FDMC8296 N沟道功率沟槽
MOSFET
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
I
D
= 250μA ，引用至25℃
V
DS
= 24V,
V
GS
= 0V,
T
J
= 125°C
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
30
17
1
250
±100
V
毫伏/°C的
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
r
DS （ ON）
g
FS
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
I
D
= 250μA ，引用至25℃
V
GS
= 10V ，我
D
= 12A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 10A
V
GS
= 10V ，我
D
= 12A ，T
J
= 125°C
V
DD
= 5V ，我
D
= 12A
1.0
1.9
-6
6.5
9.5
9.0
44
8.0
13.0
12.8
S
m
3.0
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
F = 1MHz的
1038
513
87
0.9
1385
685
135
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
总栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至4.5V V
DD
= 15V,
I
D
= 12A
V
DD
= 15V ，我
D
= 12A,
V
GS
= 10V ，R
根
= 6
9
3
19
2
16
7.6
3
2.5
18
10
35
10
23
10.6
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= 12A
V
GS
= 0V时，我
S
= 1.9A
I
F
= 12A ，的di / dt = 100A / μs的
（注2 ）
（注2 ）
0.82
0.73
25
9
1.3
1.2
45
18
V
ns
nC
注意事项：
1. R
θJA
与安装在1英寸的设备决定
2
垫2盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。
θJC
由设计而
= CA
由下式确定
用户的电路板设计。
一。安装时为53℃ / W的
在A 1
2
2盎司纯铜垫
B 。安装在当125 °C / W
2盎司纯铜最小焊盘
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
3.起始物为
J
= 25
o
℃; N沟道： L = 1 mH的，我
AS
= 11A ，V
DD
= 27V, V
GS
= 10V.
FDMC8296 Rev.B的
2
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