FDMC2674 N沟道UltraFET沟道MOSFET
2007年1月
FDMC2674
N沟道UltraFET沟槽MOSFET
220V ， 7.0A ， 366mΩ
特点
最大
DS （ ON）
= 366mΩ在V
GS
= 10V ，我
D
= 1.0A
典型Q
g
= 12.7nC在V
GS
= 10V
低米勒电荷
低Q
rr
体二极管
在高频率效率优化
UIS能力（单脉冲，重复脉冲）
符合RoHS
tm
概述
UltraFET设备的特性相结合，使
标杆效率的功率转换应用。
对于R优化
DS （ ON）
，低ESR ，低总价和米勒的栅极电荷，
这些器件非常适用于高频直流到直流转换器。
应用
DC / DC转换器和离线式UPS
分布式电源架构
底部
顶部
5
6
7
8
D
1
D
D
D
D
D
D
5
6
7
8
4
G
3
S
2
S
1
S
4
3
2
S
S
S
G
D
电源33
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流 - 连续（硅有限公司）
-Continuous
-Pulsed
P
D
T
J
, T
英镑
功耗
功耗
工作和存储结温范围
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C
（注1A ）
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C
（注1B ）
参数
评级
220
±20
7.0
1.0
13.8
42
2.1
-55到+150
W
°C
A
单位
V
V
热特性
R
θJC
R
θJA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
（注1 ）
（注1A ）
3.0
60
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDMC2674
设备
FDMC2674
包
电源33
带尺寸
7’’
胶带宽度
8mm
QUANTITY
3000台
2006仙童半导体公司
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FDMC2674 N沟道UltraFET沟道MOSFET
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
ΔT
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
I
D
= 250μA ，引用至25℃
V
DS
= 176V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
220
248
1
±100
V
毫伏/°C的
μA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
ΔV
GS （ TH）
ΔT
J
r
DS （ ON）
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏极至源极导通电阻
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA
I
D
= 250μA ，引用至25℃
V
GS
= 10V ，我
D
= 1.0A
V
GS
= 10V ，我
D
= 1.0A ，T
J
= 150°C
2
3.4
-10.2
305
678
366
814
4
V
毫伏/°C的
mΩ
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
880
70
11
1180
95
20
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷，在10V
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
GS
= 0V至10V V
DD
= 15V
I
D
= 1.0A
V
DD
= 100V ，我
D
= 1.0A
V
GS
= 10V ，R
根
= 2.4Ω
9
13
15
21
12.7
3.8
2.9
18
23
27
34
18
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= 2.2A
（注2 ）
0.8
1.5
60
109
V
ns
nC
I
F
= 1.0A ，的di / dt = 100A / μs的
注意事项：
1:
R
θJA
与安装在一个1的设备中确定
2
盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR- 4材料。板。
θJC
由设计，同时保证
R
θJA
通过确定
用户的电路板设计。
（ A）R
θJA
= 60℃ / W安装在1时
2
垫2盎司纯铜， 1.5'x1.5'x0.062 “厚的PCB 。
（二）R
θJA
=装在2盎司纯铜最小焊盘时， 135 ° C / W 。
一。装在当60℃ / W的
在A 1
2
2盎司纯铜垫
B 。安装在一个时135℃ / W的
2盎司纯铜最小焊盘
2:
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
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典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
归
漏极至源极导通电阻
3.0
I
D
，漏电流（ A）
1.6
V
GS
= 4.5V
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0.0
V
GS
= 10V
V
GS
= 7V
V
GS
= 5V
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
1.4
V
GS
= 5.0V
1.2
V
GS
= 7V
V
GS
= 4.5V
1.0
V
GS
= 10V
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
0.5
1.0
1.5
0.8
0.5
V
DS
，漏源极电压（ V）
1.0
1.5
2.0
I
D
，漏电流（ A）
2.5
3.0
图1.区域特征
图2.归一导通电阻
VS漏极电流和栅极电压
0.8
R
DS （ ON）
，沥去
源导通电阻
(
Ω
)
归
漏极至源极导通电阻
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
-50
I
D
= 1A
V
GS
= 10V
I
D
= 1A
0.7
0.6
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
T
J
= 150
o
C
0.5
0.4
0.3
T
J
= 25
o
C
0.2
-25
0
25
50
75
100 125
T
J
，结温
(
o
C
)
150
4
8
12
16
V
GS
，门源电压（ V）
20
图3.归一导通电阻
VS结温
4
I
D
，漏电流（ A）
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
