初步数据表
2.1
FMS2014QFN
高功率砷化镓SPDT开关
产品特点：
3x3x0.9mm封装的pHEMT开关
出色的低控制电压性能
在优良的谐波性能
GSM / DCS / PCS / EDGE的功率电平
非常高的Tx - Rx隔离： >28分贝典型。在
1.8GHz
极低的插入损耗： 0.5分贝为1.8GHz
非常低的电流控制
功能原理图
蚂蚁
V1
V2
RF1
RF2
描述与应用：
该FMS2014QFN是一个低损耗，高功率和线性单刀双掷砷化镓
天线开关设计用于在移动手持机应用程序使用。模具是使用所制造的
费尔多尼克FL05 0.5μm的开关过程中的技术，它提供了卓越的性能优化
交换机的应用程序。该FMS2014QFN是专为双/三核和四频GSM手机使用
天线开关模块和RF前端模块。它也可以在其他应用中使用
高功率和线性RF切换是必要的。
电气连接特定的阳离子：
参数
插入损耗
(T
环境
= 25 ° C，V
CTRL
= 0V / 2.5V ，Z
IN
= Z
OUT
= 50)
测试条件
0.5 - 1.0 GHz的
1.0 - 2.0 GHz的
民
典型值
0.45
0.5
20
-32
-30
-75
-75
-75
-75
<0.3
最大
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
s
回波损耗
隔离
0.5 - 2.5 GHz的
0.5 - 1.0 GHz的
1.0 - 2.0 GHz的
二次谐波电平
1 GHz时，引脚= +35 dBm时， 100 ％占空比
2 GHz时，引脚= +35 dBm时， 100 ％占空比
3次谐波电平
1 GHz时，引脚= +35 dBm时， 100 ％占空比
2 GHz时，引脚= +35 dBm时， 100 ％占空比
切换速度：素养， TFALL
吨， Toff的
控制电流
10 ％至90％的射频和90 ％至10％的射频
50％的控制，以90％的射频和50％的控制，以10％的射频
+ 35dBm的RF输入@ 1GHz的
1.0
<10
s
A
注意：
外部隔直流电容器所需的所有RF端口（典型值： 100pF的）
1
初步规格如有变更，恕不另行通知
费尔多尼克化合物半导体有限公司
联系方式（UK ） ：电话：+44 （ 0 ） 1325 301111传真： +44 （ 0 ） 1325 306177电子邮件： sales@filcs.com
联系方式（美国）：电话： +1 （ 408 ） 850 5790
传真： +1 （ 408 ） 850 5766
电子邮件：
sales@filcsi.com
网址： www.filtronic.com
初步数据表
2.1
FMS2014QFN
绝对最大额定值：
参数
最大输入功率
控制电压
工作温度
储存温度
符号
针
V CTRL
牛逼OPER
牛逼STOR
绝对最大
+38dBm
+5V
-40 ° C至+ 100°C
-55 ° C至+ 150°C
注意：
超过这些绝对最大额定值的任何一个可能会造成永久性损坏
装置。
事实表：
开关
状态
(A)
(B)
VC1
高
低
VC2
低
高
ANT- RF1
插入损耗
隔离
ANT- RF2
隔离
插入损耗
通用测试条件：
偏置电压
端口阻抗
断胳膊终止
LOW = 0V至0.2V
高+ 2.5V至+ 5V
50
50
2
初步规格如有变更，恕不另行通知
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初步数据表
2.1
FMS2014QFN
在评估板（DE-嵌入式）典型测量的性能：
（测试条件V
CTRL
= 2.5V （高） & 0V （低） ，T
环境
= 25 ° C除非另有说明）
FMS2014QFN插入损耗
0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
dB
-0.5
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
-20
-22.5
-25
dB
-27.5
-30
-32.5
-35
0.5
1
FMS 2014QFN隔离
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
0
-5
-10
-15
dB
-20
-25
-30
-35
-40
0.5
1
FMS2014QFN RETURN LOSS
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
3
初步规格如有变更，恕不另行通知
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初步数据表
2.1
FMS2014QFN
键盘布局：
V1
蚂蚁
V2
引脚数
1
描述
N / C
N / C
RF1
N / C
N / C
N / C
RF2
N / C
N / C
V2
ANT RF
V1
销1
12
11
10
9
2
3
4
2
RF1
3
4
5
6
8
7
RF2
5
6
7
8
9
10
11
*查看从封装的顶部
12
QFN 12铅3 * 3封装外形：
4
初步规格如有变更，恕不另行通知
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初步数据表
2.1
FMS2014QFN
评估板：
BOM
LABEL
C5
C6
C3,C4
C1,C2
部件
电容470pF的， 0603
电容100pF的， 0402
电容47pF的， 0402
C1
C2
C5,C6
C3
C4
板
首选评估板材料为0.25毫米厚
罗杰斯RT4350 。所有RF曲目应该是50欧姆
特性阻抗。
评估板德嵌入数据（测量） ：
0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
dB
-0.5
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1
0.5
FMS2014QFN CAL板插入损耗
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
5
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数据表
