FDR6674A
2001年4月
FDR6674A
30V N沟道的PowerTrench
MOSFET
概述
这N沟道MOSFET的设计
具体而言，以提高直流/直流整体效率
使用同步或传统转换器
开关PWM控制器。它已被优化为
“低侧”同步整流器的操作，提供了一个
非常低R
DS （ ON）
在小包装。
特点
11.5 A， 30 V
DS （ ON）
= 9.5毫欧@ V
GS
= 4.5 V
R
DS （ ON）
= 8.5毫欧@ V
GS
= 10 V
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
高功率和电流处理能力
面积比SO8小
应用
同步整流器器
DC / DC转换器
D
S
D
S
5
6
4
3
2
1
SuperSOT -8
TM
D
D
D
G
7
8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
评级
30
±12
（注1A ）
单位
V
V
A
W
11.5
50
1.8
1.0
0.9
-55到+150
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
70
20
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
.6674A
设备
FDR6674A
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
2000
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDR6674A版本D（ W）
FDR6674A
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，正向
门体泄漏，反向
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 12 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= –12 V , V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
GS
= 4.5 V,
V
GS
= 4.5 V,
V
GS
= 10 V,
V
GS
= 4.5 V,
V
DS
= 10 V,
I
D
= 10.5 A
I
D
= 10.5 A，T
J
125°C
I
D
= 11.5 A
V
DS
= 5 V
I
D
= 11.5 A
民
30
典型值
最大单位
V
开关特性
23
1
100
–100
毫伏/°C的
A
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
0.8
1.2
-4
8.2
11.5
6.8
2
V
毫伏/°C的
9.5
16
8
m
A
50
75
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
5070
550
230
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 10 V，I
D
= 1 A,
V
GS
= 4.5 V ，R
根
= 6
17
18
69
29
25
25
100
42
46
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 15 V，I
D
= 11.5 A,
V
GS
= 4.5V
33
7.5
6.8
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
V
GS
= 0 V，I
S
= 2.1 A
电压
2.1
（注2 ）
A
V
0.7
1.2
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
A） 70 ° / W时，
2
安装在一个1英寸
2盎司纯铜垫
B） 125 ° / W时，
2
安装在一个0.04
2盎司纯铜垫
三） 135° / W安装在一个时
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
FDR6674A版本D（ W）
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
星* POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
牧师H1
热电冷却器控制器
ADN8830
特点
高效率
小尺寸： 5mm×5mm的LFCSP
低噪音： <0.5 ％ TEC电流纹波
长期温度稳定性： 0.01
温度锁定指示
温度监测输出
振荡器同步与外部信号
时钟相位调整为多个控制器
可编程开关频率高达1MHz
热敏电阻故障报警
最大TEC电压可编程性
应用
热电冷却器（ TEC ）的温度控制
电阻加热元件的控制
温度稳定底物（ TSS ）控制
概述
该ADN8830是推动一个热电偶单片控制器
电动制冷器（TEC ） ，以稳定的激光二极管的温度
或用于电信设备的无源元件。
这种装置依赖于一个负温度系数（NTC）
