4 -PIN FULL PITCH微型扁平封装
随机相位TRIAC驱动器
输出光电耦合器
FODM3051
描述
该FODM305X系列由砷化镓二极管的驱动在安装在一个紧凑的4针微型FL硅双向开关
封装。该引脚间距为2.54毫米。该FODM305X系列隔离115和240伏交流线路，以提供低电压逻辑
大电流可控硅晶闸管或随机相位控制。此外，它还采用大大提高了静态dv / dt能力，以确保稳定
切换感性负载的性能。
FODM3052
FODM3053
特点
紧凑型4 - pin表面贴装封装
（2.4毫米最大间隙高度）
峰值阻断电压 - 600V
保证静态的dv / dt的1000 V / μs的
可在磁带和卷轴数量
500和2500 。
适用于红外线再溢流
（230 ℃以下， 30秒。）
BSI ， CSA和VDE CERTI网络阳离子待定
UL （文件＃ E90700 ）经过认证的
包装尺寸
销1
0.026 (0.66)
0.100 （ 2.54 ） TYP
0.020 (0.51)
0.012 (0.30)
0.287 (7.29)
0.248 (6.30)
0.173 (4.40)
典型值
应用
电磁阀/阀门控制
接口微处理器
115和240伏交流外设
温度控制
- 固态继电器
灯泡镇流器
静态AC电源开关
电机控制
白炽灯调光器
0.169 (4.29)
0.154 (3.91)
0.094 (2.39)
0.079 (2.01)
阳极1
主
4终端
0.035 (0.89)
0.012 (0.30)
0.008 (0.20)
0.000 (0.0)
0.033 (0.85)
0.026 (0.65)
阴极2
主
3端子
记
所有尺寸为英寸（毫米）
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
总包
储存温度
结温
工作温度
辐射源
连续正向电流
峰值正向电流（ 1微秒脉冲， 300 PPS ）。
反向输入电压
功耗
（无需降容在工作温度范围内）
探测器
开启状态RMS电流
断态输出端子电压
功耗
（无需降容在工作温度范围内）
I
F（ AVG）
I
F（ PK ）
V
R
P
D
I
T（ RMS ）
V
DRM
P
D
60
1
3
100
70
600
250
mA
A
V
mW
MA（ RMS ）
V
mW
符号
T
英镑
T
J
T
OPR
价值
-40到+125
125
-40至+85
单位
°C
°C
°C
2003仙童半导体公司
第1页8
11/10/03
4 -PIN FULL PITCH微型扁平封装
随机相位TRIAC驱动器
输出光电耦合器
FODM3051
FODM3052
FODM3053
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
反向漏电流
探测器
峰值电流阻断任一方向
峰值通态电压任一方向
断态电压临界上升率
V
DRM
= 600V ，我
F
= 0（注1 ）
I
TM
= 100毫安高峰
I
F
= 0（图8中，注2）
I
DRM
V
TM
dv / dt的
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 3 V
符号
V
F
I
R
设备
所有
所有
所有
所有
所有
民
典型*
1.20
0.01
3
2.0
最大
1.5
100
100
2.5
单位
V
A
nA
V
V / μs的
1000
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
DC特性
LED触发电流
保持电流，任何方向
化
测试条件
主要终端
电压= 3V （注3）
符号
I
FT
I
H
设备
FODM3051
FODM3052
FODM3053
所有
300
民
典型*
最大
15
10
5
单位
mA
A
隔离特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
特征
稳态隔离电压
*所有标准结构在T
A
= 25°C
记
1.测试电压必须在dv / dt的评级被应用。
2.这是静态的dv / dt 。参见图1测试电路。换向dv / dt为唯一的负载驱动晶闸管（多个）功能。
3.所有设备都保证在触发的I
F
