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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第400页 > FMMT495
SOT23 NPN硅平面媒体
功耗高性能晶体管
第3期 - 1995年11月
PARTMARKING详细信息 -
7
495
FMMT495
E
C
B
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值脉冲电流
基极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
参数
击穿电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射
关闭电压
静态正向电流
传输比
跃迁频率
集电极 - 基
击穿电压
I
CBO
I
CES
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
100
100
50
10
100
10
分钟。
170
150
5
100
100
100
0.2
0.3
1.0
1.0
300
兆赫
pF
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
j
:T
英镑
马克斯。
价值
170
150
5
1
2
200
500
-55到+150
单位
V
V
V
nA
nA
nA
V
V
V
V
单位
V
V
V
A
A
mA
mW
°C
电气特性（在T
AMB
= 25°C).
条件。
I
C
=100
A
I
C
=10mA*
I
E
=100
A
V
CB
=150V
V
CE
=150V
V
EB
=4V
I
C
= 250毫安，我
B
=25mA*
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA*
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA*
I
C
= 500毫安，V
CE
=10V*
I
C
= 1mA时， V
CE
=10V
I
C
= 250毫安，V
CE
=10V*
I
C
= 500毫安，V
CE
=10V*
I
C
= 1A ，V
CE
=10V*
I
C
= 50mA时V
CE
=10V
f=100MHz
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
f
T
C
敖包
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
3 - 123
FMMT495
典型特征
0.4
+25 ° C
0.4
I
+
/I
*
=10
0.3
0.3
0.2
I
+
/I
*
=10
I
+
/I
*
=50
-55 ° C
+25 ° C
+100 ° C
0.2
0.1
0.1
0
1mA
10mA
100mA
1A
10A
0
1mA
10mA
100mA
1A
10A
I
C
-collector电流
I
C
-collector电流
V
CE （ SAT ）
V I
C
V
CE （ SAT ）
V I
C
320
V
+-
=10V
+100 ° C
+25 ° C
1.0
I
+
/I
*
=10
240
0.8
0.6
160
0.4
-55 °C
+25 °C
+100 °C
80
-55 ° C
0.2
0
1mA
10mA
100mA
1A
10A
0
1mA
10mA
100mA
1A
10A
I
C
-collector电流
h
FE
V I
C
I
C
-collector电流
V
BE （ SAT ）
V I
C
1.0
V
+-
=10V
10
0.8
1
0.6
0.1
0.4
-55 °C
+25 °C
+100 °C
0.01
0.2
DC
1s
100ms
10ms
1ms
100
s
0
1mA
10mA
100mA
1A
10A
0.001
0.1
1
10
100
1000
I
C
-collector电流
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
V
BE（上）
V I
C
安全工作区
3 - 124
SOT23 NPN硅平面媒体
功耗高性能晶体管
第3期 - 1995年11月
PARTMARKING详细信息 -
7
495
FMMT495
E
C
B
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值脉冲电流
基极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
参数
击穿电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射
关闭电压
静态正向电流
传输比
跃迁频率
集电极 - 基
击穿电压
I
CBO
I
CES
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
100
100
50
10
100
10
分钟。
170
150
5
100
100
100
0.2
0.3
1.0
1.0
300
兆赫
pF
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
j
:T
英镑
马克斯。
价值
170
150
5
1
2
200
500
-55到+150
单位
V
V
V
nA
nA
nA
V
V
V
V
单位
V
V
V
A
A
mA
mW
°C
电气特性（在T
AMB
= 25°C).
条件。
I
C
=100
A
I
C
=10mA*
I
E
=100
A
V
CB
=150V
V
CE
=150V
V
EB
=4V
I
C
= 250毫安，我
B
=25mA*
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA*
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA*
I
C
= 500毫安，V
CE
=10V*
I
C
= 1mA时， V
CE
=10V
I
C
= 250毫安，V
CE
=10V*
I
C
= 500毫安，V
CE
=10V*
I
C
= 1A ，V
CE
=10V*
I
C
= 50mA时V
CE
=10V
f=100MHz
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
f
T
C
敖包
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
3 - 123
FMMT495
典型特征
0.4
+25 ° C
0.4
I
+
/I
*
=10
0.3
0.3
0.2
I
+
/I
*
=10
I
+
/I
*
=50
-55 ° C
+25 ° C
+100 ° C
0.2
0.1
0.1
0
1mA
10mA
100mA
1A
10A
0
1mA
10mA
100mA
1A
10A
I
C
-collector电流
I
C
-collector电流
V
CE （ SAT ）
V I
C
V
CE （ SAT ）
V I
C
320
V
+-
=10V
+100 ° C
+25 ° C
1.0
I
+
/I
*
=10
240
0.8
0.6
160
0.4
-55 °C
+25 °C
+100 °C
80
-55 ° C
0.2
0
1mA
10mA
100mA
1A
10A
0
1mA
10mA
100mA
1A
10A
I
C
-collector电流
h
FE
V I
C
I
C
-collector电流
V
BE （ SAT ）
V I
C
1.0
V
+-
=10V
10
0.8
1
0.6
0.1
0.4
-55 °C
+25 °C
+100 °C
0.01
0.2
DC
1s
100ms
10ms
1ms
100
s
0
1mA
10mA
100mA
1A
10A
0.001
0.1
1
10
100
1000
I
C
-collector电流
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
V
BE（上）
V I
C
安全工作区
3 - 124
SMD型
功耗高性能晶体管
FMMT495
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
晶体管
单位：mm
+0.1
2.4
-0.1
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
SOT23 NPN硅平面媒体
0.55
特点
+0.1
1.3
-0.1
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
+0.1
0.97
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
基极电流
功耗
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
合计
T
j,
T
英镑
等级
170
150
5
2
1
200
500
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mA
mW
+0.1
0.38
-0.1
0-0.1
www.kexin.com.cn
1
SMD型
FMMT495
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压*
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压*
基射极饱和电压*
基极 - 发射极电压*
符号
V
（ BR ） CBO
I
C
=100ìA
V
（ BR ） CEO
I
C
=10mA
V
（ BR ） EBO
I
E
=100ìA
I
CBO
I
CES
I
EBO
V
CE（
SAT ）
V
CB
=150V
V
CE
=150V
V
EB
=4V
I
C
=250mA,I
B
=25mA
I
C
=500mA,I
B
=50mA
Testconditons
晶体管
民
170
150
5
典型值
最大
单位
V
V
V
100
100
100
0.2
0.3
1.0
1.0
100
100
50
10
100
10
300
nA
nA
nA
V
V
V
V
BE （
SAT ）I
C
=500mA,I
B
=50mA
V
BE（上）
I
C
=500mA,V
CE
=10V
I
C
= 1mA时， V
CE
=10V
静态正向电流传输比
h
FE
I
C
= 250毫安，V
CE
=10V*
I
C
= 500毫安，V
CE
=10V*
I
C
= 1A ，V
CE
=10V*
跃迁频率
集电极 - 基极击穿电压
*脉冲测试： TP = 300 ;
0.02.