热敏电阻器来感测物体的附着在该温度
TEC 。在目标温度设定与模拟输入电压
无论是从一个DAC或一个外部电阻分压器。
该回路是由一个PID补偿放大器稳定
高稳定性，低噪音。补偿网络可以是
由用户调节，以优化温度的稳定时间。该
此网络元件值，可以计算基于
激光二极管的热传递功能或获得
从应用说明部分给出的查询表。
提供电压输出，以监视两个温度
对象和整个TEC上的电压。电压参考
为2.5V也被提供。
功能框图
PID补偿
网
从
热敏电阻
温度
SET
输入
V
REF
P沟道
（上MOSFET ）
温度
测量
扩音器
PWM
调节器
MOSFET
DRIVERS
P沟道
（ LOWER MOSFET ）
N沟道
N沟道
电压
参考
振荡器
频率/相位
控制
版本C
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。商标
注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
2003 ADI公司保留所有权利。
ADN8830–SPECIFICATIONS
参数
温度稳定性
长期稳定性
PWM输出驱动
输出转换时间
不重叠的时钟延时
输出电阻
输出电压摆幅
输出电压纹波
输出电流纹波
线性输出放大器
输出电阻
输出电压摆幅
电源
电源电压
电源抑制比
电源电流
关断电流
软启动充电电流
欠压锁定
误差放大器器
输入失调电压
收益
输入电压范围
共模抑制比
开环输入阻抗
增益带宽积
参考电压
参考电压
振荡器
同步范围
振荡器频率
逻辑控制*
逻辑低电平输入阈值
逻辑高输入阈值
逻辑低输出电平
逻辑高电平输出阈值
符号
(@ V
DD
= 3.3 V至5.0 V ，V
GND
= 0 V ，T
A
= 25℃ ，T
SET
= 25℃ ，用典型应用
配置与图1中，示出，除非另有说明）。
民
典型值
最大
单位
条件
使用10 kΩ的热敏电阻
= -4.4在25℃ ％
0.01
20
65
6
V
DD
0.2
0.2
85
178
0
3.0
80
60
V
DD
5.5
92
8
5
15
2.0
50
20
0.2
58
55
68
1
2
12
15
°C
ns
ns
V
%
%
V
V
dB
dB
mA
mA
A
A
V
V
V/V
V
dB
dB
G
兆赫
V
千赫
千赫
t
R
, t
F
R
O
（N1， P1）的
OUT A
OUT A
I
TEC
R
O， P2
R
O， N2
OUT B
V
DD
PSRR
I
SY
I
SD
I
SS
V
OLOCK
V
OS
A
V时，
V
CM
CMRR
R
IN
GBW
V
REF
f
CLK
f
CLK
C
L
= 3300 pF的
50
I
L
= 50毫安
V
LIM
= 0 V
f
CLK
= 1兆赫
f
CLK
= 1兆赫
I
OUT
= 2毫安
I
OUT
= 2毫安
0
V
DD
= 3.3 V至5 V ，V
TEC
= 0 V
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
PWM开关不
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
引脚10 = 0 V
低到高门槛
V
CM
= 1.5 V
0.2 V < V
CM
＆ LT ; 2.0 V
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
2.7
250
2.0
I
REF
< 2毫安
25引脚连接至外部时钟
引脚24 = V
DD
; （R = 150千欧;
引脚25 = GND）
2.37
200
800
2.47
2.57
1,000
1,250
1,000
0.2
3
0.2
V
DD
– 0.2
V
V
V
V
*逻辑
输入符合典型的CMOS I / O条件下的拉/灌电流（ 1
A).
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
版本C
ADN8830
绝对最大额定值*
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6 V
输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND到V
S
+ 0.3 V
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125∞C
铅温度范围（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
ESD额定值
套餐类型
32引脚LFCSP封装（ ACP ）
JA
*
JC
单位
° C / W
35
10
*
JA
为特定网络版为最坏的情况下，即，
JA
被指定为设备
焊接采用4层电路板表面贴装封装。
883 （人体）模型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.0千伏
*讲
超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
订购指南
模型
ADN8830ACP
ADN8830ACP-REEL
ADN8830ACP-REEL7
ADN8830-EVAL