值小于或等于最大余
FT
。因此，推荐的工作我
F
谎
我最大的
FT
（15毫安FODM3051 10毫安FODM3052 5毫安FODM3053 ）和绝对最大值我
F
（60 mA）的。
测试条件
T = 1分钟
符号
V
ISO
设备
所有
民
3750
典型*
最大
单位
V（ RMS）
2003仙童半导体公司
第2页8
11/10/03
4 -PIN FULL PITCH微型扁平封装
随机相位TRIAC驱动器
输出光电耦合器
FODM3051
订购信息
选项
V
R1
R2
R3
R4
R1V
R2V
R3V
R4V
描述
VDE认证
磁带和卷轴（ 500个单位）
磁带和卷轴（ 2500个单位）
磁带和卷轴（ 500个单位，单位180 °旋转）
磁带和卷轴（ 2500单位;单位180 °旋转）
磁带和卷轴（ 500单位）和VDE认证
磁带和卷轴（ 2500个单位）和VDE认证
磁带和卷轴（ 500个单位，单位180 °旋转）和VDE认证
磁带和卷轴（ 2500单位;单位180 °旋转）和VDE认证
FODM3052
FODM3053
标识信息
1
3051
V X YY M
3
4
5
2
6
德网络nitions
1
2
3
4
5
6
飞兆半导体的标志
设备号
VDE标志（注：只出现在部分排序， VDE
选项 - 查看订购项表）
一个数字年份代码
两位工作周从'01 '到' 53'
组装打包代码
2003仙童半导体公司
第5页8
11/10/03
4 -PIN FULL PITCH微型扁平封装
随机相位TRIAC驱动器
输出光电耦合器
FODM3051
描述
该FODM305X系列由砷化镓二极管的驱动在安装在一个紧凑的4针微型FL硅双向开关
封装。该引脚间距为2.54毫米。该FODM305X系列隔离115和240伏交流线路，以提供低电压逻辑
大电流可控硅晶闸管或随机相位控制。此外，它还采用大大提高了静态dv / dt能力，以确保稳定
切换感性负载的性能。
FODM3052
FODM3053
特点
紧凑型4 - pin表面贴装封装
（2.4毫米最大间隙高度）
峰值阻断电压 - 600V
保证静态的dv / dt的1000 V / μs的
可在磁带和卷轴数量
500和2500 。
适用于红外线再溢流
（230 ℃以下， 30秒。）
BSI ， CSA和VDE CERTI网络阳离子待定
UL （文件＃ E90700 ）经过认证的
包装尺寸
销1
0.026 (0.66)
0.100 （ 2.54 ） TYP
0.020 (0.51)
0.012 (0.30)
0.287 (7.29)
0.248 (6.30)
0.173 (4.40)
典型值
应用
电磁阀/阀门控制
接口微处理器
115和240伏交流外设
温度控制
- 固态继电器
灯泡镇流器
静态AC电源开关
电机控制
白炽灯调光器
0.169 (4.29)
0.154 (3.91)
0.094 (2.39)
0.079 (2.01)
阳极1
主
4终端
0.035 (0.89)
0.012 (0.30)
0.008 (0.20)
0.000 (0.0)
0.033 (0.85)
0.026 (0.65)
阴极2
主
3端子
记
所有尺寸为英寸（毫米）
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
总包
储存温度
结温
工作温度
辐射源
连续正向电流
峰值正向电流（ 1微秒脉冲， 300 PPS ）。
反向输入电压
功耗
（无需降容在工作温度范围内）
探测器
开启状态RMS电流
断态输出端子电压
功耗
（无需降容在工作温度范围内）
I
F（ AVG）
I
F（ PK ）
V
R
P
D
I
T（ RMS ）
V
DRM
P
D
60
1
3
100
70
600
250
mA
A
V
mW
MA（ RMS ）
V
mW
符号
T
英镑
T
J
T
OPR
价值
-40到+125
125
-40至+85
单位
°C
°C
°C
2003仙童半导体公司
第1页8
11/10/03
4 -PIN FULL PITCH微型扁平封装
随机相位TRIAC驱动器
输出光电耦合器
FODM3051
FODM3052
FODM3053
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
