FGPF7N60LSD 600V ， 7A低饱和IGBT CO- PAK
2006年1月
FGPF7N60LSD
600V ，7A低饱和IGBT CO- PAK
特点
低饱和电压： V
CE （ SAT ）
= 1.4 V @ I
C
= 7A
高输入阻抗
CO- PAK ， IGBT与FRD ：吨
rr
= 50 ns（典型值）。
描述
飞兆半导体的绝缘栅双极晶体管（IGBT ）提供
极低的传导和开关losses.The设备
专为灯具应用中非常低的导通电压
Drop是一个必需的功能。
应用
灯的应用程序（ Hallogen调光器）
C
G
TO-220F
1.Gate
2.Collector
3.Emitter
E
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM （1）
I
F
I
FM
P
D
T
J
T
英镑
T
L
注意事项：
（ 1 ）重复评价：脉冲宽度有限的最大值。结温
描述
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流
集电极电流脉冲
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结温
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“从案例5秒
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
FGPF7N60LSD
600
±
20
14
7
21
12
60
45
18
-55到+150
-55到+150
300
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
W
°C
°C
°C
热特性
符号
R
θJC
（IGBT）
R
θJC
（二极管）
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到外壳
热阻，结到环境（ PCB安装）
(2)
典型值。
--
--
--
马克斯。
2.8
4.5
62.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
（ 2 ）装上1 “ SQURE PCB（ FR4或G - 10材料）
2006仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FGPF7N60LSD版本A
FGPF7N60LSD 600V ， 7A低饱和IGBT CO- PAK
包装标志和订购信息
器件标识
FGPF7N60LSD
设备
FGPF7N60LSDTU
包
TO-220F
包装
TYPE
铁路/地铁
每管数量
50ea
最大数量
每盒
1,000ea
IGBT的电气特性
符号
开关特性
BV
CES
B
VCES
/
T
J
I
CES
I
GES
集电极 - 发射极击穿电压
分解温度系数]
电压
集电极截止电流
G- ê漏电流
参数
T
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
GE
= 0V时，我
C
= 250uA
V
GE
= 0V时，我
C
= 1毫安
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
600
--
--
--
--
0.6
--
--
--
--
250
± 100
V
V /°C的
uA
nA
基本特征
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
G- ê阈值电压
集电极到发射极
饱和电压
I
C
= 7毫安，V
CE
= V
GE
I
C
= 7A,
V
GE
= 15V
5.0
--
--
--
6.5
1.4
1.47
1.85
8.0
2.0
--
--
V
V
V
V
I
C
= 7A,
V
GE
= 15V,
T
C
= 125°C
I
C
= 14 A,
V
GE
= 15V
动态特性
C
IES
C
OES
C
水库
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
CE
= 30V
,
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
--
--
--
510
55
15
--
--
--
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
Q
g
Q
ge
Q
gc
L
e
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
内置发射器电感
V
CE
= 300 V，I
C
= 7A,
V
GE
= 15V
测量5毫米从PKG
V
CC
= 300 V，I
C
= 7 A,
R
G
=470, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 125°C
V
CC
= 300 V，I
C
= 7A,
R
G
= 470, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 25°C
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
120
44
410
2320
0.27
3.8
4.07
105
50
420
3745
0.22
5.94
6.16
--
--
535
3480
--
--
6.1
--
--
--
--
--
--
--
ns
ns
ns
ns
uJ
mJ
mJ
ns
ns
ns
ns
uJ
mJ
mJ
nC
nC
nC
nH
24
4
10
7.5
36
6
15
--
FGPF7N60LSD版本A
2
www.fairchildsemi.com
FGPF7N60LSD 600V ， 7A低饱和IGBT CO- PAK
二极管的电气特性
T
符号
V
FM
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
二极管的正向电压
I
F
= 7A
二极管的反向恢复时间
测试条件
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
分钟。
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值。
1.65
1.58
50
58
2.5
3.3
62.5
95.7
马克斯。
2.1
--
65
--
3.75
--
122
--
单位
V
t
rr
ns
I
rr
二极管的峰值反向恢复电流
I
F
= 7A
的di / dt = 200 A / μs的
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
A
Q
rr
二极管的反向恢复电荷
nC
FGPF7N60LSD版本A
3
www.fairchildsemi.com
FGPF7N60LSD 600V ， 7A低饱和IGBT CO- PAK
典型性能特性
图1.典型的输出特性
40
20V
15V
图2.典型的饱和电压
特征
o
T
C
= 25 C
12V
40
在EM伊特尔COM米
V
Ge
= 15V
T C = 25°C
o
T C = 125℃
o
集电极电流IC [ A]
30
20
10V
集电极电流，I
C
[A]
8
30
20
10
V
摹ê
= 8 V
10
0
0
2
4
6
C 0 LLE C到R- ê米itte诉 LTA GE ，V
权证