3.0
FMS2014-001
高功率砷化镓SPDT开关
产品特点：
功能原理图
3x3x0.9mm封装的pHEMT开关
出色的低控制电压性能
在优良的谐波性能
GSM / DCS / PCS / EDGE的功率电平
非常高的Tx - Rx隔离： >28分贝典型。在
1.8GHz
极低的插入损耗： 0.5分贝为1.8GHz
非常低的电流控制
符合RoHS
蚂蚁
V1
V2
RF1
RF2
描述与应用：
该FMS2014-001是一个低损耗，高功率和线性单刀双掷砷化镓
天线开关设计用于在移动手持机应用程序使用。模具是使用所制造的
费尔多尼克FL05 0.5μm的开关过程中的技术，它提供了卓越的性能优化
交换机的应用程序。该FMS2014-001是专为双/三核和四频GSM手机使用
天线开关模块和RF前端模块。它也可以在其他应用中使用
高功率和线性RF切换是必要的。
电气连接特定的阳离子：
参数
插入损耗
(T
环境
= 25 ° C，V
CTRL
= 0V / 2.5V ，Z
IN
= Z
OUT
= 50Ω)
测试条件
0.5 - 1.0 GHz的
1.0 - 2.0 GHz的
民
典型值
0.45
0.5
最大
0.5
0.55
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
μs
回波损耗
隔离
0.5 - 2.5 GHz的
0.5 - 1.0 GHz的
1.0 - 2.0 GHz的
16
-30
-26
-60
-65
-60
-65
20
-32
-30
-70
-75
-70
-75
二次谐波电平
1 GHz时，引脚= +35 dBm时， 100 ％占空比
2 GHz时，引脚= +33 dBm时， 100 ％占空比
3次谐波电平
1 GHz时，引脚= +35 dBm时， 100 ％占空比
2 GHz时，引脚= +33 dBm时， 100 ％占空比
切换速度：素养， TFALL
吨， Toff的
控制电流
10 ％至90％的射频和90 ％至10％的射频
<0.3
50％的控制，以90％的射频和50％的控制，以10％的射频
+ 35dBm的RF输入@ 1GHz的
5
10
1.0
μs
μA
注意：
外部隔直流电容器所需的所有RF端口（典型值： 100pF的）
1
初步规格如有变更，恕不另行通知
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传真： +1 （ 408 ） 850 5766
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数据表
3.0
FMS2014-001
绝对最大额定值：
参数
最大输入功率
控制电压
工作温度
储存温度
符号
针
V CTRL
牛逼OPER
牛逼STOR
绝对最大
+38dBm
+5V
-40 ° C至+ 100°C
-55 ° C至+ 150°C
注意：
超过这些绝对最大额定值的任何一个可能会造成永久性损坏
装置。
事实表：
开关
状态
(A)
(B)
VC1
高
低
VC2
低
高
ANT- RF1
插入损耗
隔离
ANT- RF2
隔离
插入损耗
通用测试条件：
LOW = 0V至0.2V
偏置电压
高+ 2.5V至+ 5V
端口阻抗
断胳膊终止
50Ω
50Ω
2
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数据表
3.0
FMS2014-001
在评估板（DE-嵌入式）典型测量的性能：
（测试条件V
CTRL
= 2.5V （高） & 0V （低） ，T
环境
= 25 ° C除非另有说明）
FMS2014QFN插入损耗
0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
dB
-0.5
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
FMS 2014QFN隔离
-20
-22.5
-25
dB
-27.5
-30
-32.5
-35
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
FMS2014QFN RETURN LOSS
0
-5
-10
-15
dB
-20
-25
-30
-35
-40
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
3
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数据表
3.0
FMS2014-001
键盘布局：
V1
蚂蚁
V2
引脚数
1
描述
N / C
N / C
RF1
N / C
N / C
N / C
RF2
N / C
N / C
V2
ANT RF
V1
销1
12
11
10
9
2
3
4
2
RF1
3
4
5
6
8
7
RF2
5
6
7
8
9
10
11
*查看从封装的顶部
12
QFN 12铅3 * 3封装外形：
4
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传真： +1 （ 408 ） 850 5766
电子邮件：
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网址： www.filtronic.com
初步数据表
3.0
FMS2014QFN
评估板：
BOM
C7
C6
C1,C2,C7
电容100pF的， 0402
电容47pF的， 0402
LABEL
C3,C4
部件
电容470pF的， 0603
C5
C1
C2
C5,C6
C3
C4
首选评估板材料为0.25毫米厚
板
罗杰斯RT4350 。所有RF曲目应该是50欧姆
特性阻抗。
评估板德嵌入数据（测量） ：
FMS2014QFN CAL板插入损耗
0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
dB
-0.5
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
5
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