生效应进行了优化。
在PCS驱动程序或输出级/蜂窝
基站发射机放大器
在WLL / WLAN电源应用和
WiMax的放大器
E
LECTRICAL
S
PECIFICATIONS
:
P
ARAMETER
功率1分贝增益压缩
P1dB
S
YMBOL
C
ONDITIONS
VDS = 10V ; IDS = 200毫安
ΓS
和
ΓL
调整以获得最佳的IP3
VDS = 10V ; IDS = 200毫安
M
IN
30
T
YP
31
M
AX
U
尼特
DBM
功率增益为1分贝增益压缩
G1dB
ΓS
和
ΓL
调整以获得最佳的IP3
VDS = 10V ; IDS = 200毫安
13.5
15.0
最大稳定增益
味精
S21/S12
功率附加英法fi效率
PAE
在1分贝增益压缩
3阶互调失真
ΓS
和
ΓL
调整以获得最佳的IP3
饱和漏源电流
最大漏源电流
跨
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿电压
栅极 - 漏极击穿电压
热电阻（通道到案例）
IM3
20
PIN =为0dBm ， 50Ω系统
VDS = 10V ; IDS = 200毫安
ΓS
和
ΓL
调整以获得最佳的IP3
VDS = 10V ; IDS = 200毫安
-46
POUT = 19 dBm的（单音级）
50
dB
%
dBc的
480
650
1100
720
20
0.7
6
20
25
0.9
50
1.4
800
mA
mA
mS
A
V
V
V
° C / W
IDSS
IMAX
GM
IGSO
| VP |
| VBDGS |
| VBDGD |
VDS = 1.3 V ; VGS = 0 V
VDS = 1.3 V ; VGS
+1 V
VDS = 1.3 V ; VGS = 0 V
VGS = -3 V
VDS = 1.3 V ; IDS = 2.4毫安
IGS = 2.4毫安
IGD = 2.4毫安
见注下页
Θ
CC
注：t
环境
= 22 ° ;在f = 1850 MHz的使用CW信号的RF测量规范（特别注明的除外）
1
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
费尔多尼克化合物半导体有限公司
传真： +44 （ 0 ） 1325 306177
电子邮件： sales@filcs.com
电话：+44 （ 0 ） 1325 301111
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FPD1000AS
数据手册V3.0
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
阿婷
1
:
P
ARAMETER
漏源电压
栅源电压
漏 - 源电流
栅电流
2
RF输入功率
通道工作温度
储存温度
3
总功耗
P合计
请参阅下面的降额注
6W
针
总胆固醇
TSTG
在任何可以接受的偏置状态
在任何可以接受的偏置状态
非工作存储
27.5dBm
175°C
-40 ° C至150℃
S
YMBOL
VDS
VGS
IDS
IG
T
美东时间
C
ONDITIONS
7
-3V < VGS < -0.5V
0V < VDS < + 8V
对于VDS > 2V
正向或反向电流
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
12V
-3V
IDSS
+20/-20mA
注意事项：
1
T
环境
= 22 ° C除非另有说明;超过这些绝对最大额定值的任何一个可能会导致
对设备造成永久性损坏;用户应避免超过80 ％的2个或更多同时限制
2
马克斯。 1 ： RF输入限制，如果必须输入VSWR > 2.5进一步限制
3
定义为总功耗：P
合计
≡
(P
DC
+ P
IN
) – P
OUT
,
其中，P
DC
：直流偏置电源，P
IN
： RF输入功率，P
OUT
：射频输出功率
总功耗要降额，符合上述22 ° C：
P
合计
= 6 - （ 0.04W / ° C）控制x T
PACK
其中T
PACK
=源标签铅温度高于22°C
（降额式的系数是热导率）
例如：对于一个55 ℃的温度载体：P
合计
6W = - （ 0.04 ×（ 55 - 22 ） ） = 4.68W
5
为了达到最佳的散热，通过（来源）过孔应直接使用下面的中央金属填充
在封装的底面金属化接地垫
6
热电阻： 25℃ / W的标称值是衡量安装在一个大的散热片包
与热复合，以确保有足够的（回流）的接触。封装温度称为该
来源线索。
7
工作在绝对最大VD连续不推荐。如果操作被认为是那么IDS必须
被减小以保持部分内它的热功率耗散的限制。因此VGS限制
到<-0.5V 。
B
IASING
G
UIDELINES
:
有源偏置电路提供良好的性能稳定性上运行的变化
温度，但是需要的组件相比，自偏压或双偏置的更大的数字。
