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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第419页 > FMG2G400US60
FMG2G400US60
IGBT
FMG2G400US60
成型类型模块
概述
飞兆半导体的IGBT功率模块提供低传导和
开关损耗以及短路坚固性。这是
专为应用，如电机控制，
不间断电源（UPS ）和通用变频器
其中，短路耐用是必需的。
特点
额定短路时间;为10μs @ T
C
= 100℃ ，V
GE
= 15V
高速开关
低饱和电压： V
CE
（SAT） = 2.1 V @ I
C
= 400A
高输入阻抗
快速&软反并联FWD
UL认证No.E209204
封装代码：7 PM- IA
应用
AC &直流电机控制
通用变频器
机器人
伺服控制
UPS
C1
E1/C2
E2
G1
E1
G2
E2
内部电路框图
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM （1）
I
F
I
FM
P
D
T
SC
T
J
T
英镑
V
ISO
安装力矩
T
C
= 25 ° C除非另有说明
描述
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流脉冲
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
最大功率耗散
短路承受时间
工作结温
存储温度范围
隔离电压
电源端子螺丝： M6
安装螺丝： M6
@ T
C
= 80°C
@ T
C
= 80°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
FMG2G400US60
600
± 20
400
800
400
800
1136
10
-40到+150
-40到+125
2500
4.0
4.0
单位
V
V
A
A
A
A
W
us
°C
°C
V
牛米
牛米
@ AC 1分钟
注意事项：
（ 1 ）重复评价：脉冲宽度有限的最大值。结温
2003仙童半导体公司
FMG2G400US60版本A
FMG2G400US60
IGBT的电气特性
符号
参数
T
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
CES
B
VCES
/
T
J
I
CES
I
GES
集电极 - 发射极击穿电压
温度COEFF 。击穿
电压
集电极截止电流
门 - 发射极漏电流
V
GE
= 0V时，我
C
= 250uA
V
GE
= 0V时，我
C
= 1毫安
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
600
--
--
--
--
0.6
--
--
--
--
250
± 100
V
V /°C的
uA
nA
基本特征
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
门 - 发射极阈值电压
集电极到发射极饱和电压
I
C
= 400毫安，V
CE
= V
GE
I
C
= 400A
,
V
GE
= 15V
5.0
--
6.5
2.1
8.5
2.7
V
V
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
T
sc
Q
g
Q
ge
Q
gc
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
短路承受时间
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
V
CC
= 300 V，I
C
= 400A,
R
G
= 2, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 25°C
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
10
--
--
--
160
220
230
150
9.5
21
320
240
290
230
11
26
--
1200
310
490
--
--
--
250
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
us
nC
nC
nC
V
CC
= 300 V，I
C
= 400A,
R
G
= 2, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 125°C
V
CC
= 300 V, V
GE
= 15V
100°C
@
T
C
=
V
CE
= 300 V，I
C
=400A,
V
GE
= 15V
二极管的电气特性
符号
V
FM
t
rr
I
rr
Q
rr
参数
二极管的正向电压
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向恢复
当前
二极管的反向恢复电荷
T
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
T
C
= 25°C
I
F
= 400A
T
C
= 100°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
I
F
= 400A
的di / dt = 800 A /美
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
分钟。
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值。
