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FDAF69N25 250V N沟道MOSFET

2005年9月

的UniFET

FDAF69N25

250V N沟道MOSFET

特点

34A ， 250V ，R

DS （ ON）

= 0.041 @V

GS

= 10 V

低栅极电荷（典型的77 NC）

低的Crss （典型值84 pF的）

快速开关

改进dv / dt能力

TM

描述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管

器都采用飞兆半导体专有的，平面条形制作，

DMOS技术。

这种先进的技术已特别针对微型

迈兹的导通电阻，优越的开关perfor-

曼斯，并能承受高能量脉冲雪崩和

换流模式。这些装置非常适用于高艾菲

效率开关型DC / DC转换器和开关模式功率

耗材。

D

G

摹 S

TO-3PF

FQAF系列

S

绝对最大额定值

符号

V

DSS

V

DS （雪崩）

I

D

I

DM

V

GSS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

P

D

T

J,

T

英镑

T

L

漏源电压

重复性雪崩电压

漏电流

栅源电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

功耗

(T

C

= 25°C)

- 减免上述25℃

（注2 ）

（注1 ）

（注3）

（注1 ）

（注2 ）

参数

FDAF69N25

250

300

34

21.5

（注1 ）

单位

V

A

V

mJ

A

mJ

V / ns的

W

W / ℃，

°C

- 连续（T

C

= 25°C)

- 连续（T

C

= 100°C)

- 脉冲

136

±30

1894

34

11.5

4.5

115

0.93

-55到+150

300

工作和存储温度范围

最大无铅焊接温度的目的，

1/8 ？从案例5秒

热特性

符号

R

θJC

R

θCS

R

θJA

参数

热阻，结到外壳

热电阻，外壳到散热器

热阻，结到环境

分钟。

--

0.24

--

马克斯。

1.08

--

40

单位

° C / W

2005仙童半导体公司

1

www.fairchildsemi.com

FDAF69N25版本A

FDAF69N25 250V N沟道MOSFET

包装标志和订购信息

器件标识

FDAF69N25

设备

FDAF69N25

包

TO-3PF

带尺寸

--

胶带宽度

--

QUANTITY

30

电气特性

符号

开关特性

BV

DSS

ΔBV

DSS

/

T

J

I

DSS

I

GSSF

I

GSSR

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

T

C

= 25 ° C除非另有说明

参数

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门体漏电流，正向

门体漏电流，反向

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

I

D

= 250μA ，引用至25℃

V

DS

= 250V, V

GS

= 0V

V

DS

= 200V ，T

C

= 125°C

V

GS

= 30V, V

DS

= 0V

V

GS

= -30V, V

DS

= 0V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

GS

= 10V ，我

D

= 17A

V

DS

= 40V ，我

D

= 17A

V

DS

= 25V, V

GS

= 0V,

F = 1.0MHz的

（注4 ）

分钟。

250

--

典型值。

--

0.25

--

最大单位

--

1

10

100

-100

V

V /°C的

A

nA

基本特征

栅极阈值电压

静态漏源

导通电阻

正向跨导

3.0

--

0.034

25

5.0

0.041

--

V

S

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

--

3570

750

84

4640

980

130

pF

开关特性

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

（注4,5）

V

DD

= 125V ，我

D

= 69A

R

G

= 25

--

95

855

130

220

77

24

37

200

1720

270

450

100

--

ns

nC

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

V

DS

= 200V ，我

D

= 69A

V

GS

= 10V

（注4,5）

--

漏源二极管的特性和最大额定值

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

注意事项：

1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温

2， L = 0.64mH ，我

AS

= 69A ，V

DD

= 50V ，R

G

= 25Ω ，起始物为

J

= 25°C

3. I

SD

≤

34A ， di / dt的

≤

200A / μs的，V

DD

≤

BV

DSS

，起始物为

J

= 25°C

4.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300μS ，占空比

≤

2%

5.基本上是独立的工作温度典型特征

最大连续漏源二极管的正向电流

最大脉冲漏源二极管的正向电流

漏源二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

GS

= 0V时，我

S

= 34A

V

GS

= 0V时，我

S

= 69A

dI

F

/ DT = 100A / μs的

（注4 ）

--

210

5.7

34

136

1.4

--

A

V

ns

C

2

FDAF69N25版本A

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FDAF69N25 250V N沟道MOSFET

典型性能特性

图1.区域特征

V

GS

15.0 V

10.0 V

8.0 V

7.0 V

6.5 V

6.0 V

底部： 5.5 V

上图：

图2.传输特性

10

2

10

2

I

D

，漏电流[ A]