反向漏电流
探测器
峰值电流阻断任一方向
峰值通态电压任一方向
断态电压临界上升率
V
DRM
= 600V ，我
F
= 0（注1 ）
I
TM
= 100毫安高峰
I
F
= 0（图8中，注2）
I
DRM
V
TM
dv / dt的
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 3 V
符号
V
F
I
R
设备
所有
所有
所有
所有
所有
民
典型*
1.20
0.01
3
2.0
最大
1.5
100
100
2.5
单位
V
A
nA
V
V / μs的
1000
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
DC特性
LED触发电流
保持电流，任何方向
化
测试条件
主要终端
电压= 3V （注3）
符号
I
FT
I
H
设备
FODM3051
FODM3052
FODM3053
所有
300
民
典型*
最大
15
10
5
单位
mA
A
隔离特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
特征
稳态隔离电压
*所有标准结构在T
A
= 25°C
记
1.测试电压必须在dv / dt的评级被应用。
2.这是静态的dv / dt 。参见图1测试电路。换向dv / dt为唯一的负载驱动晶闸管（多个）功能。
3.所有设备都保证在触发的I
F
值小于或等于最大余
FT
。因此，推荐的工作我
F
谎
我最大的
FT
（15毫安FODM3051 10毫安FODM3052 5毫安FODM3053 ）和绝对最大值我
F
（60 mA）的。
测试条件
T = 1分钟
符号
V
ISO
设备
所有
民
3750
典型*
最大
单位
V（ RMS）
2003仙童半导体公司
第2页8
11/10/03
4 -PIN FULL PITCH微型扁平封装
随机相位TRIAC驱动器
输出光电耦合器
FODM3051
订购信息
选项
V
R1
R2
R3
R4
R1V
R2V
R3V
R4V
描述
VDE认证
磁带和卷轴（ 500个单位）
磁带和卷轴（ 2500个单位）
磁带和卷轴（ 500个单位，单位180 °旋转）
磁带和卷轴（ 2500单位;单位180 °旋转）
磁带和卷轴（ 500单位）和VDE认证
磁带和卷轴（ 2500个单位）和VDE认证
磁带和卷轴（ 500个单位，单位180 °旋转）和VDE认证
磁带和卷轴（ 2500单位;单位180 °旋转）和VDE认证
FODM3052
FODM3053
标识信息
1
3051
V X YY M
3
4
5
2
6
德网络nitions
1
2
3
4
5
6
飞兆半导体的标志
设备号
VDE标志（注：只出现在部分排序， VDE
选项 - 查看订购项表）
一个数字年份代码
两位工作周从'01 '到' 53'
组装打包代码
2003仙童半导体公司
第5页8
11/10/03
FODM3051 ， FODM3052 ， FODM3053 4针全部间距微型扁平封装随机相可控硅驱动器输出光电耦合器
2005年10月
FODM3051 ， FODM3052 ， FODM3053
4引脚间距完全微型扁平封装随机相位三端双向可控硅
驱动器输出光电耦合器
特点
■
紧凑的4引脚表面贴装封装（2.4 mm最大
底座高度）
■
峰值阻断电压 - 600V
■
■
■
■
保证静态的dv / dt的1000 V / μs的
可在500和2500磁带和卷轴数量。
适用于红外线重新溢流（ 230 ℃以下， 30秒。 ）
BSI ， CSA和VDE CERTI网络阳离子待定
描述
该FODM305X系列由砷化镓二极管
驾驶硅双向开关装在一个紧凑的4针微型
佛罗里达州的包。该引脚间距为2.54毫米。该FODM305X系列
隔离115和240伏交流线路，以提供低电压逻辑
大电流可控硅晶闸管或随机相位控制。这也
功能大大增强静态dv / dt能力，以确保
电感性负载的稳定的开关性能。
■
UL （文件＃ E90700 ）经过认证的
应用
■
螺线管/阀门控制
■
微处理器的接口，以115和240伏交流外设
■
温度控制
■
固态继电器
■
灯镇流器
■
静态AC电源开关
■
电机控制
■
白炽灯调光器
包装尺寸
销1
0.026 (0.66)