f
T
C
敖包
I
C
=50mA,V
CE
=10V,f=100MHz
V
CB
=10V,f=1MHz
兆赫
pF
记号
记号
495
2
www.kexin.com.cn
SMD型
晶体管
IC
晶体管
产品speci fi cation
FMMT495
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位：mm
+0.1
2.4
-0.1
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
SOT23 NPN硅平面媒体
0.55
特点
+0.1
1.3
-0.1
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
+0.1
0.97
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
基极电流
功耗
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
合计
T
j,
T
英镑
等级
170
150
5
2
1
200
500
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mA
mW
+0.1
0.38
-0.1
0-0.1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 2
SMD型
晶体管
IC
晶体管
产品speci fi cation
FMMT495
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压*
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压*
基射极饱和电压*
基极 - 发射极电压*
符号
V
（ BR ） CBO
I
C
=100ìA
V
（ BR ） CEO
I
C
=10mA
V
（ BR ） EBO
I
E
=100ìA
I
CBO
I
CES
I
EBO
V
CE（
SAT ）
V
CB
=150V
V
CE
=150V
V
EB
=4V
I
C
=250mA,I
B
=25mA
I
C
=500mA,I
B
=50mA
Testconditons
民
170
150
5
100
100
100
0.2
0.3
1.0
1.0
100
100
50
10
100
10
兆赫
pF
300
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
nA
nA
V
V
V
V
BE （
SAT ）I
C
=500mA,I
B
=50mA
V
BE（上）
I
C
=500mA,V
CE
=10V
I
C
= 1mA时， V
CE
=10V
静态正向电流传输比
h
FE
I
C
= 250毫安，V
CE
=10V*
I
C
= 500毫安，V
CE
=10V*
I
C
= 1A ，V
CE
=10V*
跃迁频率
集电极 - 基极击穿电压
*脉冲测试： TP = 300 ;
0.02.
f
T
C
敖包
I
C
=50mA,V
CE
=10V,f=100MHz
V
CB
=10V,f=1MHz
记号
记号
495
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
2 2
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FR1020GP
FE5A-1D-0
F3154
FX5545G0055V0B1E2
FJV4113R
FDAF69N25
F971D335MBA
FAN6861TY
FRN-R-5
FWIXPLAD0SE000
FX5545G0183V2T2E2
FS5UMJ06
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    FMMT495
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市正信鑫科技有限公司
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联系人：小邹
地址：深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
FMMT495
CJ(长电/长晶)
25+
15568
SOT-23
全系列封装原装正品★晶体管
深圳市合一方科技有限公司
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联系人：陈先生
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FMMT495
CJ/长电
24+
898000
SOT-23
圣邦微代理/捷捷微代理/晶导微代理
深圳市创芯联盈电子有限公司
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电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
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FMMT495
SOT23
2443+
23000
DIP
一级代理专营，原装现货，价格优势
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联系人：陈佳隆
地址：深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
FMMT495
SOT23
24+
21000
DIP
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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联系人：朱先生
地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层
FMMT495
Diodes(美台)
23+
18000
N/A
只做原装 正品现货
深圳市向鸿伟业电子有限公司
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电话：0755-82561519 0755-82567969 18928435545
联系人：李
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
FMMT495
ZETEX
2418+
39482
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全新大量库存!样品可出!实单可谈!
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电话：0755-83259954/0755-82701784
联系人：李小姐/李先生/罗小姐/汪先生
地址：福田区振华路华乐楼615室
FMMT495
ZETEX
12+
84980
SOT-23
中国唯一指定代理商√√√ 特价！特价！
深圳山琅电子科技有限公司
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电话：755-83229865
联系人：刘红样
地址：深圳市福田区红荔路301号上步工业区23栋上航大厦东座4楼
FMMT495
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23+
3000
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公司宗旨:只做原装
北京元坤国际科技有限公司
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