FOD814系列， FOD617系列， FOD817系列4针高工作温度光电晶体管光耦合器
2006年5月
FOD814系列， FOD617系列， FOD817系列
4针高工作温度
光电晶体管光耦合器
特点
■
交流输入（ FOD814只）
■
适用于无铅IR再溢流焊接
■
紧凑型4 -pin封装
■
在选定组电流传输比：
tm
描述
该FOD814由两个砷化镓红外
发光二极管，反向并联连接，驱动
在一个4针的双列直插式硅光电晶体管输出
封装。该FOD617 / 817系列由镓
砷化镓红外发光二极管驱动硅
光电晶体管的4脚双列直插式封装。
■
■
■
■
FOD617A ： 40-80 ％
FOD817 ： 50-600 ％
FOD617B ： 63-125 ％
FOD817A ： 80-160 ％
FOD617C ： 100-200 ％
FOD817B ： 130-260 ％
FOD617D ： 160-320 ％
FOD817C ： 200-400 ％
FOD814 ： 20-300 ％
FOD817D ： 300-600 ％
FOD814A ： 50-150 ％
C- UL ， UL和VDE认证
5000Vrms高输入输出隔离电压
最低BV
首席执行官
70V的保证
较高的工作温度（与H11AXXX
同行）
应用
FOD814系列
■
AC在线监测
■
未知极性直流传感器
■
电话线接口
FOD617和FOD817系列
■
电源稳压器
■
数字逻辑输入
■
微处理器的输入
功能框图
阳极，阴极1
4珍藏
阳极1
4珍藏
阴极，阳极2
3发射器
阴极2
3发射器
4
FOD814
FOD617/817
1
2006仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FOD814系列， FOD617系列， FOD817系列版本1.0.5
FOD814系列， FOD617系列， FOD817系列4针高工作温度光电晶体管光耦合器
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
价值
符号
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
合计
辐射源
I
F
V
R
P
D
探测器
V
首席执行官
V
ECO
I
C
P
C
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
连续集电极电流
集电极耗散功率
减免上述90℃
6
50
150
2.9
70
6 （ FOD817 ）
7 （ FOD617 ）
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
连续正向电流
反向电压
功耗
减免上述100℃
±50
–
70
1.7
50
6
mW
毫瓦/°C的
mA
单位
参数
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
总功耗
FOD814
FOD617/817
°C
°C
°C
mW
设备总
-55到+150
-55至+105
200
-55到+110
260 ，持续10秒
2
FOD814系列， FOD617系列， FOD817系列版本1.0.5
www.fairchildsemi.com
FOD814系列， FOD617系列， FOD817系列4针高工作温度光电晶体管光耦合器
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
符号
辐射源
V
F
正向电压
FOD814
FOD617
FOD817
I
R
C
t
反向漏电流
终端电容
FOD617
FOD817
FOD814
FOD617
FOD817
探测器
I
首席执行官
集电极暗电流
FOD814
FOD617C/D
FOD617A/B
FOD817
BV
首席执行官
集电极 - 发射极击穿
电压
FOD814
FOD617
FOD817
BV
ECO
发射极 - 集电极击穿
电压
FOD814
FOD617
FOD817
V
CE
= 20V ，我
F
= 0
V
CE
= 10V ，我
F
= 0
V
CE
= 10V ，我
F
= 0
V
CE
= 20V ，我
F
= 0
I
C
= 0.1毫安，我
F
= 0
I
C
= 100μA ，我
F
= 0
I
C
= 0.1毫安，我
F
= 0
I
E
= 10μA ，我
F
= 0
I
E
= 10μA ，我
F
= 0
I
E
= 10μA ，我
F
= 0
–
–
–
–
70
70
70
6
7
6
–
1
1
–
–
–
–
–
–
–
100
100
50
100
–
–
–
–
–
–
V
V
nA
I
F
= -20mA
I
F
= 60毫安
I
F
= 20mA下
V
R
= 6.0V
V
R
= 4.0V
V = 0 ， F = 1kHz时
V = 0 ， F = 1kHz时
V = 0 ， F = 1kHz时
–
–
–
–
–
–
–
–
1.2
1.35
1.2
0.001
–
50
30
30
1.4
1.65
1.4
10
10
250
250
250
pF
A
V
参数
设备
测试条件
分钟。
TYP 。 *
马克斯。
单位
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
符号DC特性
CTR
电流传输
比
设备
FOD814
FOD814A
FOD617A
FOD617B
FOD617C
FOD617D
FOD617A
FOD617B
FOD617C
