FDMS7656AS的N-沟道PowerTrench
SyncFET
2009年9月
FDMS7656AS
N沟道的PowerTrench
SyncFET
30 V ， 49 A， 1.8 mΩ的
特点
最大
DS （ ON）
= 1.8毫欧，在V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
最大
DS （ ON）
= 1.9毫欧，在V
GS
= 7 V，I
D
= 27 A
先进的封装和硅结合的低R
DS （ ON）
和高效率
SyncFET肖特基体二极管
MSL1稳健包装设计
100 ％ UIL测试
符合RoHS
概述
该FDMS7656AS已被设计为在最小化损失
电源转换应用。在这两个硅进步和
封装技术，已被合并到提供的最低
r
DS （ ON）
同时保持出色的开关性能。这
装置具有高效率的单片肖特基额外的好处
体二极管。
应用
同步整流DC / DC转换器
笔记本Vcore电压/ GPU的低边开关
负载低侧开关的网络点
电信二次侧整流
顶部
底部
销1
S
D
S
S
G
5
6
7
8
4
G
3
2
1
D
D
S
S
S
D
D
D
D
D
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 C ，除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流 - 连续（包装有限公司）
I
D
- 连续（硅有限公司）
-Continuous
-Pulsed
dv / dt的
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
MOSFET的dv / dt
单脉冲雪崩能量
功耗
功耗
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
（注1A ）
（注3）
T
C
= 25 °C
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
（注1A ）
（注4 ）
参数
评级
30
±20
49
194
31
180
1.3
242
96
2.5
-55到+150
V / ns的
mJ
W
°C
A
单位
V
V
工作和存储结温范围
热特性
R
θJC
R
θJA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
（注1A ）
1.3
50
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDMS7656AS
设备
FDMS7656AS
包
电源56
1
带尺寸
13 ’’
胶带宽度
12 mm
QUANTITY
3000台
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2009仙童半导体公司
FDMS7656AS Rev.C
FDMS7656AS的N-沟道PowerTrench
SyncFET
电气特性
T
J
= 25 C ，除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流，正向
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0 V
I
D
= 10毫安，参考25 ℃下
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
30
19
500
100
V
毫伏/°C的
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安
I
D
= 10毫安，参考25 ℃下
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
r
DS （ ON）
静态漏极至源极导通电阻
V
GS
= 7 V，I
D
= 27 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 25 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 125 °C
g
FS
正向跨导
V
DS
= 5 V，I
D
= 30 A
1.2
1.6
-5
1.3
1.5
1.6
1.8
161
1.8
1.9
2.0
2.5
S
m
3.0
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
6545
2465
210
0.5
8705
3280
315
1.1
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
总栅极电荷
门源费
栅漏“米勒”充电
V
GS
= 0 V至10 V
V
GS
= 0 V至4.5 V V
DD
= 15 V,
I
D
= 30 A
V
DD
= 15 V，I
D
= 30 A,
V
GS
= 10 V ，R
根
= 6
22
12
50
7
95
43
18.2
9.1
35
21
80
13
133
60
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= 2 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 30 A
（注2 ）
（注2 ）
0.37
0.74
50
84
0.7
1.2
81
136
V
ns
nC
I
F
= 30 A ， di / dt的= 300 A / μs的
注意事项：
1. R
θJA
与安装在一个1的设备中确定
2
垫2盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。
θJC
由设计而
= CA
由下式确定
用户的电路板设计。
一。安装在当50℃ / W的
1年
2
垫2盎司纯铜。
B 。安装在当125 °C / W
2盎司纯铜最小焊盘。
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％ 。
3. E
AS
242兆焦耳是基于起始物为
J
= 25
°
C，L = 1 mH的，我
AS
= 22 A，V
DD
= 27 V, V
GS
= 10 V 100 ％的测试，在L = 0.3 mH的，我
AS
= 34 A.
4.由于有N沟道器件，负栅极电压等级仅用于低占空比脉冲来发生。没有连续得分的暗示。
FDMS7656AS Rev.C
2
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FDMS7656AS的N-沟道PowerTrench
SyncFET
典型特征
T
J
= 25 C ，除非另有说明
180
150
I
D
,
漏电流（ A）
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4 V
V
GS
= 3.5 V
V
GS
= 3 V
归
漏极至源极导通电阻
6
5
V
GS
= 3 V
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
120
90
60
30
0
0.0
4
3
V
GS
= 3.5 V
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
2
1
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4 V
V
GS
= 10 V
0
0
30
60
90
120
150
180
I
D
,
漏电流（ A）
0.5
1.0
1.5
2.0
V
DS
,
漏源极电压（ V）
图1.地区特点
图2.归一导通电阻
VS漏极电流和栅极电压
1.5
归
漏极至源极导通电阻
6
源导通电阻
(
m
)
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V
1.4
1.3
I
D
= 30 A
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
r
DS （ON ） ，
漏
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
-75
-50
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
,
结温
(
o
C
)
4
T
J
= 125
o
C
2
T
J
= 25
o
C
0
2
4
6
8
10
V
GS
,
门源电压（ V）
图3.归一导通电阻
VS结温
180
150
I
D
，漏电流（ A）
图4.导通电阻与栅极到
源极电压
200
100
10
1
0.1
0.01
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
V
DS
= 5 V
T
J
= 125
o
C
I
S
，反向漏电流（ A）
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 0 V
120
90
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
60
T
J
= -55
o
C
30
0
1
2
3
4
V
GS
，门源电压（ V）
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管
正向电压随电流源
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SyncFET
典型特征
T
J
= 25 C ，除非另有说明
10
V
GS
，门源电压（ V）
I
D
= 30 A
10000
C
国际空间站
V
DD
= 10 V
V
DD
= 20 V
电容（pF）
8
6
V
DD
= 15 V
C
OSS
1000
4
2
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
C
RSS
0
0
20
40
60
80
100
Q
g
，栅极电荷（ NC）
100
0.1
1
10
30
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.电容VS漏
至源极电压
200
I
D
,
漏电流（ A）
50
I
AS
，雪崩电流（ A）
150
V
GS
= 10 V
T
J
= 25
o
C
10
T
J
= 100
o
C
100
V
GS
= 4.5 V
T
J
= 125
o
C
50
不限按包
R
θ
JC
= 1.3 C / W
o
1
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
25
50
75
100
o
125
150
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
T
C
,
外壳温度
(
C
)
图9.松开电感
交换能力
图10.最大连续漏极
电流与外壳温度
1000
P
(
PK
)
,
瞬态峰值功率（ W）
100
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 10 V
1毫秒
10
10毫秒
100
1
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
100毫秒
1s
10 s
DC
10
单脉冲
R
θ
JA
= 125
o
C / W
0.1
单脉冲
T
J
=最大额定
R
θ
JA
= 125℃ / W
T
C
= 25
o
C
o
1
0.5
-3
10
T
C
= 25
o
C
0.01
0.01
0.1
1
10
100
200
10
-2
10
-1
1
10
100
1000
V
DS
，漏源极电压（ V）
T，脉冲宽度（秒）
图11.正向偏置安全
工作区
图12.单脉冲最大
功耗
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4
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SyncFET
典型特征
T
J
= 25 C ，除非另有说明
2
1
归热
阻抗Z
θ
JA
占空比，降序排列
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
0.01
单脉冲
R
θ
JA
= 125℃ / W
o
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJA
个R
θJA
+ T
A
-1
0.001
-3
10
10
-2
10
1
10
100
1000
吨，矩形脉冲持续时间（秒）
图13.结至环境瞬态热响应曲线
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5
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