1.9
1.8
90
130
35
76
1580
4940
马克斯。
2.8
--
130
--
46
--
3000
--
单位
V
ns
A
nC
热特性
符号
R
θJC
R
θJC
R
θJC
重量
参数
结至外壳（ IGBT部分，每1/2模块）
结至外壳（二极管部分，每1/2模块）
外壳到散热器
（导电润滑脂应用）
模块的重量
典型值。
--
--
0.03
360
马克斯。
0.11
0.18
--
--
单位
° C / W
° C / W
° C / W
g
2003仙童半导体公司
FMG2G400US60版本A
FMG2G400US60
6 0 0
5 0 0
共发射极
V
GE
= 15V
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
6 0 0
5 0 0
共发射极
T
C
= 25℃
2 0 V
1 5 V
1 2 V
V
摹ê
= 1 0 V
[ A ]
[ A ]
C 0 LL权证吨 R C ü R R简T，I
C
4 0 0
3 0 0
2 0 0
1 0 0
0
1
1 0
权证
4 0 0
3 0 0
2 0 0
1 0 0
0
0
1
2
3
权证
C 0 LL权证吨 R C ü R R简T，I
C
4
C 0 LL权证T O服务的R - ê米其T E R诉 LT A G E， V
[ V ]
C 0 LL权证T O服务的R - ê米其T E R诉 LT A G E， V
[ V ]
图1.典型的输出特性
图2.典型的饱和电压
特征
6 0 0
5 0 0
共发射极
T
C
= 125℃
2 0 V
1 5 V
1 2 V
4 . 0
3 . 5
3 . 0
2 . 5
2 . 0
1 . 5
1 . 0
2 5
5 0
7 5
C
共发射极
V
GE
= 15V
[ A ]
3 0 0
2 0 0
1 0 0
0
0
1
2
3
权证
C 0 LL权证T O服务的R - ê米其T E R诉 LT A G E， V
4 0 0
V
摹ê
= 1 0 V
权证
[ V ]
6 0 0 A
C 0 LL权证吨 R C ü R R简T，I
C
4 0 0 A
2 0 0 A
4
C 0 LL权证T O服务的R - ê米其T E R诉 LT A G E， V
[ V ]
1 0 0
[℃]
1 2 5
C时发E率T e米P·E·R的T ü E，T
图3.典型的饱和电压
特征
图4.饱和电压与案例
温度变电流等级
1 0 0 0 0
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 400A
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 400A
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
1 0 0 0
S瓦特它 H I N G - T I M E [N S]
S瓦特它 H I N G - T I M E [N S]
牛逼0：N
牛逼
T O服务FF
1 0 0 0
五六
1 0 0
1 0 0
2
4
6
8
1 0
1 2
1 4
2
4
6
8
1 0
1 2
1 4
G A T E SIS T A N c个E，R G [
]
G A T E SIS T A N c个E，R G [
]
图5.打开，在主场迎战特点
栅极电阻
2003仙童半导体公司
图6.关断特性对比
栅极电阻
FMG2G400US60版本A
FMG2G400US60
1 0 0
S瓦特它c H I体中O 2 S S [米J]。
ê FF
S瓦特它 H I N G - T I M E [N S]
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 400A
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
1 0 0 0
共发射极
V
GE
=
±
15V ，R
G
= 2
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
牛逼0：N
1 0
ê 0：N
牛逼
1 0 0
2
4
6
8
1 0
1 2
1 4
2 8 0
3 2 0
3 6 0
C
4 0 0
G A T E SIS T A N c个E，R G [
]
C 0 LL权证吨 R C ü R R简T，I
[ A ]
图7.开关损耗与栅极电阻
图8.打开，在主场迎战特点
集电极电流
S瓦特它 H I N G - T I M E [N S]
S瓦特它c H I体中O 2 S S [米J]。
1 0 0 0
共发射极
V
GE
=
±
15V ，R
G
= 2
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
1 0 0
共发射极
V
GE
=
±
15V ，R
G
= 2
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
ê FF
T O服务FF
1 0
ê 0：N
五六
1 0 0
2 8 0
3 2 0
C
3 6 0
4 0 0
1
2 8 0
3 2 0
3 6 0
C
4 0 0
C 0 LL权证吨 R C ü R R简T，I
[ A ]
C 0 LL权证吨 R C ü R R简T，I
[ A ]
图9.关断特性对比
集电极电流
图10.开关损耗与集电极电流
1 5
共发射极
I
C
= 400A
V
CC
= 300V
T
C
= 25 C
o
8 0 0
共阴极
V
GE
= 0V
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
[ V ]
1 2