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包装说明
32引脚引脚架构芯片级封装（ LFCSP ）
32引脚引脚架构芯片级封装（ LFCSP ）
32引脚引脚架构芯片级封装（ LFCSP ）
评估板
封装选项
CP-32-1
CP-32-1
CP-32-1
引脚配置
32 NC
31 TEMPOUT
30 AGND
29相
28 SYNCOUT
27软启动
26 FREQ
25 SYNCIN
THERMFAULT 1
THERMIN 2
SD
3
TEMPSET 4
TEMPLOCK 5
NC 6
VREF 7
AVDD 8
销1
指标
ADN8830
顶视图
24 COMPOSC
23 PGND
22 N1
21 P1
20 PVDD
19 OUT A
18 COMPSWIN
17 COMPSWOUT
NC =无连接
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然
ADN8830具有专用ESD保护电路，永久性的损害可能对设备产生
受到高能量静电放电。因此，适当的ESD防范措施建议
以避免性能下降或功能丧失。
版本C
OUT B 9
N2 10
P2 11
TEMPCTL 12
COMPFB 13
COMPOUT 14
VLIM 15
VTEC 16
–3–
ADN8830
引脚功能描述
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
助记符
THERMFAULT
THERMIN
SD
TEMPSET
TEMPLOCK
NC
VREF
AVDD
OUT B
N2
P2
TEMPCTL
COMPFB
COMPOUT
VLIM
VTEC
TYPE
数字输出
模拟量输入
数字输入
模拟量输入
数字输出
描述
表示从热敏电阻开路或短路情况。
热敏电阻反馈输入。
器件进入低电流关断模式。低电平有效。
目标温度输入。
表明当热敏电阻温度范围内
±
目标温0.1 ℃，
perature的设置由TEMPSET电压。
无连接，除非另有说明，在应用笔记部分。
2.5 V基准电压。
电源非驱动部分。 3.0 V分钟; 5.5 V最大。
线性输出反馈。通常连接到TEC + TEC的脚。
线性驱动器输出外部NMOS门。
线性驱动器输出外部PMOS栅极。
输出误差放大器。连接到COMPFB通过前馈
补偿网络的部分。
反馈总结补偿放大器的节点。连接
TEMPCTL和COMPOUT通过补偿网络。
输出补偿放大器。连接到COMPFB通过馈
补偿网络的背面部分。
设置跨TEC最大电压。
表示在整个的TEC相对电压。 1.5 V对应于0 V
跨TEC 。在3.0 V指示的最大输出电压，最大热
通过转移TEC 。
补偿开关放大器。
补偿开关放大器。电容器之间的连接
COMPSWIN和COMPSWOUT 。
PWM输出反馈。通常连接到TEC- TEC的脚。
功率输出驱动部分。 3.0 V分钟; 5.5 V最大。
驱动器的PWM输出外部PMOS栅极。
驱动器的PWM输出外部NMOS门。
电源地。外部NMOS器件连接到PGND 。可以
在这个结点连接到数字地面噪声灵敏度是不严格的。
连接如图所示，在应用笔记部分。
可选的时钟输入。如果没有连接，时钟频率由FREQ引脚设置。
设置开关频率。
控件初始化时间为ADN8830具有电容到地。
阶段调整时钟输出。相位设置从第一阶段引脚。可用于
带动其他ADN8830设备SYNCIN 。
台切换和SYNCOUT时钟相位相对于SYNCIN时钟。
模拟地。应该是最高的精度，噪音低。
指示热敏电阻温度。
无连接。
模拟输出
动力
模拟量输入
模拟输出
模拟输出
模拟输出
模拟量输入
模拟输出
模拟量输入
模拟输出
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
COMPSWOUT
COMPSWIN
OUT A
PVDD
P1
N1
保护地
COMPOSC
SYNCIN
频率
软启动
SYNCOUT
相
AGND
TEMPOUT
NC
模拟输出
模拟量输入
模拟量输入
动力
数字输出
数字输出
地
模拟量输入
数字输入
模拟量输入
模拟量输入
数字输出
模拟量输入
地
模拟输出
–4–
版本C
FDR6674A
2000年4月
初步
FDR6674A
30V N沟道的PowerTrench
MOSFET
概述
这N沟道MOSFET的设计
具体而言，以提高直流/直流整体效率
使用同步或传统转换器
开关PWM控制器。它已被优化为
“低侧”同步整流器的操作，提供了一个
非常低R
DS （ ON）
在小包装。
特点
11.5 A， 30 V
DS （ ON）
= 9.5毫欧@ V
GS
= 4.5 V
R
DS （ ON）
= 8.5毫欧@ V
GS
= 10 V
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
高功率和电流处理能力
面积比SO8小
应用
同步整流器器
DC / DC转换器
D
S
D
S
5
6
4
3
2
1
SuperSOT -8
TM
D
D
D
G
7
8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
评级
30