这种电路应包括以下条款，以确保栅偏置漏偏前申请，
否则的pHEMT可被诱导以自振荡。请联系您的销售代表
附加信息。
双偏置电路实现起来比较简单，但需要调节的负电压
供应耗尽型器件，如FPD1000AS 。
推荐200毫安偏置点名义上是AB类模式。少量的RF增益
膨胀压缩的发作之前是正常的运行点。
推荐工作偏置条件
:
漏源电压：
静态电流：
从5V至10V
25 ％I
DSS
到55％我
DSS
2
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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FPD1000AS
数据手册V3.0
T
YPICAL
M
EASURED
RF P
ERFORMANCE
:
注意：测量条件牛逼
环境
= 22 ° C除非另有说明（ VDS = 10V ， IDS =的200mA， F = 1800MHz的）
功率传输特性
3.50
31.00
3.00
29.00
2.50
60.00%
60.00%
70.00%
70.00%
漏极效率和PAE
增益压缩（分贝）
27.00
输出功率（dBm ）
2.00
25.00
1.50
PAE （％）
PAE
40.00%
EFF 。
40.00%
23.00
30.00%
30.00%
21.00
噘
比较点
1.00
20.00%
20.00%
19.00
.50
10.00%
10.00%
17.00
.00
15.00
0.00
2.00
4.00
6.00
8.00
10.00
12.00
14.00
16.00
-.50
18.00
.00%
0.00
2.00
4.00
6.00
8.00
10.00
12.00
14.00
16.00
.00%
18.00
输入功率（dBm ）
输入功率（dBm ）
IMP ctsvs 。 INP吨P ER
RODU
ü OW
-15.00
27.00
-20.00
FPD1000AS I- V曲线
.800
.700
VGS = 0V
输出功率（dBm ）
漏源电流（A ）
25.00
-25.00
P
OUT
林分贝
3, c
-30.00
IM产品（ DBC）
.600
.500
VGS = -0.25V
23.00
-35.00
VGS = -0.5V
.400
.300
.200
.100
.000
0.00
VGS = -1.0V
VGS = -1.25V
1.00
2.00
3.00
4.00
5.00
6.00
7.00
8.00
VGS = -0.75V
21.00
-40.00
-45.00
19.00
-50.00
17.00
2.00
3.00
4.00
5.00
6.00
7.00
8.00
9.00
10.00
11.00
-55.00
12.00
在T P ER（ D M
PU流B）
漏源极电压（ V）
FPD1000AS IP3轮廓线1800兆赫
1.0
0.6
FPD1000AS功率等高线1800兆赫
0.8
0.6
2.0
1.0
SWP最大
222
2.0
SWP最大
215
0.8
10.0
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0.2
0
- 0.2
- 5.0
.4
-0
.0
-2
-0.
6
SWP敏
1
-0.8
-1.0
注意：
IP3轮廓与P生成
IN
= 11分贝
回退的P
1dB
。局部最大值为最佳
线性位于：
Γ
L
= 40 + j55
和
Γ
L
= 113 + j70
同
Γ
S
= 15 + j12
3
电话：+44 （ 0 ） 1325 301111
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
费尔多尼克化合物半导体有限公司
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电子邮件： sales@filcs.com
-10.0
-4.
0
- 3.
0
0.2
48 dBm的
46 dBm的
44 dBm的
42 dBm的
40 dBm的
3.0
0.4
4.0
5.0
28 dBm的
29 dBm的
30 dBm的
3.0
4.0
5.0
0.2
10.0
31 dBm的
32 dBm的
0.2
0.4
0.6
0.8 1.0
2.0
3.0 4.0 5.0
10.0
10.
0
0
-10.0
-0.2
-5.0
-4.0
-3.0
-0.4
-
0.6
-
2.0
-
0.8
-
1.0
SWP敏
1
注意：
电力轮廓测量恒
输入功率电平设置，以满足最佳
在的P1dB输出匹配。最佳
比赛：
Γ
S
= 3 – j2
和
Γ
L
= 25 + j5
网址：
www.filtronic.com
排水 FFI效率（ ％ ）
50.00%
50.00%
0.
