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SOT23封装PNP硅平面
中功率晶体管
第3期？ 1996年1月
特点
*
50 ，在我收获
C
=100mA
FMMTA55 - 2H
FMMTA56 - 2G
FMMTA55R - NB
FMMTA56R - MB
7
FMMTA55
FMMTA56
C
B
E
PARTMARKING详细信息 -
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度
范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
-60
-60
-80
-80
-4
-500
330
-55到+150
SOT23
FMMTA55 FMMTA56
单位
V
V
V
mA
mW
°C
电气特性（在T
AMB
= 25°C).
FMMTA55
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
截止电流
集电极 - 基
截止电流
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CES
I
CBO
50
50
-0.25
-1.2
100
100
分钟。
-60
-4
-0.1
FMMTA56
MAX 。 UNIT
V
V
-0.1
-0.1
50
50
-0.25
-1.2
V
V
兆赫
A
A
MAX 。 MIN 。
-80
-4
条件。
I
C
= -1mA ，我
B
=0*
I
E
=-100
A，I
C
=0
V
CE
=-60V
V
CB
= -80V ，我
E
=0
V
CB
= -60V ，我
E
=0
I
C
= -10mA ，V
CE
=1V*
I
C
= -100mA ，V
CE
=1V*
I
C
=-100mA,
I
B
=-10mA*
I
C
= -100mA ，V
CE
=-1V*
I
C
= -10mA ，V
CE
=-2V
f=100MHz
-0.1
静态前进
h
FE
电流传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
导通电压
过渡
频率
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
3 - 177
SOT23封装PNP硅平面
中功率晶体管
第3期？ 1996年1月
特点
*
50 ，在我收获
C
=100mA
FMMTA55 - 2H
FMMTA56 - 2G
FMMTA55R - NB
FMMTA56R - MB
7
FMMTA55
FMMTA56
C
B
E
PARTMARKING详细信息 -
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度
范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
-60
-60
-80
-80
-4
-500
330
-55到+150
SOT23
FMMTA55 FMMTA56
单位
V
V
V
mA
mW
°C
电气特性（在T
AMB
= 25°C).
FMMTA55
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
截止电流
集电极 - 基
截止电流
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CES
I
CBO
50
50
-0.25
-1.2
100
100
分钟。
-60
-4
-0.1
FMMTA56
MAX 。 UNIT
V
V
-0.1
-0.1
50
50
-0.25
-1.2
V
V
兆赫
A
A
MAX 。 MIN 。
-80
-4
条件。
I
C
= -1mA ，我
B
=0*
I
E
=-100
A，I
C
=0
V
CE
=-60V
V
CB
= -80V ，我
E
=0
V
CB
= -60V ，我
E
=0
I
C
= -10mA ，V
CE
=1V*
I
C
= -100mA ，V
CE
=1V*
I
C
=-100mA,
I
B
=-10mA*
I
C
= -100mA ，V
CE
=-1V*
I
C
= -10mA ，V
CE
=-2V
f=100MHz
-0.1
静态前进
h
FE
电流传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
导通电压
过渡
频率
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
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