±12
（注1A ）
单位
V
V
A
W
11.5
50
1.8
1.0
0.9
-55到+150
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
70
20
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
.6674A
设备
FDR6674A
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
2000
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDR6674A版本C （ W）
FDR6674A
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
===T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
===T
J
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，正向
门体泄漏，反向
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 12 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= –12 V , V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
GS
= 4.5 V,
V
GS
= 4.5 V,
V
GS
= 10 V,
V
GS
= 4.5 V,
V
DS
= 10 V,
I
D
= 10.5 A
I
D
= 10.5 A，T
J
125°C
I
D
= 11.5 A
V
DS
= 5 V
I
D
= 11.5 A
民
30
典型值
最大单位
V
开关特性
23
1
100
–100
0.8
1.2
-4
8.2
11.5
6.8
50
75
5070
550
230
V
DD
= 10 V，I
D
= 1 A,
V
GS
= 4.5 V ，R
根
= 6
17
18
69
29
V
DS
= 15 V，I
D
= 11.5 A,
V
GS
= 4.5V
33
7.5
6.8
2.1
（注2 ）
毫伏/°C的
A
nA
nA
V
毫伏/°C的
9.5
16
8
m
A
S
pF
pF
pF
25
25
100
42
46
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
A
V
基本特征
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
2
动态特性
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
V
GS
= 0 V，I
S
= 2.1 A
电压
0.7
1.2
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
A） 70 ° / W时，
2
安装在一个1英寸
2盎司纯铜垫
B） 125 ° / W时，
2
安装在一个0.04
2盎司纯铜垫
三） 135° / W安装在一个时
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
FDR6674A版本C （ W）
SuperSOT
TM
-8卷带式数据和包装尺寸
SSOT- 8封装
CON组fi guration ：
图1.0
自定义标签
包装说明：
SSOT - 8零件运胶带。载带是
从二ssipat香港专业教育学院（羰填写）PO LY碳制成吃
树脂。盖带是一种多层膜（热激活
粘合剂的性质） ，主要由聚酯薄膜，
粘合剂层，密封剂和防静电喷洒剂。
在标准选项，这些跌跌撞撞部件运瓦特第i个
3000个单位13"或330厘米卷筒直径。卷轴是
深蓝色的颜色，是由聚苯乙烯塑料（抗
静电涂层） 。其他选项来在500单位秒每7"或
177厘米卷筒直径。这与一些其他选项是
在Packagin G信息表中进一步描述。
这些满盘都是双vidu盟友barcod 标记，并
放置在一个标准的中间框（生病ustrated在
图1.0 ）由可回收的瓦楞纸眉头纸。
一箱最多包含两个卷轴。与此条款盒
放在IDE插件标记希普条形码荷兰国际集团博X其中H
进来迪fferent大小取决于对的Tg何努MBER件
shippe 。
F63TNR标签
防静电盖带
静态Dissi拍拍IVE
浮雕版载带
F852
831N
F852
831N
F852
831N
F852
831N
F852
831N
销1
SSOT - 8封装信息
包装选项
包装类型
每卷/管材/袋数量
带尺寸
箱尺寸（mm ）
每箱数量最多
每单位重量（克）
每卷重量（kg ）
注/评论
标准
（没有F升流颂歌）
D84Z
TNR
500
7"迪亚
184x187x47
1,000
0.0416
0.0980
TNR
3,000
13" IA
343x64x343
6,000
0.0416
0.5615
SSOT - 8单元定位
343毫米X 342毫米X 64毫米
对于STANDAR 中间盒
和L99Z的Opti项
F63TNR标签