[V ]
0
0
2
4
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
6
图3.典型的饱和电压
特征
2 .2
图4.负载电流与频率
15
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
2 .0
1 .8
1 .6
14A
VCC = 300V
负载电流：方波的峰值
占空比： 50 ％
o
TC = 100℃
功耗9W =
7A
1 .4
1 .2
1 .0
0
25
50
75
100
o
负载电流[ A]
10
5
I
c
= 3 .5 A
125
150
0
0.1
1
10
100
1000
C时本身テ米PE RA TURE ，T
C
( C )
频率[千赫]
图5.饱和电压与VGE
10
在EM伊特尔COM米
o
T
C
= 25 C
图6.饱和电压与VGE
10
在EM伊特尔COM米
o
T
C
= 125 C
[V]
[V]
集电极 - 发射极电压，V
CE
8
集电极 - 发射极电压，V
CE
8
6
6
4
4
2
2
5
10
15
20
5
门 - 发射极电压，V
摹ê
[V]
10
15
门 - EM伊特尔电压，V
摹ê
[V]
20
FGPF7N60LSD版本A
4
www.fairchildsemi.com
FGPF7N60LSD 600V ， 7A低饱和IGBT CO- PAK
典型性能特性
图7.电容特性
1000
（续）
图8.导通特性上与门
阻力
在EM伊特尔COM米
V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
T
C
= 25 C
西塞
o
800
TD （上）
电容[ pF的]
开关时间[ NS ]
600
100
tr
400
科斯
CRSS
200
COM周一EM伊特尔
V
CC
= 300V, V
GE
= +/-15V
I
C
= 7A
T
C
= 25 C
o
0
1
T
C
= 125 C
o
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
10
10
100
1000
栅极电阻，R
G
[
]
图9.关断特性对比
栅极电阻
图10.开关损耗与栅极电阻
1000
tf
1000
EOFF
开关时间[ NS ]
TD （关闭）
开关损耗[ UJ ]
100
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
= +/-15V
I
C
= 7A
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
100
1000
o
o
宙
100
共发射极
V
CC
=300V,V
GE
=+/-15V
I
C
=7A
T
C
=25 C
T
C
=125 C
100
1000
o
o
栅极电阻，R
G
[
]
栅极电阻，R
G
[
]
图11.导通特性上与
集电极电流
图12.关断特性对比
集电极电流
TD （上）
1000
开关时间[ NS ]
开关时间[ NS ]
tf
100
tr
TD （关闭）
共发射极
V
GE
= +/- 15V ，R
G
= 470
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
o
共发射极
V
GE
= +/- 15V ，R
G
= 470
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
4
6
8
10
12
14
16
o
o
100
4
6
8
10
12
14
16
集电极电流，I
C
[A]
集电极电流，I
C
[A]
FGPF7N60LSD版本A
5
www.fairchildsemi.com
FGPF7N60LSD 600V ， 7A低饱和IGBT CO- PAK
2006年1月
FGPF7N60LSD
600V ，7A低饱和IGBT CO- PAK
特点
低饱和电压： V
CE （ SAT ）
= 1.4 V @ I
C
= 7A
高输入阻抗
CO- PAK ， IGBT与FRD ：吨
rr
= 50 ns（典型值）。
描述
飞兆半导体的绝缘栅双极晶体管（IGBT ）提供
极低的传导和开关losses.The设备
专为灯具应用中非常低的导通电压
Drop是一个必需的功能。
应用
灯的应用程序（ Hallogen调光器）
C
G
TO-220F
1.Gate
2.Collector
3.Emitter
E
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM （1）
I
F
I
FM
P
D
T
J
T
英镑
T
L
注意事项：
（ 1 ）重复评价：脉冲宽度有限的最大值。结温
描述
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流
集电极电流脉冲
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结温
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“从案例5秒
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
FGPF7N60LSD
600
±
20
14
7
21
12
60
45
18
-55到+150
-55到+150
300
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
W
°C
°C
°C
热特性
符号
R
θJC
（IGBT）
R
θJC
（二极管）
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到外壳
热阻，结到环境（ PCB安装）
(2)
典型值。
--
--
--
马克斯。
2.8
4.5
62.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
（ 2 ）装上1 “ SQURE PCB（ FR4或G - 10材料）
2006仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FGPF7N60LSD版本A
FGPF7N60LSD 600V ， 7A低饱和IGBT CO- PAK
包装标志和订购信息
器件标识
FGPF7N60LSD
设备
FGPF7N60LSDTU
包
TO-220F
包装
TYPE
铁路/地铁
每管数量
50ea
最大数量
每盒
1,000ea
IGBT的电气特性
符号
开关特性
BV
CES
B
VCES
/
T
J
I
CES
I
GES
集电极 - 发射极击穿电压
分解温度系数]
电压
集电极截止电流
G- ê漏电流
参数
T
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
GE
= 0V时，我
C
= 250uA
V
GE
= 0V时，我
C
= 1毫安
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
600
--
--
--
--
0.6
--
--
--
--
250
± 100
V
V /°C的
uA
nA
基本特征
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
G- ê阈值电压
集电极到发射极
饱和电压
I
C
= 7毫安，V
CE
= V
GE
I
C
= 7A,
V
GE
= 15V
5.0
--
--
--
6.5
1.4