0.100 （ 2.54 ） TYP
0.020 (0.51)
0.012 (0.30)
0.287 (7.29)
0.248 (6.30)
0.173 (4.40)
典型值
阳极1
主
4终端
阴极2
主
3端子
0.169 (4.29)
0.154 (3.91)
0.094 (2.39)
0.079 (2.01)
0.035 (0.89)
0.012 (0.30)
0.008 (0.20)
0.000 (0.0)
0.033 (0.85)
0.026 (0.65)
记
所有尺寸为英寸（毫米）
2005仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FODM3051 ， FODM3052 ， FODM3053版本1.0.0
FODM3051 ， FODM3052 ， FODM3053 4针全部间距微型扁平封装随机相可控硅驱动器输出光电耦合器
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
总包
储存温度
结温
工作温度
辐射源
连续正向电流
峰值正向电流（ 1微秒脉冲， 300 PPS ）。
反向输入电压
功耗
（无需降容在工作温度范围内）
探测器
开启状态RMS电流
断态输出端子电压
功耗
（无需降容在工作温度范围内）
I
T（ RMS ）
V
DRM
P
D
70
600
250
MA（ RMS ）
V
mW
I
F（ AVG）
I
F（ PK ）
V
R
P
D
60
1
3
100
mA
A
V
mW
T
英镑
T
J
T
OPR
-40到+125
125
-40至+100
°C
°C
°C
符号
价值
单位
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
反向漏电流
探测器
峰值电流阻断任一方向
峰值通态电压任一方向
断态电压临界上升率
V
DRM
= 600V ，我
F
= 0（注1 ）
I
TM
= 100毫安高峰
I
F
= 0（图8中，注2）
I
DRM
V
TM
dv / dt的
所有
所有
所有
1000
3
2.0
100
2.5
nA
V
V / μs的
I
F
= 10毫安
V
R
= 3 V
V
F
I
R
所有
所有
1.20
0.01
1.5
100
V
A
测试条件
符号设备
民
典型*
最大
单位
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
DC特性
LED触发电流
测试条件
主要终端
电压= 3V （注3）
符号
I
FT
设备
FODM3051
FODM3052
FODM3053
民
典型*
最大
15
10
5
单位
mA
保持电流，两个方向
I
H
所有
300
A
隔离特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
特征
稳态隔离电压
*所有标准结构在T
A
= 25°C
测试条件
T = 1分钟
符号
V
ISO
设备
所有
民
3750
典型*
最大
单位
V（ RMS）
记
1.测试电压必须在dv / dt的评级被应用。
2.这是静态的dv / dt 。参见图1测试电路。换向dv / dt为唯一的负载驱动晶闸管（多个）功能。
3.所有设备都保证在触发的I
F
值小于或等于最大余
FT
。因此，推荐的工作我
F
谎
我最大的
FT
（15毫安FODM3051 10毫安FODM3052 5毫安FODM3053 ）和绝对最大值我
F
（60 mA）的。
2
FODM3051 ， FODM3052 ， FODM3053版本1.0.0
www.fairchildsemi.com
FODM3051 ， FODM3052 ， FODM3053 4针全部间距微型扁平封装随机相可控硅驱动器输出光电耦合器
典型性能曲线
图。 1 LED的正向电压与正向电流
1.8
1.7
IDRM - 漏电流（ NA）
1.6
VF - 正向电压（ V）
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
1
10
如果 - 正向电流（mA ）
100
TA = 25°C
TA = 100℃
0.1
-40
1000
VDRM = 600V