F63TNR
LABEL
F63TNR标签SA MPL ê
184毫米X 187毫米毫米x 47毫米
比萨盒FO D84Z选项
F63TNR
LABEL
LOT ： CBVK741B019
FSID ： FDR835N
数量： 3000
产品规格：
SSOT - 8磁带片头和片尾
CON组fi guration ：
造型玩具E 2.0
D / C1 ： D9842
D / C2 ：
QTY1 ：
QTY2 ：
SPEC REV ：
CPN ：
N / F： F
(F63TNR)3
载带
盖带
组件
Traile 胶带
300毫米英里nimum或
38皆空
铅儿带
500毫米英里nimum或
62空POC凯茨
1999年8月，版本C
热电冷却器控制器
ADN8830
特点
高效率
小尺寸： 5mm×5mm的LFCSP
低噪音： <0.5 ％ TEC电流纹波
长期温度稳定性： 0.01
温度锁定指示
温度监测输出
振荡器同步与外部信号
时钟相位调整为多个控制器
可编程开关频率高达1MHz
热敏电阻故障报警
最大TEC电压可编程性
应用
热电冷却器（ TEC ）的温度控制
电阻加热元件的控制
温度稳定底物（ TSS ）控制
概述
该ADN8830是推动一个热电偶单片控制器
电动制冷器（TEC ） ，以稳定的激光二极管的温度
或用于电信设备的无源元件。
这种装置依赖于一个负温度系数（NTC）
热敏电阻器来感测物体的附着在该温度
TEC 。在目标温度设定与模拟输入电压
无论是从一个DAC或一个外部电阻分压器。
该回路是由一个PID补偿放大器稳定
高稳定性，低噪音。补偿网络可以是
由用户调节，以优化温度的稳定时间。该
此网络元件值，可以计算基于
激光二极管的热传递功能或获得
从应用说明部分给出的查询表。
提供电压输出，以监视两个温度
对象和整个TEC上的电压。电压参考
为2.5V也被提供。
功能框图
PID补偿
网
从
热敏电阻
温度
SET
输入
V
REF
P沟道
（上MOSFET ）
温度
测量
扩音器
PWM
调节器
MOSFET
DRIVERS
P沟道
（ LOWER MOSFET ）
N沟道
N沟道
电压
参考
振荡器
频率/相位
控制
版本C
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。商标
注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
2003 ADI公司保留所有权利。
ADN8830–SPECIFICATIONS
参数
温度稳定性
长期稳定性
PWM输出驱动
输出转换时间
不重叠的时钟延时
输出电阻
输出电压摆幅
输出电压纹波
输出电流纹波
线性输出放大器
输出电阻
输出电压摆幅
电源
电源电压
电源抑制比
电源电流
关断电流
软启动充电电流
欠压锁定
误差放大器器
输入失调电压
收益
输入电压范围
共模抑制比
开环输入阻抗
增益带宽积
参考电压
参考电压
振荡器
同步范围
振荡器频率
逻辑控制*
逻辑低电平输入阈值
逻辑高输入阈值
逻辑低输出电平
逻辑高电平输出阈值
符号
(@ V
DD
= 3.3 V至5.0 V ，V
GND
= 0 V ，T
A
= 25℃ ，T
SET
= 25℃ ，用典型应用
配置与图1中，示出，除非另有说明）。
民
典型值
最大
单位
条件
使用10 kΩ的热敏电阻
= -4.4在25℃ ％
0.01
20
65
6
V
DD
0.2
0.2
85
178
0
3.0
80
60
V
DD
5.5
92
8
5
15
2.0
50
20
0.2
58
55
68
1
2
12
15
°C
ns
ns
V
%
%
V
V
dB
dB
mA
mA
A
A
V
V
V/V
V
dB
dB
G
兆赫
V
千赫
千赫
t
R
, t
F
R
O
（N1， P1）的
OUT A
OUT A
I
TEC
R
O， P2
R
O， N2
OUT B
V
DD
PSRR
I
SY
I
SD
I
SS
V
OLOCK
V
OS
A
V时，
V
CM
CMRR
R
IN
GBW
V
REF
f
CLK
f
CLK
C
L
= 3300 pF的
50
I
L
= 50毫安
V
LIM
= 0 V
f
CLK
= 1兆赫
f
CLK
= 1兆赫
I
OUT
= 2毫安
I
OUT
= 2毫安
0
V
DD
= 3.3 V至5 V ，V
TEC
= 0 V
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
PWM开关不
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
引脚10 = 0 V
低到高门槛
V
CM
= 1.5 V
0.2 V < V
CM
＆ LT ; 2.0 V
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
2.7
250
2.0
I
REF
< 2毫安
25引脚连接至外部时钟
引脚24 = V
DD
; （R = 150千欧;
引脚25 = GND）
2.37
200
800
2.47
2.57
1,000
1,250
1,000
0.2
3
0.2
V
DD
– 0.2
V
V
V
V
*逻辑
输入符合典型的CMOS I / O条件下的拉/灌电流（ 1
A).