1.47
1.85
8.0
2.0
--
--
V
V
V
V
I
C
= 7A,
V
GE
= 15V,
T
C
= 125°C
I
C
= 14 A,
V
GE
= 15V
动态特性
C
IES
C
OES
C
水库
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
CE
= 30V
,
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
--
--
--
510
55
15
--
--
--
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
Q
g
Q
ge
Q
gc
L
e
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
内置发射器电感
V
CE
= 300 V，I
C
= 7A,
V
GE
= 15V
测量5毫米从PKG
V
CC
= 300 V，I
C
= 7 A,
R
G
=470, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 125°C
V
CC
= 300 V，I
C
= 7A,
R
G
= 470, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 25°C
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
120
44
410
2320
0.27
3.8
4.07
105
50
420
3745
0.22
5.94
6.16
--
--
535
3480
--
--
6.1
--
--
--
--
--
--
--
ns
ns
ns
ns
uJ
mJ
mJ
ns
ns
ns
ns
uJ
mJ
mJ
nC
nC
nC
nH
24
4
10
7.5
36
6
15
--
FGPF7N60LSD版本A
2
www.fairchildsemi.com
FGPF7N60LSD 600V ， 7A低饱和IGBT CO- PAK
二极管的电气特性
T
符号
V
FM
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
二极管的正向电压
I
F
= 7A
二极管的反向恢复时间
测试条件
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
分钟。
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值。
1.65
1.58
50
58
2.5
3.3
62.5
95.7
马克斯。
2.1
--
65
--
3.75
--
122
--
单位
V
t
rr
ns
I
rr
二极管的峰值反向恢复电流
I
F
= 7A
的di / dt = 200 A / μs的
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
A
Q
rr
二极管的反向恢复电荷
nC
FGPF7N60LSD版本A
3
www.fairchildsemi.com
FGPF7N60LSD 600V ， 7A低饱和IGBT CO- PAK
典型性能特性
图1.典型的输出特性
40
20V
15V
图2.典型的饱和电压
特征
o
T
C
= 25 C
12V
40
在EM伊特尔COM米
V
Ge
= 15V
T C = 25°C
o
T C = 125℃
o
集电极电流IC [ A]
30
20
10V
集电极电流，I
C
[A]
8
30
20
10
V
摹ê
= 8 V
10
0
0
2
4
6
C 0 LLE C到R- ê米itte诉 LTA GE ，V
权证
[V ]
0
0
2
4
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
6
图3.典型的饱和电压
特征
2 .2
图4.负载电流与频率
15
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
2 .0
1 .8
1 .6
14A
VCC = 300V
负载电流：方波的峰值
占空比： 50 ％
o
TC = 100℃
功耗9W =
7A
1 .4
1 .2
1 .0
0
25
50
75
100
o
负载电流[ A]
10
5
I
c
= 3 .5 A
125
150
0
0.1
1
10
100
1000
C时本身テ米PE RA TURE ，T
C
( C )
频率[千赫]
图5.饱和电压与VGE
10
在EM伊特尔COM米
o
T
C
= 25 C
图6.饱和电压与VGE
10
在EM伊特尔COM米
o
T
C
= 125 C
[V]
[V]
集电极 - 发射极电压，V
CE
8
集电极 - 发射极电压，V
CE
8
6
6
4
4
2
2
5
10
15
20
5
门 - 发射极电压，V
摹ê
[V]
10
15
门 - EM伊特尔电压，V
摹ê
[V]
20
FGPF7N60LSD版本A
4
www.fairchildsemi.com
FGPF7N60LSD 600V ， 7A低饱和IGBT CO- PAK
典型性能特性
图7.电容特性
1000
（续）
图8.导通特性上与门
阻力
在EM伊特尔COM米
V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
T
C
= 25 C
西塞
o
800
TD （上）
电容[ pF的]
开关时间[ NS ]
600
100
tr
400
科斯
CRSS
200
COM周一EM伊特尔
V
CC
= 300V, V
GE
= +/-15V
I
C
= 7A
T
C
= 25 C
o
0
1
T
C
= 125 C
o
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
10
10
100
1000
栅极电阻，R
G
[
]
图9.关断特性对比
栅极电阻
图10.开关损耗与栅极电阻
1000
tf
1000
EOFF
开关时间[ NS ]
TD （关闭）
开关损耗[ UJ ]
100
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
= +/-15V
I
C
= 7A
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
100
1000
o
o
宙
100
共发射极
V
CC
=300V,V
GE
=+/-15V
I
C
=7A
T
C
=25 C
T
C
=125 C
100
1000
o
o
栅极电阻，R
G
[
]
栅极电阻，R
G
[
]
图11.导通特性上与
集电极电流
图12.关断特性对比
集电极电流
TD （上）
1000
开关时间[ NS ]
开关时间[ NS ]
tf
100
tr
TD （关闭）
共发射极
V
GE
= +/- 15V ，R
G
= 470
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
o
共发射极
V
GE
= +/- 15V ，R
G
= 470
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
4
6
8
10
12
14
16
o
o
100
4
6
8
10
12
14
16
集电极电流，I
C
[A]
集电极电流，I
C
[A]
FGPF7N60LSD版本A
5
www.fairchildsemi.com
QQ：2881677436 复制
