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FMM5807X
21-27GHz功率放大器MMIC
特点
高输出功率的P1dB = 30dBm的(典型值)
高增益: G1dB = 14分贝(典型值)
高PAE :
η
添加= 20 % (典型值)。
宽频带: 21-27 GHz的
阻抗匹配寻/ ZOUT = 50Ω
0.25微米pHEMT技术
描述
该FMM5807X是一个高增益,宽频带3级
MMIC放大器在21-27GHz设计的操作
频率范围。该放大器具有输入和输出
在50Ω系统设计的。此设备是非常适合
毫米波无线电应用。
绝对最大额定值(环境温度Ta = 25 ℃)
漏源电压
栅源电压
输入功率
储存温度
工作温度背面
符号
VDD
VGG
TSTG
顶部
条件
等级
10
-3.0
25
-65到+175
-40至+85
单位
V
V
DBM
°C
°C
富士通建议砷化镓场效应管的长期可靠运行下列条件:
1.漏极 - 源极的工作电压(VDD)应不超过6伏。
2.正向和反向栅极电流不应超过4.0和-0.33毫安分别。
3.本品应密封包装。
电气特性(环境温度Tc = 25 ° C)
频带
输出功率1分贝G.C.P.
功率增益为1分贝G.C.P.
漏电流
功率附加英法fi效率
输入回波损耗
输出回波损耗
符号
f
P
1dB
G
1dB
Iddrf
η
添加
RLIN
RLOUT
VDD = 6V
F = 21 27 GHz的
* :在f = 21-24 GHz的
** :在f = 24-27 GHz的
国际直拨电话
=
650毫安(典型值)。
ZS = ZL = 50Ω
27*
28**
10
-
-
-
-
条件
范围
分钟。典型值。马克斯。
21 - 27
29*
30**
14
700
20
-12
-8
-
-
19
950
-
-
-
单位
GHz的
DBM
dB
mA
%
dB
dB
注意:
RF参数的样本量10PCS /片。标准(接受/拒绝) = (0/1)
G.C.P :增益压缩点
1.2版
2001年1月
1
FMM5807X
21-27GHz功率放大器MMIC
的P1dB , G1dB与VDD
IDD = 0.6IDSS
F =为26GHz
35
的P1dB ( dBm的) , G1dB ( dBm的)
30
25
20
15
P1dB
G1dB
输出功率&输入功率与频率的关系
VDD = 6V , IDD = 650毫安
34
32
输出功率(dBm )
30
28
26
24
22
6dBm
8dBm
10dBm
11dBm
12dBm
13dBm
14dBm
15dBm
16dBm
4
5
VDD
6
7
21
22
23
24
25
26
27
频率(GHz )
的P1dB , G1dB与频率的关系
输出功率与IMD
-20
VDD = 6V ,
IDS = 650毫安
f
= 10MHz时
21 GHz的IM3
21 GHz的IM5
26.5 GHz的IM3
26.5 GHz的IM5
34
P1dB的( DBM)
32
30
IDD = 650毫安
VDD = 6V
-25
-30
-35
IMD ( DBC)
18
16
14
12
10
G1dB ( dB)的
28
26
-40
-45
-50
-55
-60
21
22
23
24
25
26
27
频率(GHz )
14
16
18
20
22
24
26
28
总输出功率(dBm )
2
FMM5807X
21-27GHz功率放大器MMIC
焊接/装配图
VDD
220pF
0.15F
RFIN
RFOUT
220pF
220pF
VGG
0.15F
VDD
0.15F
S-参数
VDD = 6V , IDD = 650毫安
频率
S11
(兆赫)
MAG
18000
18500
19000
19500
20000
20500
21000
21500
22000
22500
23000
23500
24000
24500
25000
25500
26000
26500
27000
27500
28000
28500
29000
29500
30000
.776
.740
.698
.655
.613
.566
.520
.476
.433
.400
.367
.339
.308
.276
.243
.204
.166
.121
.064
.038
.140
.286
.408
.445
.453
72.5
65.1
57.8
50.9
44.5
38.3
31.9
26.4
21.2
16.1
10.8
5.7
-0.5
-7.1
-13.7
-22.5
-30.8
-44.7
-70.0
176.2
117.5
86.2
52.4
23.9
2.0
S21
MAG
3.842
4.541
5.287
6.001
6.588
6.949
7.057
7.001
6.807
6.568
6.314
6.104
5.956
5.838
5.799
5.832
5.924
6.109
6.364
6.673
6.840
6.228
4.231
2.273
1.145
S12
MAG
.003
.005
.004
.005
.005
.004
.003
.004
.005
.005
.004
.003
.003
.005
.005
.006
.008
.006
.009
.008
.009
.007
.004
.003
.009
S22
MAG
.702
.617
.510
.381
.230
.082
.100
.215
.309
.380
.425
.444
.452
.451
.436
.419
.391
.351
.309
.269
.250
.292
.330
.350
.382
63.2
52.6
41.5
29.7
21.6
32.9
123.2
129.2
121.0
111.4
100.1
90.0
80.2
70.6
61.0
50.8
39.8
27.4
14.7
2.3
-9.2
-34.1
-73.1
-113.7
-145.3
10.4
-16.8
-45.5
-75.6
-106.9
-138.6
-170.2
159.2
129.6
100.8
72.6
45.1
17.8
-9.8
-37.5
-66.5
-96.6
-128.9
-164.0
156.2
109.2
52.2
-8.6
-59.9
-100.4
-91.0
-75.1
-88.7
-82.5
-107.9
-68.8
-81.6
-42.0
-78.6
-75.2
-88.8
-45.0
-86.7
-80.9
-67.7
-59.8
-67.8
-60.7
-71.9
-91.5
-100.9
-119.9
-96.0
-59.5
-77.3
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3
FMM5807X
21-27GHz功率放大器MMIC
芯片大纲
VGG1
0
VDD1
235
2200
2110
2020
VDD2
1290
VDD4
2950
3450
620
2225
单位:
m
2200
2015
1330
RFIN
RFOUT
1275
180
185
90
0
0
0 105 265
620
1290
VDD3
2225
2950
VDD5
3350
3450
VGG2
芯片尺寸: 3450 ± 30微米X 2200 ± 30微米
芯片厚度: 70μm的
DC垫尺寸: VGG : 80× 80微米
VDD: 100× 100μm的
RF垫尺寸: 120微米X 80微米
欲了解更多信息,请联系:
富士通化合物半导体股份有限公司。
2355 Zanker路。
加利福尼亚州圣何塞, 95131-1138 , U.S.A.
电话: ( 408 ) 232-9500
传真: ( 408 ) 428-9111
www.fcsi.fujitsu.com
富士通微电子欧洲公司,有限公司
量子器件事业部
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Norreys驱动器
梅登黑德,伯克希尔SL6 4FJ
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传真: +44 ( 0 ) 1628 504888
小心
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砷化镓
砷化镓(GaAs )
这会危害人体和环境。
为安全起见,请遵循以下步骤:
不要摄取。
不要改变这个产品的形式转化为气体,粉末或液体
通过燃烧,粉碎,或化学处理,因为这些副产物
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遵守政府的法律和丢弃这个时候公司规定
产品。该产品必须按照方法被丢弃
适用危险废物的程序规定。
富士通公司保留更改产品规格,恕不另行通知。
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2000富士通化合物半导体股份有限公司。
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