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
版本C
ADN8830
绝对最大额定值*
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6 V
输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND到V
S
+ 0.3 V
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125∞C
铅温度范围（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
ESD额定值
套餐类型
32引脚LFCSP封装（ ACP ）
JA
*
JC
单位
° C / W
35
10
*
JA
为特定网络版为最坏的情况下，即，
JA
被指定为设备
焊接采用4层电路板表面贴装封装。
883 （人体）模型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.0千伏
*讲
超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
订购指南
模型
ADN8830ACP
ADN8830ACP-REEL
ADN8830ACP-REEL7
ADN8830-EVAL
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包装说明
32引脚引脚架构芯片级封装（ LFCSP ）
32引脚引脚架构芯片级封装（ LFCSP ）
32引脚引脚架构芯片级封装（ LFCSP ）
评估板
封装选项
CP-32-1
CP-32-1
CP-32-1
引脚配置
32 NC
31 TEMPOUT
30 AGND
29相
28 SYNCOUT
27软启动
26 FREQ
25 SYNCIN
THERMFAULT 1
THERMIN 2
SD
3
TEMPSET 4
TEMPLOCK 5
NC 6
VREF 7
AVDD 8
销1
指标
ADN8830
顶视图
24 COMPOSC
23 PGND
22 N1
21 P1
20 PVDD
19 OUT A
18 COMPSWIN
17 COMPSWOUT
NC =无连接
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然
ADN8830具有专用ESD保护电路，永久性的损害可能对设备产生
受到高能量静电放电。因此，适当的ESD防范措施建议
以避免性能下降或功能丧失。
版本C
OUT B 9
N2 10
P2 11
TEMPCTL 12
COMPFB 13
COMPOUT 14
VLIM 15
VTEC 16
–3–
ADN8830
引脚功能描述
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
助记符
THERMFAULT
THERMIN
SD
TEMPSET
TEMPLOCK
NC
VREF
AVDD
OUT B
N2
P2
TEMPCTL
COMPFB
COMPOUT
VLIM
VTEC
TYPE
数字输出
模拟量输入
数字输入
模拟量输入
数字输出
描述
表示从热敏电阻开路或短路情况。
热敏电阻反馈输入。
器件进入低电流关断模式。低电平有效。
目标温度输入。
表明当热敏电阻温度范围内
±
目标温0.1 ℃，
perature的设置由TEMPSET电压。
无连接，除非另有说明，在应用笔记部分。
2.5 V基准电压。
电源非驱动部分。 3.0 V分钟; 5.5 V最大。
线性输出反馈。通常连接到TEC + TEC的脚。
线性驱动器输出外部NMOS门。
线性驱动器输出外部PMOS栅极。
输出误差放大器。连接到COMPFB通过前馈
补偿网络的部分。
反馈总结补偿放大器的节点。连接
TEMPCTL和COMPOUT通过补偿网络。
输出补偿放大器。连接到COMPFB通过馈
补偿网络的背面部分。
设置跨TEC最大电压。
表示在整个的TEC相对电压。 1.5 V对应于0 V
跨TEC 。在3.0 V指示的最大输出电压，最大热
通过转移TEC 。
补偿开关放大器。
补偿开关放大器。电容器之间的连接
COMPSWIN和COMPSWOUT 。
PWM输出反馈。通常连接到TEC- TEC的脚。
功率输出驱动部分。 3.0 V分钟; 5.5 V最大。
驱动器的PWM输出外部PMOS栅极。
驱动器的PWM输出外部NMOS门。
电源地。外部NMOS器件连接到PGND 。可以
在这个结点连接到数字地面噪声灵敏度是不严格的。
连接如图所示，在应用笔记部分。
可选的时钟输入。如果没有连接，时钟频率由FREQ引脚设置。
设置开关频率。
控件初始化时间为ADN8830具有电容到地。
阶段调整时钟输出。相位设置从第一阶段引脚。可用于
带动其他ADN8830设备SYNCIN 。
台切换和SYNCOUT时钟相位相对于SYNCIN时钟。
模拟地。应该是最高的精度，噪音低。
指示热敏电阻温度。
无连接。
模拟输出
动力
模拟量输入
模拟输出
模拟输出
模拟输出
模拟量输入
模拟输出
模拟量输入
模拟输出