I
S
，反向漏电流（ A）
图4.导通电阻与栅极到
源极电压
20
10
V
GS
= 0V
3
V
DD
= 5V
1
T
J
= 150
o
C
2
T
J
= 150
o
C
0.1
0.01
T
J
= 25
o
C
1
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
1E-3
1E-4
0.0
T
J
= -55
o
C
0
2
3
4
5
V
GS
，门源电压（ V）
6
0.3
0.6
0.9
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
1.2
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管
正向电压随电流源
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典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
V
GS
，门源电压（ V）
10
I
D
= 1A
2000
1000
电容（pF）
C
国际空间站
8
V
DD
= 100V
6
4
2
0
0
3
6
9
Q
g
，栅极电荷（ NC）
12
15
100
C
OSS
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
10
5
0.1
C
RSS
1
10
100
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.电容VS漏
至源极电压
30
ID ，漏电流（ A）
2
I
AS
，雪崩电流
(
A
)
10
r
D
秒（上）
有限
1
100us
1
1ms
10ms
T
J
= 25
o
C
0.1
单脉冲
T
J
=最大额定
100ms
1s
10s
DC
T
J
= 125
o
C
0.01
R
θ
JA
= 135
o
C / W
T
A
= 25
o
C
0.1
0.01
0.1
1
10
100
1E-3
0.1
1
10
100
1000
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图9.松开电感
交换能力
500
P
(
PK
)
，瞬态峰值功率（ W）
图10.正向偏置安全
工作区
100
T
A
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
150
–
T
A
-----------------------
-
125
10
I = I
25
单脉冲
1
0.5
-4
10
R
θ
JA
= 135℃ / W
o
10
-3
10
-2
10
T，脉冲宽度（ S）
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
图11.单脉冲最大功率耗散
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典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
2
1
归热
阻抗Z
θ
JA
占空比，降序排列
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.1
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJA
个R
θJA
+ T
A
-1
0
1
2
3
0.01
单脉冲
R
θ
JA
= 135℃ / W
o
1E-3
-4
10
10
-3
10
-2
10
10
10
10
10
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
图12.瞬态热响应曲线
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FDMC2674 N沟道UltraFET海沟
MOSFET
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
I
D
= 250μA ，参考
25°C
V
DS
= 176V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V,
220
248
1
±100
V
毫伏/°C的
A
nA
基本特征
（注2 ）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
r
DS （ ON）
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
漏极至源极导通电阻
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
I
D
= 250μA ，参考
25°C
V
GS
= 10V ，我
D
= 1A
V
GS
= 10V ，我
D
= 1A,
T
J
=150
o
C
2
3.4
-10.2
305
678
366
814
m
4
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
=100V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
880
70
11
1180
95
20
pF
pF
pF
开关特性
（注2 ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷，在10V
门源栅极电荷
栅漏电荷
V
DD
= 15V, V
GS
= 10V,
I
D
= 1A ，我
G
= 1.0毫安
V
DD
= 100V ，我
D
= 1A
V
GS
= 10V ，R
GS
= 2.4
9
13
15
21
12.7
3.8
2.9
18
23
27
34
18
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管的正向电压V
GS
= 0V时，我
S
= 1A
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
F
= 1A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 1A ，的di / dt = 100A / μs的
0.8
1.5
60
109
V
ns
nC
注意事项：
1:
R
θJA
与安装在1英寸的设备决定
2
oz.copper焊盘上的FR-4材料基板的1.5x1.5 .R
θJC
设计是保证，而
θJA
is
通过用户的电路板的设计来确定。
a.
52°C/W
当安装在
在A 1
2
2盎司纯铜垫
B 。 108 ° C / W
当安装在
2盎司纯铜最低垫
2:
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
3:
起始物为
J
=
25 ℃时， L = 3MH ，我
AS
= 3A ，V
DD
= 50V, V
GS
= 10V.
2
FDMC2674英文内容
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