FOD617D
FOD817
FOD817A
FOD817B
FOD817C
FOD817D
V
CE （SAT）
集电极 - 发射极
饱和电压
FOD814
FOD617
FOD817
*在T典型值
A
= 25°C
3
FOD814系列， FOD617系列， FOD817系列版本1.0.5
www.fairchildsemi.com
测试条件
I
F
= -1mA ，V
CE
= 5V
(1)
I
F
= 10毫安，V
CE
= 5V
(1)
分钟。
20
50
40
63
100
160
TYP 。 *
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0.1
–
0.1
马克斯。
300
150
80
125
200
320
–
–
–
–
600
160
260
400
600
0.2
0.4
0.2
单位
%
I
F
= 1mA时， V
CE
= 5V
(1)
13
22
34
56
I
F
= 5毫安，V
CE
= 5V
(1)
50
80
130
200
300
I
F
= -20mA ，我
C
= 1毫安
I
F
= 10毫安，我
C
= 2.5毫安
I
F
= 20mA时，我
C
= 1毫安
–
–
–
V
FOD814系列， FOD617系列， FOD817系列4针高工作温度光电晶体管光耦合器
传输特性
（续） （T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
符号AC特性
f
C
t
r
截止频率
响应时间（上升）
设备
FOD814
FOD814
FOD617
FOD817
测试条件
V
CE
= 5V ，我
C
= 2毫安，R
L
= 100
,
-3dB
V
CE
= 2 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
(2)
分钟。
15
–
（典型值） *最大。单位
80
4
–
18
千赫
s
t
f
响应时间（秋季）
FOD814
FOD617
FOD817
–
3
18
s
隔离特性
符号
V
ISO
特征
输入输出隔离
电压
(3)
设备
FOD814
FOD617
FOD817
FOD814
FOD617
FOD817
测试条件
F = 60赫兹，吨= 1分钟，
I
我-O
≤
2A
分钟。
5000
TYP 。 *
马克斯。
单位
VAC （ RMS）
R
ISO
绝缘电阻
V
我-O
= 500V直流
5x10
10
1x10
11
—
C
ISO
隔离电容
FOD814
FOD617
FOD817
V
我-O
= 0中，f = 1 MHz的
0.6
1.0
pf
*在T典型值
A
= 25°C
注意事项：
1.电流传输比（ CTR ） = I
C
/I
F
x 100%.
2.对于测试电路的设置和波形，请参阅第4页。
3.对于本试验中，引脚1和2是常见的，销3和4中是常见的。
4
FOD814系列， FOD617系列， FOD817系列版本1.0.5
www.fairchildsemi.com
FOD814系列， FOD617系列， FOD817系列4针高工作温度光电晶体管光耦合器
典型电气/光学特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
图。 1集电极耗散功率
- 环境温度
(FOD814)
200
图。 2集电极耗散功率
- 环境温度
(FOD617/817)
200
150
150
100
100
50
50
0
-55 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120
环境温度T
A
(°C)
0
-55 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120
环境温度T
A
(°C)
6
集电极 - 发射极饱和
电压V
CE
（ SAT ） （V ）
5
4
3
2
1
0
图。 3集电极 - 发射极饱和电压
与正向电流
图。 4正向电流与正向电压
(FOD814)
100
正向电流I
F
（MA ）
T
A
= 105 C
75 C
o
o
IC = 0.5米一
1m的情况
3M公司
5百万
7米一
TA = 25°C
10
50 C
o
25
o
C
0
o
C
1
-30 C
-55 C
o
o
0
2.5
5.0
7.5 10.0 12.5
正向电流I
F
（MA ）
15.0
0.1
0.5
1.0
1.5
2.0
正向电压V
F
(V)
电流传输比CTR （ ％ ）
图。 5正向电流与正向电压
(FOD617/817)
100
正向电流I
F
（MA ）
T
A
= 110 C
75 C
o
o
图。 6电流传输比
与正向电流
140
120
100
80
60
40
20
V = 5V
TA = 25℃
FOD617/817
10
50 C
o
25
o
C
0
o
C
1
-30 C
-55 C
o
o
FOD814
0.1
0.5
1.0
1.5
2.0
0
0. 1 0.2
正向电压V
F
(V)
0.5 1 2
5 10 20 50 100
正向电流I
F
（MA ）
5
FOD814系列， FOD617系列， FOD817系列版本1.0.5
www.fairchildsemi.com
FOD814系列， FOD617系列， FOD817系列4针光电晶体管光耦合器
2005年11月
FOD814系列， FOD617系列， FOD817系列
4引脚光电晶体管光耦合器
特点
■
交流输入（ FOD814只）
■