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
COMPSWOUT
COMPSWIN
OUT A
PVDD
P1
N1
保护地
COMPOSC
SYNCIN
频率
软启动
SYNCOUT
相
AGND
TEMPOUT
NC
模拟输出
模拟量输入
模拟量输入
动力
数字输出
数字输出
地
模拟量输入
数字输入
模拟量输入
模拟量输入
数字输出
模拟量输入
地
模拟输出
–4–
版本C
热电冷却器控制器
ADN8830
特点
高效率
小尺寸： 5mm×5mm的LFCSP
低噪音： <0.5 ％ TEC电流纹波
长期温度稳定性： 0.01
温度锁定指示
温度监测输出
振荡器同步与外部信号
时钟相位调整为多个控制器
可编程开关频率高达1MHz
热敏电阻故障报警
最大TEC电压可编程性
应用
热电冷却器（ TEC ）的温度控制
电阻加热元件的控制
温度稳定底物（ TSS ）控制
概述
该ADN8830是推动一个热电偶单片控制器
电动制冷器（TEC ） ，以稳定的激光二极管的温度
或用于电信设备的无源元件。
这种装置依赖于一个负温度系数（NTC）
热敏电阻器来感测物体的附着在该温度
TEC 。在目标温度设定与模拟输入电压
无论是从一个DAC或一个外部电阻分压器。
该回路是由一个PID补偿放大器稳定
高稳定性，低噪音。补偿网络可以是
由用户调节，以优化温度的稳定时间。该
此网络元件值，可以计算基于
激光二极管的热传递功能或获得
从应用说明部分给出的查询表。
提供电压输出，以监视两个温度
对象和整个TEC上的电压。电压参考
为2.5V也被提供。
功能框图
PID补偿
网
从
热敏电阻
温度
SET
输入
V
REF
P沟道
（上MOSFET ）
温度
测量
扩音器
PWM
调节器
MOSFET
DRIVERS
P沟道
（ LOWER MOSFET ）
N沟道
N沟道
电压
参考
振荡器
频率/相位
控制
启示录
D
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。商标
注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
www.analog.com
传真：
781/461-3113
2012
ADI公司保留所有权利。
ADN8830–SPECIFICATIONS
参数
温度稳定性
长期稳定性
PWM输出驱动
输出转换时间
不重叠的时钟延时
输出电阻
输出电压摆幅
输出电压纹波
输出电流纹波
线性输出放大器
输出电阻
输出电压摆幅
电源
电源电压
电源抑制比
电源电流
关断电流
软启动充电电流
欠压锁定
误差放大器器
输入失调电压
收益
输入电压范围
共模抑制比
开环输入阻抗
增益带宽积
参考电压
参考电压
振荡器
同步范围
振荡器频率
逻辑控制*
逻辑低电平输入阈值
逻辑高输入阈值
逻辑低输出电平
逻辑高电平输出阈值
符号
(@ V
DD
= 3.3 V至5.0 V ，V
GND
= 0 V ，T
A
= 25℃ ，T
SET
= 25℃ ，用典型应用
配置与图1中，示出，除非另有说明）。
民
典型值
最大
单位
条件
使用10 kΩ的热敏电阻
= -4.4在25℃ ％
0.01
20
65
6
V
DD
0.2
0.2
85
178
0
3.0
80
60
V
DD
5.5
92
8
5
15
2.0
50
20
0.2
58
55
68
1
2
12
15
°C
ns
ns
Ω
V
%
%
Ω
Ω
V
V
dB
dB
mA
mA
μA
μA
V
μV
V/V
V
dB
dB
GΩ
兆赫
V
千赫
千赫
t
R
, t
F
R
O
（N1， P1）的
OUT A
OUT A
I
TEC
R
O， P2
R
O， N2
OUT B
V
DD
PSRR
I
SY
I
SD
I
SS
V
OLOCK
V
OS
A
V时，
V
CM
CMRR
R
IN
GBW
V
REF
f
CLK
f
CLK
C
L
= 3300 pF的
50
I
L
= 50毫安
V
LIM
= 0 V
f
CLK
= 1兆赫
f
CLK
= 1兆赫
I
OUT
= 2毫安
I
OUT
= 2毫安
0
V
DD
= 3.3 V至5 V ，V
TEC
= 0 V
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
PWM开关不
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
引脚10 = 0 V
低到高门槛
V
CM
= 1.5 V
0.2 V < V
CM
＆ LT ; 2.0 V
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
2.7
250
2.0
I
REF
< 2毫安
25引脚连接至外部时钟
引脚24 = V
DD
; （R = 150千欧;
引脚25 = GND）
2.37
200
800
2.47
2.57
1,000
1,250
1,000
0.2
3
0.2
V
DD
– 0.2
V
V
V
V
*逻辑
输入符合典型的CMOS I / O条件下的拉/灌电流（ 1
μA).
