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FOD3150 - 高抗噪声能力， 1.0A输出电流，栅极驱动光电耦合器

2011年10月

FOD3150

高抗干扰， 1.0A输出电流，

门驱动光电耦合器

特点

■

高抗干扰特点20kV的/ μs的

■

描述

该FOD3150是1.0A输出电流栅极驱动

光电耦合器，能够驱动大多数800V / 20A的

IGBT / MOSFET 。它非常适用于快速切换

适用于电机驱动功率IGBT和MOSFET的

控制逆变器应用，以及高性能

电力系统。

它采用飞兆半导体的专利共面封装

技术， Optoplanar

和优化的集成电路设计，以

达到高抗噪性，特点是高

共模抑制。

它由一个镓铝砷（ AlGaAs构成）光

发光二极管的光耦合到一个集成电路

与推挽式输出MOSFET高速驱动器

阶段。

■

最小共模抑制

使用P沟道MOSFET的输出级使

输出电压摆幅接近电源轨

宽电源电压范围从15V到30V

开关速度快

- 最大为500ns 。传播延迟

- 为300ns最大。脉宽失真

欠压锁定（ UVLO ）与迟滞

扩展工业温度范围的-40 ° C至100℃

温度范围

安全和法规认证

- UL1577 ， 5000 V

RMS

1分钟。

- IEC60747-5-2

>8.0毫米间隙和爬电距离（选项' T' ）

应用

■

工业变频器

■

不间断电源

■

感应加热

■

隔离式IGBT /功率MOSFET栅极驱动

相关资源

■

FOD3120 ， 2.5A输出电流，栅极驱动

光耦合器数据表

■

www.fairchildsemi.com/products/opto/

功能框图

包装纲要

阳极

阴极

注意：

一个0.1μF的旁路电容必须连接引脚5和8之间

2008飞兆半导体公司

FOD3150版本1.0.4

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真值表

LED

关闭

– V

“正向”

（导通）

0V至30V

0V至11V

11V至13.5V

13.5V至30V

– V

“负向”

（关断）

0V至30V

0V至9.5V

9.5V至12V

12V至30V

低

过渡

高

引脚德网络nitions

针＃

名字

阳极

阴极

没有连接

LED阳极

LED阴极

没有连接

负电源电压

描述

输出电压2 （内部连接到V

)

输出电压1

正电源电压

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安全性和绝缘等级

根据IEC 60747-5-2 。这个光电耦合器适用于“安全的电气绝缘”仅在安全极限的数据。

符合安全等级，由保护电路装置来保证。

符号

参数

根据DIN VDE 0110 / 1.89表1安装分类网络阳离子

额定主电压< 150Vrms

额定电压主要< 300Vrms

额定主电压< 450Vrms

额定主电压< 600VRMS

气候分类科幻阳离子

污染度（ DIN VDE 0110 / 1.89 ）

分钟。

典型值。

Ⅰ-Ⅳ

I–III

55/100/21

马克斯。

单位

CTI

漏电起痕指数

输入到输出的测试电压，方法B ，

IORM

X 1.875 = V

， 100 ％生产测试用

TM = 1秒，局部放电< 5PC

输入到输出的测试电压，方法a ，

IORM

×1.5 = V

，类型和采样与测试

TM = 60秒，局部放电< 5件

175

1669

1335

IORM

IOTM

最大工作绝缘电压

最高允许过电压

外部爬电距离

外部间隙

外部空间（用于可选T- 0.4“引线间距）

绝缘厚度

安全限值 - 最大允许值的

故障的事件

890

6000

7.4

10.16

0.5

PEAK

例

S， INPUT

S，输出

外壳温度

输入电流

输出功率（占空比

≤

2.7%)

在T绝缘电阻

, V

= 500V

150

250

°C

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绝对最大额定值

= 25 ° C除非另有规定编）

应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或

操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。

此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。

绝对最大额定值仅为应力额定值。

符号

英镑

OPR

SOL

F（ AVG）

O（峰）

– V

O（峰）

R（ IN）

, t

F（ IN）的

储存温度

参数

工作温度

结温

铅波峰焊温度

（参见第19页的重新溢流焊锡廓）

平均输入电流

反向输入电压

峰值输出电流

(1)

电源电压

峰值输出电压

输入信号上升和下降时间

输入功率耗散

(2)(4)

输出功率耗散

(3)(4)

价值

-55到+125

-40至+100

-40到+125

260为10秒

1.5

0到35

0到V

500

250

单位

推荐工作条件

推荐的操作条件表德网络网元设备的实际运行情况。推荐

工作条件规定，以确保最佳性能达到数据表规格。飞兆半导体不

建议超过或设计，以绝对最大额定值。

符号

– V

F（上）

F（关闭）

电源

输入电流（ ON）的

输入电压（OFF）的

参数

工作环境温度

价值

-40至+100

15至30

7到16

00.8

单位

°C

隔离特性

适用于所有推荐的条件下，典型值是测量在T

= 25C

符号

ISO

参数

输入输出隔离

电压

绝缘电阻

隔离电容

条件

= 25℃ ， R.H.< 50 ％， T = 1.0min ，

我-O

≤

10μA ， 50赫兹

(5)(6)

我-O

= 500V

(5)

我-O

= 0V ，频率= 1.0MHz的

(5)

分钟。

5000

典型值。

马克斯。

单位

RMS

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FOD3150 - 高抗噪声能力， 1.0A输出电流，栅极驱动光电耦合器

电气特性

适用于所有推荐的条件下，典型值测量V

= 30V, V

=地面，T

= 25°C

除非另有规定ED 。

符号

参数

输入正向电压

条件

= 10毫安

分钟。

1.2

典型值。

1.5

-1.8

马克斯。

1.8

单位

毫伏/ OC

/ T

的）温度COEF网络cient

正向电压

CCH

CCL

FLH

FHL

UVLO +

UVLO-

输入反向击穿

电压

输入电容

高电平输出

当前

(1)

当前

(1)

= 10A

F = 1MHz时， VF = 0V

= V

– 0.75V

= V

– 4V

低电平输出

= V

+ 0.75V

= V

+ 4V

高电平输出电压

= 10毫安，我

= -1A

= 10毫安，我

= -100mA

低电平输出电压

= 0毫安，我

= 1A

= 0毫安，我

= 100毫安

高水平的电源电流

低电平电源电流

阈值输入电流

从低到高

阈值输入电压

前高后低

欠压锁定

门槛

=开放，我

= 7 16毫安

=打开，V

= 0 0.8V

= 0毫安，V

> 5V

= 0毫安，V

＆ LT ; 5V

= 10毫安，V

> 5V

= 10毫安，V

＆ LT ; 5V

0.8

9.5

0.2

1.0

0.2

1.0

– 4V

– 0.5V

– 6V

– 0.1V

+ 6V

+ 0.1V

2.8

2.3

+ 4V

+ 0.5V

5.0

12.7

11.2

1.5

13.5

12.0

UVLO

HYS

欠压锁定

阈值迟滞

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