适用于无铅IR再溢流焊接
■
紧凑型4 -pin封装
■
在选定组电流传输比：
应用
FOD814系列
■
AC在线监测
■
未知极性直流传感器
■
电话线接口
FOD617和FOD817系列
■
电源稳压器
■
数字逻辑输入
■
微处理器的输入
■
■
■
■
FOD617A ： 40-80 ％
FOD817 ： 50-600 ％
FOD617B ： 63-125 ％
FOD817A ： 80-160 ％
FOD617C ： 100-200 ％
FOD817B ： 130-260 ％
FOD617D ： 160-320 ％
FOD817C ： 200-400 ％
FOD814 ： 20-300 ％
FOD817D ： 300-600 ％
FOD814A ： 50-150 ％
C- UL ， UL和VDE认证
5000Vrms高输入输出隔离电压
较高的工作温度（与FODXXX
同行）
最低BV
首席执行官
70V的保证
描述
该FOD814由两个砷化镓红外
发光二极管，反向并联连接，驱动
在一个4针的双列直插式硅光电晶体管输出
封装。该FOD617 / 817系列由镓
砷化镓红外发光二极管驱动硅
光电晶体管的4脚双列直插式封装。
功能框图
阳极，阴极1
4珍藏
阳极1
4珍藏
阴极，阳极2
3发射器
阴极2
3发射器
4
FOD814
FOD617/817
1
2005仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FOD814系列， FOD617系列， FOD817系列版本1.0.2
FOD814系列， FOD617系列， FOD817系列4针光电晶体管光耦合器
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
价值
参数
设备总
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
总功耗
辐射源
连续正向电流
反向电压
功耗
减免上述100℃
探测器
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
连续集电极电流
集电极耗散功率
减免上述90℃
V
首席执行官
V
ECO
I
C
P
C
6
50
150
2.9
70
6 （ FOD817 ）
7 （ FOD617 ）
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
I
F
V
R
P
D
±50
—
70
1.7
50
6
mW
毫瓦/°C的
mA
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
合计
-55到+150
-55至+105
200
-55到+110
260 ，持续10秒
°C
°C
°C
mW
单位
符号
FOD814
FOD617/817
2
FOD814系列， FOD617系列， FOD817系列版本1.0.2
www.fairchildsemi.com
FOD814系列， FOD617系列， FOD817系列4针光电晶体管光耦合器
电气/特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
参数
辐射源
正向电压
FOD814
FOD617
FOD817
FOD617
FOD817
FOD814
FOD617
FOD817
FOD814
FOD617C/
D
FOD617A/
B
FOD817
FOD814
FOD617
FOD817
FOD814
FOD617
FOD817
(I
F
= -20毫安）
(I
F
= 60 mA）的
(I
F
= 20 mA）的
(V
R
= 6.0 V)
(V
R
= 4.0 V)
（V = 0中，f = 1 kHz）的
（V = 0中，f = 1 kHz）的
（V = 0中，f = 1 kHz）的
(V
CE
= 20 V，I
F
= 0)
(V
CE
= 10 V，I
F
= 0)
(V
CE
= 10 V，I
F
= 0)
(V
CE
= 20 V，I
F
= 0)
V
F
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.2
1.35
1.2
0.001
—
50
30
30
—
1
1
—
1.4
1.65
1.4
10
10
250
250
250
100
100
50
100
V
设备
测试条件
符号
民
典型*
最大
单位
反向漏电流
终端电容
I
R
C
t
A
pF
探测器
集电极暗电流
I
首席执行官
nA
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
(I
C
= 0.1毫安，我
F
= 0)
(I
C
= 100 A ，我
F
= 0)
(I
C
= 0.1毫安，我
F
= 0)
(I
E
= 10 μA ，我
F
= 0)
(I
E
= 10 μA ，我
F
= 0)
(I
E
= 10 μA ，我
F
= 0)
BV
首席执行官
70
70
70
6
7
6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
V
BV
ECO
V
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
DC特性
电流传输
比
设备
FOD814
FOD814A
FOD617A
FOD617B
FOD617C
FOD617D
FOD617A
FOD617B
FOD617C
FOD617D
FOD817
FOD817A