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
启示录
D
ADN8830
绝对最大额定值*
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6 V
输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND到V
S
+ 0.3 V
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125∞C
铅温度范围（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
ESD额定值
套餐类型
32引脚LFCSP封装（ ACP ）
JA
*
JC
单位
° C / W
35
10
*
JA
为特定网络版为最坏的情况下，即，
JA
被指定为设备
焊接采用4层电路板表面贴装封装。
883 （人体）模型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.0千伏
*讲
超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
引脚配置
32 NC
31 TEMPOUT
30 AGND
29相
28 SYNCOUT
27软启动
26 FREQ
25 SYNCIN
THERMFAULT 1
THERMIN 2
SD
3
TEMPSET 4
TEMPLOCK 5
NC 6
VREF 7
AVDD 8
销1
指标
ADN8830
顶视图
24 COMPOSC
23 PGND
22 N1
21 P1
20 PVDD
19 OUT A
18 COMPSWIN
17 COMPSWOUT
NC =无连接
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然
ADN8830具有专用ESD保护电路，永久性的损害可能对设备产生
受到高能量静电放电。因此，适当的ESD防范措施建议
以避免性能下降或功能丧失。
裸露焊盘的底部
包装必须连接到V
CC
OR
GND层。
启示录
D
OUT B 9
N2 10
P2 11
TEMPCTL 12
COMPFB 13
COMPOUT 14
VLIM 15
VTEC 16
–3–
ADN8830
引脚功能描述
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
助记符
THERMFAULT
THERMIN
SD
TEMPSET
TEMPLOCK
NC
VREF
AVDD
OUT B
N2
P2
TEMPCTL
COMPFB
COMPOUT
VLIM
VTEC
TYPE
数字输出
模拟量输入
数字输入
模拟量输入
数字输出
描述
表示从热敏电阻开路或短路情况。
热敏电阻反馈输入。
器件进入低电流关断模式。低电平有效。
目标温度输入。
表明当热敏电阻温度范围内
±
目标温0.1 ℃，
perature的设置由TEMPSET电压。
无连接，除非另有说明，在应用笔记部分。
2.5 V基准电压。
电源非驱动部分。 3.0 V分钟; 5.5 V最大。
线性输出反馈。通常连接到TEC + TEC的脚。
线性驱动器输出外部NMOS门。
线性驱动器输出外部PMOS栅极。
输出误差放大器。连接到COMPFB通过前馈
补偿网络的部分。
反馈总结补偿放大器的节点。连接
TEMPCTL和COMPOUT通过补偿网络。
输出补偿放大器。连接到COMPFB通过馈
补偿网络的背面部分。
设置跨TEC最大电压。
表示在整个的TEC相对电压。 1.5 V对应于0 V
跨TEC 。在3.0 V指示的最大输出电压，最大热
通过转移TEC 。
补偿开关放大器。
补偿开关放大器。电容器之间的连接
COMPSWIN和COMPSWOUT 。
PWM输出反馈。通常连接到TEC- TEC的脚。
功率输出驱动部分。 3.0 V分钟; 5.5 V最大。
驱动器的PWM输出外部PMOS栅极。
驱动器的PWM输出外部NMOS门。
电源地。外部NMOS器件连接到PGND 。可以
在这个结点连接到数字地面噪声灵敏度是不严格的。
连接如图所示，在应用笔记部分。
可选的时钟输入。如果没有连接，时钟频率由FREQ引脚设置。
设置开关频率。
控件初始化时间为ADN8830具有电容到地。
阶段调整时钟输出。相位设置从第一阶段引脚。可用于
带动其他ADN8830设备SYNCIN 。
台切换和SYNCOUT时钟相位相对于SYNCIN时钟。
模拟地。应该是最高的精度，噪音低。
指示热敏电阻温度。
无连接。
在封装的底面露出的焊盘必须连接到V
CC
或
接地平面。
模拟输出
动力
模拟量输入
模拟输出
模拟输出
模拟输出
模拟量输入
模拟输出
模拟量输入
模拟输出
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
EP
COMPSWOUT
COMPSWIN
OUT A
PVDD
P1
N1
保护地
COMPOSC
SYNCIN
频率
软启动
SYNCOUT
相
AGND
TEMPOUT
NC
裸露焊盘
模拟输出
模拟量输入
模拟量输入
动力
数字输出
数字输出
地
模拟量输入
数字输入
模拟量输入
模拟量输入
数字输出
模拟量输入
地
模拟输出
–4–
启示录
D
QQ：2880707522 复制
