FLL357ME
L波段中&高功率GaAs FET
特点
高输出功率： P1dB为35.5dBm = （典型值）
高增益： G1dB = 11.5分贝（典型值）
高PAE ：
η
添加= 46 ％ （典型值）。
久经考验的可靠性
密封包装
描述
该FLL357ME是一个功率GaAs FET ，是专门设计成
在L波段频率的增益，线性度提供高功率和
效率优于硅器件。在性能
多音环境的AB类操作使它们非常适用于
对于基站应用。本装置组装在密闭
金属/陶瓷封装。
富士通的严格的质量保证计划，保证最高
可靠性和一致的性能。
绝对最大额定值（环境温度Ta = 25 ℃）
项
漏源电压
栅源电压
总功耗
储存温度
通道温度
符号
VDS
VGS
P合计
TSTG
总胆固醇
TC = 25°C
条件
等级
15
-5
15
-65到+175
175
单位
V
V
W
°C
°C
富士通建议对砷化镓场效应晶体管的可靠运行条件如下：
1.漏极 - 源极的工作电压（VDS）不应超过10伏。
2.正向和反向栅极电流不应超过19.4和-2.0毫安分别与
100Ω的栅极电阻。
3.工作通道温度（ TCH）应不超过145 ℃。
电气特性（环境温度Ta = 25 ℃）
项
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
门源击穿电压
在1分贝G.C.P.输出功率
符号
IDSS
gm
Vp
VGSO
P1dB
G1dB
η
添加
RTH
渠道情况
VDS = 10V
IDS
≈
0.6IDSS （典型值） ，
F = 2.3GHz的
测试条件
VDS = 5V ， VGS = 0V
VDS = 5V ， IDS = 800毫安
VDS = 5V ， IDS = 60毫安
IGS = -60μA
分钟。
-
-
-1.0
-5
34.5
10.5
-
-
极限
典型值。马克斯。
1200 1800
600
-2.0
-
35.5
11.5
46
7.5
-
-3.5
-
-
-
-
10
单位
mA
mS
V
V
DBM
dB
%
° C / W
功率增益1分贝G.C.P.
功率附加英法fi效率
热阻
类型：
ME
G.C.P ：增益压缩点
1.1版
1999年7月
1
FLL357ME
L波段中&高功率GaAs FET
机箱样式"ME"
金属陶瓷密封封装
5.0
(0.197)
2-2.2±0.15
(0.098)
2.0分钟。
(0.079)
2
2.0分钟。
(0.079)
5.0
-0.15
(0.197)
+0.1
1
4
3
1.0±0.15
(0.039)
16.0±0.15
(0.630)
0.1±0.05
(0.004)
1.65±0.2
(0.065)
12.0±0.15
(0.472)
9.0
(0.354)
4.0最大。
(0.157)
1.
2.
3.
4.
门
源（ FL法兰）
漏
源（ FL法兰）
1.2
(0.048)
单位：mm （英寸）
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