FOD817B
FOD817C
FOD817D
集电极 - 发射极
饱和电压
FOD814
FOD617
FOD817
截止频率
FOD814
I
F
= -20毫安，我
C
= 1毫安
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
I
F
= 20 mA时，我
C
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
， -3dB
f
C
V
CE （SAT）
I
F
= 5毫安， V
CE
= 5 V
1
I
F
= 1毫安， V
CE
= 5 V
1
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5 V
1
测试条件
I
F
= -1毫安，V
CE
= 5 V
1
符号
CTR
民
20
50
40
63
100
160
13
22
34
56
50
80
130
200
300
—
—
—
15
—
—
—
—
—
0.1
—
0.1
80
600
160
260
400
600
0.2
0.4
0.2
—
千赫
V
典型*
—
最大
300
150
80
125
200
320
单位
%
*在T典型值
A
= 25°C
3
FOD814系列， FOD617系列， FOD817系列版本1.0.2
www.fairchildsemi.com
FOD814系列， FOD617系列， FOD817系列4针光电晶体管光耦合器
传输特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
AC特性
响应时间（上升）
设备
FOD814
FOD617
FOD817
FOD814
FOD617
FOD817
测试条件
V
CE
= 2 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
2
符号
t
r
民
—
典型*
4
最大
18
单位
s
响应时间（秋季）
t
f
—
3
18
s
隔离特性
特征
输入输出隔离
电压
3
设备
FOD814
FOD617
FOD817
FOD814
FOD617
FOD817
测试条件
F = 60Hz的， T = 1分
符号
V
ISO
民
5000
典型*
最大
单位
VAC （ RMS）
绝缘电阻
V
我-O
= 500 VDC
R
ISO
5x10
10
1x10
11
—
隔离电容
FOD814
FOD617
FOD817
V
我-O
= 0中，f = 1 MHz的
C
ISO
0.6
1.0
pf
*在T典型值
A
= 25°C
笔记
1.电流传输比（ CTR ） = I
C
/I
F
x 100%.
2.对于测试电路的设置和波形，请参阅第4页。
3.对于本试验中，引脚1和2是常见的，销3和4中是常见的。
4
FOD814系列， FOD617系列， FOD817系列版本1.0.2
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FOD814系列， FOD617系列， FOD817系列4针光电晶体管光耦合器
典型的电/光特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
图。 1集电极耗散功率
- 环境温度
(FOD814)
200
图。 2集电极耗散功率
- 环境温度
(FOD617/817)
200
150
150
100
100
50
50
0
-55 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120
环境温度T
A
(°C)
0
-55 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120
环境温度T
A
(°C)
6
集电极 - 发射极饱和
电压V
CE
（ SAT ） （V ）
5
4
3
2
1
0
图。 3集电极 - 发射极饱和电压
与正向电流
图。 4正向电流与正向电压
(FOD814)
100
正向电流I
F
（MA ）
T
A
= 105 C
75 C
o
o
IC = 0.5米一
1m的情况
3M公司
5百万
7米一
TA = 25°C
10
50 C
o
25
o
C
0
o
C
1
-30 C
-55 C
o
o
0
2.5
5.0
7.5 10.0 12.5
正向电流I
F
（MA ）
15.0
0.1
0.5
1.0
1.5
2.0
正向电压V
F
(V)
电流传输比CTR （ ％ ）
图。 5正向电流与正向电压
(FOD617/817)
100
正向电流I
F
（MA ）
T
A
= 110 C
75 C
o
o
图。 6电流传输比
与正向电流
140
120
100
80
60
40
20
V = 5V
TA = 25℃
FOD617/817
10
50 C
o
25
o
C
0
o
C
1
-30 C
-55 C
o
o
FOD814
0.1
0.5
1.0
1.5
2.0
0
0. 1 0.2
正向电压V
F
(V)
0.5 1 2
5 10 20 50 100
正向电流I
F
（MA ）
5
FOD814系列， FOD617系列， FOD817系列版本1.0.2
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FOD814系列， FOD617系列， FOD817系列4针光电晶体管光耦合器
2005年11月
FOD814系列， FOD617系列， FOD817系列
4引脚光电晶体管光耦合器
特点
