【订购数量： EN4494FP205PNP / NPN外延平面硅晶体管推挽电路的应用特点·复合型与一个】,IC型号FP205,FP205 PDF资料,FP205经销商,ic,电子元器件-51电子网

订购数量： EN4494

FP205

PNP / NPN外延平面硅晶体管

推挽电路的应用

特点

·复合型与一个PNP晶体管和一个NPN

晶体管在一个封装中，有利于高密度

安装。

·将FP205由2片， 1感

相当于2SA1416和其他2SC3646 ，

其被放置在一个封装中。

电气连接

1 ：基本

2 ：收藏家

3 ：发射极常见

4 ：收藏家

5 ：基本

6 ：收藏家

7 ：收藏家

（ TOP VIEW ）

包装尺寸

单位：mm

2097A

[FP205]

1 ：基本

2 ：收藏家

3 ：发射极常见

4 ：收藏家

5 ：基本

6 ：收藏家

7 ：收藏家

三洋： PCP5

（底视图）

（）： PNP型

条件

评级

(–)120

(–)100

(–)6

(–)1

(–)2

(–)0.2

单位

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在Ta = 25℃

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流（脉冲）

基极电流

集电极耗散

总功耗

结温

储存温度

符号

VCBO

VCEO

VEBO

ICP

TSTG

安装在陶瓷板上（ 250毫米

×0.8mm)

1unit

0.8

1.1

150

-55到+150

安装在陶瓷板上（ 250毫米

×0.8mm)

电气特性

在TA = 25℃

参数

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益

增益带宽积

输出电容

-E饱和电压

B -E饱和电压

C- B击穿电压

C- E击穿电压

E- B击穿电压

开启时间

贮存时间

下降时间

符号

ICBO

IEBO

的hFE

COB

VCE （ SAT ）

VBE （ SAT ）

VCB = （ - ） 100V ， IE = 0

VEB = （ - ） 4V， IC = 0

VCE = （ - ） 5V ， IC = （ - ） 100毫安

VCE = （ - ） 10V ， IC = （ - ） 100毫安

VCB = （ - ） 10V ， F = 1MHz的

IC = （ - ） 400毫安， IB = （ - ） 40毫安

140

120

(13)

8.5

(–0.2)

0.1

IC = （ - ） 400毫安， IB = （ - ） 40毫安

V（ BR ） CBO IC = （ - ） 10μA ， IE = 0

V（ BR ） CEO IC = （ - ） 1mA时， RBE = ∞

V（ BR ） EBO

吨

TSTG

IE = （ - ） 10μA ， IC = 0

请参阅特定网络版测试电路

(–)0.85

(–)120

(–)100

(–)6

(80)80

(700)

850

(40)50

(–0.6)

0.4

(–)1.2

CONDITONS

评级

民

典型值

最大

(–)100

400

兆赫

单位

标记： 205

三洋电机有限公司。半导体公司经营业务指挥部

东京办事处东京大厦。， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN

52098HA （ KT ） / 82494MT （ KOTO ） A8-9592 No.4494-1 / 4

FP205

开关时间测试电路

No.4494-2/4

FP205

No.4494-3/4

FP205

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诉讼上的SANYO ELECTRIC CO 。， LTD。，其分支机构，子公司和分销商或任何

他们的官员和雇员共同或个别。

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EED量产。 SANYO的任何信息都是准确可靠，但不保证

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PS No.4494-4 / 4

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27200

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全新原装现货，原厂代理。

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