图。 2漏电流与环境温度
100
TA = -40°C
10
1
-20
0
20
40
60
80
100
T A - 环境温度（ ° C）
图。 3保持电流与环境温度
5
I H - 保持电流（归一化）
归一化到T
A
= 25°C
我FT - 触发电流（归）
1.2
1.3
图。 4触发电流与环境温度
V
TM
= 3V
归一化到T
A
= 25°C
2
1.0
1.1
0.5
1.0
0.2
0.9
0.1
-40
-20
0
20
40
60
80
100
T A - 环境温度（ ° C）
0.8
-40
-20
0
20
40
60
80
100
T A - 环境温度（ ° C）
图。 5 LED电流来触发与LED脉冲宽度
10
T
A
=T
25°C
A
标准化为PW
IN
>>为100μs
8
V受DRM断态输出端子电压
图。 6断态输出端子电压与环境温度
1.4
归一化至t = 25℃
A
1.3
1.2
（归一化）
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-40
IFT - LED触发电流（归）
6
4
2
0
1
10
PW IN - LED触发脉冲宽度（微秒）
100
-20
0
20
40
60
80
100
T A - 环境温度（ ° C）
3
FODM3051 ， FODM3052 ， FODM3053版本1.0.0
www.fairchildsemi.com
FODM3051 ， FODM3052 ， FODM3053 4针全部间距微型扁平封装随机相可控硅驱动器输出光电耦合器
图。 7通态特性
800
T
A
= 25°C
600
I
TM
- 通态电流（毫安）
400
200
0
-200
-400
-600
-800
-6
-4
-2
0
2
4
6
V
TM
- 通态电压（V ）
400V
VDC
R
TEST
R = 10 kΩ的
C
TEST
脉冲
输入
MERCURY
湿
接力
D.U.T.
X100
范围
探头
1.汞湿继电器提供了一个高速
重复脉冲施加到D.U.T.
2. 100倍的范围使用探针，以允许高速
和电压。
3.静态的dv / dt的estab-的最坏情况
通过触发D.U.T. lished与正常的发光二极管
输入电流，然后除去电流。将得到变量
能够
TEST
允许的dv / dt为逐渐
增加，直到D.U.T.继续引发
响应于所施加的电压脉冲，即使在
LED电流已被删除。该dv / dt的是
然后下降，直到D.U.T.停止触发。
τ
RC
测量在这一点上，并记录。
VMAX = 400 V
施加的电压
波形
252 V
0.63的Vmax
τ
RC
0伏特
τ
RC
的dv / dt =
252
=
τ
RC
图8.静态dv / dt的测试电路
4
FODM3051 ， FODM3052 ， FODM3053版本1.0.0
www.fairchildsemi.com
FODM3051 ， FODM3052 ， FODM3053 4针全部间距微型扁平封装随机相可控硅驱动器输出光电耦合器
订购信息
选项
V
R1
R2
R3
R4
R1V
R2V
R3V
R4V
描述
VDE认证
磁带和卷轴（ 500个单位）
磁带和卷轴（ 2500个单位）
磁带和卷轴（ 500个单位，单位180 °旋转）
磁带和卷轴（ 2500单位;单位180 °旋转）
磁带和卷轴（ 500单位）和VDE认证
磁带和卷轴（ 2500个单位）和VDE认证
磁带和卷轴（ 500个单位，单位180 °旋转）和VDE认证
磁带和卷轴（ 2500单位;单位180 °旋转）和VDE认证
标识信息
1
3051
V X YY M
3
4
5
2
6
德网络nitions
1
2
3
4
5
6
飞兆半导体的标志
设备号
VDE标志（注：只出现在部分排序， VDE选项 -
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一个数字年份代码
两位工作周从'01 '到' 53'
组装打包代码
5
FODM3051 ， FODM3052 ， FODM3053版本1.0.0
www.fairchildsemi.com
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