■
交流输入（ FOD814只）
■
适用于无铅IR再溢流焊接
■
紧凑型4 -pin封装
■
在选定组电流传输比：
应用
FOD814系列
■
AC在线监测
■
未知极性直流传感器
■
电话线接口
FOD617和FOD817系列
■
电源稳压器
■
数字逻辑输入
■
微处理器的输入
■
■
■
■
FOD617A ： 40-80 ％
FOD817 ： 50-600 ％
FOD617B ： 63-125 ％
FOD817A ： 80-160 ％
FOD617C ： 100-200 ％
FOD817B ： 130-260 ％
FOD617D ： 160-320 ％
FOD817C ： 200-400 ％
FOD814 ： 20-300 ％
FOD817D ： 300-600 ％
FOD814A ： 50-150 ％
C- UL ， UL和VDE认证
5000Vrms高输入输出隔离电压
较高的工作温度（与FODXXX
同行）
最低BV
首席执行官
70V的保证
描述
该FOD814由两个砷化镓红外
发光二极管，反向并联连接，驱动
在一个4针的双列直插式硅光电晶体管输出
封装。该FOD617 / 817系列由镓
砷化镓红外发光二极管驱动硅
光电晶体管的4脚双列直插式封装。
功能框图
阳极，阴极1
4珍藏
阳极1
4珍藏
阴极，阳极2
3发射器
阴极2
3发射器
4
FOD814
FOD617/817
1
2005仙童半导体公司
1
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FOD814系列， FOD617系列， FOD817系列版本1.0.2
FOD814系列， FOD617系列， FOD817系列4针光电晶体管光耦合器
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
价值
参数
设备总
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
总功耗
辐射源
连续正向电流
反向电压
功耗
减免上述100℃
探测器
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
连续集电极电流
集电极耗散功率
减免上述90℃
V
首席执行官
V
ECO
I
C
P
C
6
50
150
2.9
70
6 （ FOD817 ）
7 （ FOD617 ）
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
I
F
V
R
P
D
±50
—
70
1.7
50
6
mW
毫瓦/°C的
mA
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
合计
-55到+150
-55至+105
200
-55到+110
260 ，持续10秒
°C
°C
°C
mW
单位
符号
FOD814
FOD617/817
2
FOD814系列， FOD617系列， FOD817系列版本1.0.2
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FOD814系列， FOD617系列， FOD817系列4针光电晶体管光耦合器
电气/特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
参数
辐射源
正向电压
FOD814
FOD617
FOD817
FOD617
FOD817
FOD814
FOD617
FOD817
FOD814
FOD617C/
D
FOD617A/
B
FOD817
FOD814
FOD617
FOD817
FOD814
FOD617
FOD817
(I
F
= -20毫安）
(I
F
= 60 mA）的
(I
F
= 20 mA）的
(V
R
= 6.0 V)
(V
R
= 4.0 V)
（V = 0中，f = 1 kHz）的
（V = 0中，f = 1 kHz）的
（V = 0中，f = 1 kHz）的
(V
CE
= 20 V，I
F
= 0)
(V
CE
= 10 V，I
F
= 0)
(V
CE
= 10 V，I
F
= 0)
(V
CE
= 20 V，I
F
= 0)
V
F
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.2
1.35
1.2
0.001
—
50
30
30
—
1
1
—
1.4
1.65
1.4
10
10
250
250
250
100
100
50
100
V
设备
测试条件
符号
民
典型*
最大
单位
反向漏电流
终端电容
I
R
C
t
A
pF
探测器
集电极暗电流
I
首席执行官
nA
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
(I
C
= 0.1毫安，我
F
= 0)
(I
C
= 100 A ，我
F
= 0)
(I
C
= 0.1毫安，我
F
= 0)
(I
E
= 10 μA ，我
F
= 0)
(I
E
= 10 μA ，我
F
= 0)
(I
E
= 10 μA ，我
F
= 0)
BV
首席执行官
70
70
70
6
7
6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
V
BV
ECO
V
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
DC特性
电流传输
比
设备
FOD814
FOD814A
FOD617A
FOD617B