4
FPD1000AS
数据手册V3.0
T
YPICAL
M
EASURED
RF P
ERFORMANCE
:
注意：测量条件牛逼
环境
= 22 ° C除非另有说明（ VDS = 10V ， IDS = 200毫安）
FPD1000AS在VDS = 10V和IDS = 200毫安
30.0
40
FPD1000AS WCDMA ACPR 1900兆赫
下行PK /平均= 9分贝0.01 ％
0
30
25.0
20
-10
输出功率（dBm ）
20.0
10
-20
Ga
in
15.0
-30
-10
（ dB）的
10.0
S21
味精
-20
输出功率
ACPR （ 5兆赫）
-40
-30
ACPR （ 10MHz时）
-50
-40
5.0
-50
-60
0.0
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
-60
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
-70
频率（MHz）
输入功率（dBm ）
作为P
ACKAGE
O
UTLINE
A
ND
R
ECOMMENDED
PC B
OARD
L
AYOUT
:
（尺寸以毫米为单位 - 毫米）
3.8
1.9±0.25
2.2±0.25
0.35
2 plc的。
4.4
3.8
1.3
2 plc的。
3.2
环氧圆角
1.5
0.15
在MM都Dimnesions
一般公差： ± .XX .X 0.05 ±0.15
为了获得最佳的定位精度在自动拾放
设备应该直接从引线被引用
0.5
2 plc的。
0-0.3
4 PLC等。
0.35
2 plc的。
4
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
费尔多尼克化合物半导体有限公司
传真： +44 （ 0 ） 1325 306177
电子邮件： sales@filcs.com
电话：+44 （ 0 ） 1325 301111
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ACPR （ DBC）
0
FPD1000AS
数据手册V3.0
R
指南
D
ESIGN AT
1.70
TO
1.85 GH
Z
:
VGG
≈
-0.5V
VDD = + 10V
C6
C8
R2
C5
C7
L2
R1
C9
L1
C1
C2
Q1
C4
RF
输入
RF
产量
注： AutoCAD的绘图可根据要求提供
D
esignator
C1
C2
C4
C5
C6
C7
C8
C9
L1
L2
R1
R2
Q1
M
anufacturer
’
S
P
艺术
ATC600S3R9CW250
ATC600S5R6CW250
ATC600S330JW250
ATC600S330JW250
T491B105M035AS7015
ATC600S680JW250
T491B105M035AS7015
ATC600S2R0BW250
0604HQ-1N1
0604HQ-1N1
RCI-0402-27R0J
RCI-0603-12R0J
FPD1000AS
PC-SP-000010-006
TF-SP-000012
142-0711-841
AMP-103185-2
TF-SP-000003
D
ESCRIPTION
电容3.9 pF的， 0603 ， ATC 600 ，托尔。 +电容是0.25 pF
电容5.6 pF的， 0603 ， ATC 600 ，托尔。 +电容是0.25 pF
电容， 33 pF的， 0603 ， ATC 600 ，托尔。 + 5 ％
电容， 33 pF的， 0603 ， ATC 600 ，托尔。 + 5 ％
电容， 1 MF， SMD -B ， KEMET， TOL 。 + 20％的
电容， 68 pF的， 0603 ， ATC 600
电容， 1 MF， SMD -B ， KEMET， TOL 。 + 20％的
电容，2个前锋， 0603 ， ATC 600 ，托尔。 + 0.1pF
电感器， 1.1 nH的， Coilcraft在高Q表面贴装
电感器， 1.1 nH的， Coilcraft在高Q表面贴装
电阻器， 27 W， 0402 ， IMS ， TOL 。 + 5 ％
电阻器， 12 W ， 0603 ， IMS ， TOL 。 + 5 ％
1瓦特包装功率pHEMT制，费尔多尼克
印刷电路板，罗杰斯R04003 ， 0.012 “ （ 0.3毫米） ， 0.5盎司
Q
UANTITY
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
支架
1
连接器，射频， SMA发射结束，杰克总成，
2
连接器， DC ， 0.100的中心， 0.025平方米。
2
中心块的P100包
1
螺丝， 0-80 ＃
8
注： 10-12万（ 0.3毫米）电镀通孔用; Q1在过孔应充满杜邦CB100导电
通过以达到最佳的散热堵漏材料。
5
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