I

D

，漏电流[ A]

150

°

C

1

10

1

10

25

°

C

-55

°

C

*注意：

1. V

DS

= 40V

2. 250

s脉冲测试

*注意：

1. 250

s脉冲测试

2. T

C

= 25

°

C

10

0

10

-1

10

0

10

1

10

0

2

4

6

8

10

12

V

DS

，漏源电压[V]

V

GS

，栅源电压[V]

图3.导通电阻变化对比

漏电流和栅极电压

图4.体二极管正向电压

变化与源电流

和Temperatue

0.10

R

DS （ ON）

[

] ，漏源导通电阻

0.08

V

GS

= 10V

0.06

I

DR

，反向漏电流[ A]

10

2

10

1

V

GS

= 20V

0.04

*注：t

J

= 25

°

C

150

°

C

25

°

C

*注意：

1. V

GS

= 0V

2. 250

s脉冲测试

10

0

25

50

75

100

125

150

175

200

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

I

D

，漏电流[ A]

V

SD

，源极 - 漏极电压[ V]

图5.电容特性

9000

C

国际空间站

= C

gs

+ C

gd

(C

ds

=短路）

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

C

RSS

= C

gd

图6.栅极电荷特性

12

V

GS

，栅源电压[V]

10

V

DS

= 50V

V

DS

= 125V

电容[ pF的]

6000

C

OSS

C

国际空间站

8

V

DS

= 200V

6

3000

4

C

RSS

*注;

1. V

GS

= 0 V

2. F = 1 MHz的

2

*注：我

D

= 69A

0

-1

10

0

10

1

0

10

20

30

40

50

60

70

80

V

DS

，漏源电压[V]

Q

G

，总栅极电荷[ NC ]

3

FDAF69N25版本A

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FDAF69N25 250V N沟道MOSFET

典型性能特性

（续）

图7.击穿电压变化

与温度的关系

1.2

图8.导通电阻变化

与温度的关系

3.0

BV

DSS

（归一化）

漏源击穿电压

1.1

R

DS （ ON）

（归一化）

漏源导通电阻

2.5

2.0

1.0

1.5

1.0

0.9

*注意：

1. V

GS

= 0 V

2. I

D

= 250

A

0.5

*注意：

1. V

GS

= 10 V

2. I

D

= 17 A

0.8

-100

-50

0

50

100

150

200

0.0

-100

-50

0

50

100

150

200

T

J

，结温[

°

C]

T

J

，结温[

°

C]

图9.最高安全工作区

图10.最大漏极电流

与外壳温度

40

10

2

10

s

I

D

，漏电流[ A]

1毫秒

10

1

在这一领域

由R有限公司

DS （ ON）

10毫秒

100毫秒

DC

I

D

，漏电流[ A]

100

s

30

20

10

-1

10

0

10

1

图11.瞬态热响应曲线

10

0

Z

θ

JC

热响应

(t),

D = 0 .5

0 .2

10

-1

0 .1

0 .0 5

P

DM

t

1

t

2

N 2 O TE S：

1 . Z

θ

J·C

= 1 .0 8

(t)

/ W M A X 。

2 。 ü TY F A C到R，D = T

1

/t

2

3 . T

JM

- T

C

= P

D M

* Z

θ

JC

(t)

S IN克乐P ü LS ê

10

-2

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

t

1

，S之四重W AVE P ü LS E D ü RA TIO N [秒]

4

FDAF69N25版本A

℃

0 .0 1

※

0 .0 2

10

0

10

1

℃

V

DS

，漏源电压[V]

※

10

0

注意事项：

o

10

1. T

C

= 25 C

2. T

J

= 150 C

3.单脉冲

10

2

0

25

50

75

100

125

150

T

C

，外壳温度[]

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FDAF69N25 250V N沟道MOSFET

栅极电荷测试电路波形&

12V

200nF

V

GS

3mA

V

GS

R

G

DUT

10V

R

G

10V

t

p

FDAF69N25版本A

Ω

300nF

50K

同一类型

作为DUT

V

DS

V

GS

Q

g

10V

Q

gs

Q

gd

DUT

收费

电阻开关测试电路波形&

V

DS

R

L

V

DD

V

DS

90%

V

GS

10%

t

D（上）

t

on

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

t

f

非钳位感应开关测试电路波形&

L

V

DS

I

D

V

DD

DUT

V

DD

BV

DSS

I

AS

BV

DSS

1

---- L I

AS2

--------------------

E

AS

=

2

BV

DSS

- V

DD

I

D

(t)

V

DS

(t)

t

p

时间

5

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