FOD617C
FOD617D
FOD617A
FOD617B
FOD617C
FOD617D
FOD817
FOD817A
FOD817B
FOD817C
FOD817D
集电极 - 发射极
饱和电压
FOD814
FOD617
FOD817
截止频率
FOD814
I
F
= -20毫安，我
C
= 1毫安
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
I
F
= 20 mA时，我
C
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
， -3dB
f
C
V
CE （SAT）
I
F
= 5毫安， V
CE
= 5 V
1
I
F
= 1毫安， V
CE
= 5 V
1
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5 V
1
测试条件
I
F
= -1毫安，V
CE
= 5 V
1
符号
CTR
民
20
50
40
63
100
160
13
22
34
56
50
80
130
200
300
—
—
—
15
—
—
—
—
—
0.1
—
0.1
80
600
160
260
400
600
0.2
0.4
0.2
—
千赫
V
典型*
—
最大
300
150
80
125
200
320
单位
%
*在T典型值
A
= 25°C
3
FOD814系列， FOD617系列， FOD817系列版本1.0.2
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FOD814系列， FOD617系列， FOD817系列4针光电晶体管光耦合器
传输特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
AC特性
响应时间（上升）
设备
FOD814
FOD617
FOD817
FOD814
FOD617
FOD817
测试条件
V
CE
= 2 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
2
符号
t
r
民
—
典型*
4
最大
18
单位
s
响应时间（秋季）
t
f
—
3
18
s
隔离特性
特征
输入输出隔离
电压
3
设备
FOD814
FOD617
FOD817
FOD814
FOD617
FOD817
测试条件
F = 60Hz的， T = 1分
符号
V
ISO
民
5000
典型*
最大
单位
VAC （ RMS）
绝缘电阻
V
我-O
= 500 VDC
R
ISO
5x10
10
1x10
11
—
隔离电容
FOD814
FOD617
FOD817
V
我-O
= 0中，f = 1 MHz的
C
ISO
0.6
1.0
pf
*在T典型值
A
= 25°C
笔记
1.电流传输比（ CTR ） = I
C
/I
F
x 100%.
2.对于测试电路的设置和波形，请参阅第4页。
3.对于本试验中，引脚1和2是常见的，销3和4中是常见的。
4
FOD814系列， FOD617系列， FOD817系列版本1.0.2
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FOD814系列， FOD617系列， FOD817系列4针光电晶体管光耦合器
典型的电/光特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
图。 1集电极耗散功率
- 环境温度
(FOD814)
200
图。 2集电极耗散功率
- 环境温度
(FOD617/817)
200
150
150
100
100
50
50
0
-55 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120
环境温度T
A
(°C)
0
-55 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120
环境温度T
A
(°C)
6
集电极 - 发射极饱和
电压V
CE
（ SAT ） （V ）
5
4
3
2
1
0
图。 3集电极 - 发射极饱和电压
与正向电流
图。 4正向电流与正向电压
(FOD814)
100
正向电流I
F
（MA ）
T
A
= 105 C
75 C
o
o
IC = 0.5米一
1m的情况
3M公司
5百万
7米一
TA = 25°C
10
50 C
o
25
o
C
0
o
C
1
-30 C
-55 C
o
o
0
2.5
5.0
7.5 10.0 12.5
正向电流I
F
（MA ）
15.0
0.1
0.5
1.0
1.5
2.0
正向电压V
F
(V)
电流传输比CTR （ ％ ）
图。 5正向电流与正向电压
(FOD617/817)
100
正向电流I
F
（MA ）
T
A
= 110 C
75 C
o
o
图。 6电流传输比
与正向电流
140
120
100
80
60
40
20
V = 5V
TA = 25℃
FOD617/817
10
50 C
o
25
o
C
0
o
C
1
-30 C
-55 C
o
o
FOD814
0.1
0.5
1.0
1.5
2.0
0
0. 1 0.2
正向电压V
F
(V)
0.5 1 2
5 10 20 50 100
正向电流I
F
（MA ）
5
FOD814系列， FOD617系列， FOD817系列版本1.0.2
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