G A T E - ê米ITT ê诉 LT A G E， V
摹ê
9
6
ú RR简T，I
F R W A R
F
[ A ]
6 0 0
4 0 0
3
2 0 0
0
0
0
2 0 0
4 0 0
6 0 0
g
8 0 0
1 0 0 0
1 2 0 0
0
1
2
3
4
G A T E建华一R G E，Q
[N C]
F R W A R
V LT A G E，
V
F
[ V ]
图11.栅极电荷特性
2003仙童半导体公司
图12.正向特性（二极管）
FMG2G400US60版本A
FMG2G400US60
P EAK EVERSE ecovery ú RR耳鼻喉科，我
[ A ]
rr
; V。E R 5 é 权证0伏è R T I M E ，T
[X 1 0 N秒]
1 0 0
共阴极
的di / dt = 800A /
T
C
= 25℃
T
C
= 100℃
I
rr
rr
1 0
t
rr
0
5 0
1 0 0
1 5 0
2 0 0
2 5 0
F
3 0 0
3 5 0
4 0 0
4 5 0
F R W A R
ú RR简T，I
[ A ]
图13.反向恢复特性（二极管）
2003仙童半导体公司
FMG2G400US60版本A
FMG2G400US60
IGBT
FMG2G400US60
成型类型模块
概述
飞兆半导体的IGBT功率模块提供低传导和
开关损耗以及短路坚固性。这是
专为应用，如电机控制，
不间断电源（UPS ）和通用变频器
其中，短路耐用是必需的。
特点
额定短路时间;为10μs @ T
C
= 100℃ ，V
GE
= 15V
高速开关
低饱和电压： V
CE
（SAT） = 2.1 V @ I
C
= 400A
高输入阻抗
快速&软反并联FWD
UL认证No.E209204
封装代码：7 PM- IA
应用
AC &直流电机控制
通用变频器
机器人
伺服控制
UPS
C1
E1/C2
E2
G1
E1
G2
E2
内部电路框图
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM （1）
I
F
I
FM
P
D
T
SC
T
J
T
英镑
V
ISO
安装力矩
T
C
= 25 ° C除非另有说明
描述
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流脉冲
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
最大功率耗散
短路承受时间
工作结温
存储温度范围
隔离电压
电源端子螺丝： M6
安装螺丝： M6
@ T
C
= 80°C
@ T
C
= 80°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
FMG2G400US60
600
± 20
400
800
400
800
1136
10
-40到+150
-40到+125
2500
4.0
4.0
单位
V
V
A
A
A
A
W
us
°C
°C
V
牛米
牛米
@ AC 1分钟
注意事项：
（ 1 ）重复评价：脉冲宽度有限的最大值。结温
2003仙童半导体公司
FMG2G400US60版本A
FMG2G400US60
IGBT的电气特性
符号
参数
T
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
CES
B
VCES
/
T
J
I
CES
I
GES
集电极 - 发射极击穿电压
温度COEFF 。击穿
电压
集电极截止电流
门 - 发射极漏电流
V
GE
= 0V时，我
C
= 250uA
V
GE
= 0V时，我
C
= 1毫安
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
600
--
--
--
--
0.6
--
--
--
--
250
± 100
V
V /°C的
uA
nA
基本特征
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
门 - 发射极阈值电压
集电极到发射极饱和电压
I
C
= 400毫安，V
CE
= V
GE
I
C
= 400A
,
V
GE
= 15V
5.0
--
6.5
2.1
8.5
2.7
V
V
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
T
sc
Q
g
Q
ge
Q
gc
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
短路承受时间
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
V
CC
= 300 V，I
C
= 400A,
R
G
= 2, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 25°C
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
10
--
--
--
160
220
230
150
9.5
21
320
240
290
230
11
26
--
1200
310
490
--
--
--
250
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
us
nC
nC
nC
V
CC
= 300 V，I
C
= 400A,
R
G
= 2, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 125°C
V
CC
= 300 V, V
GE
= 15V
100°C
@
T
C
=
V
CE
= 300 V，I
C
=400A,
V
GE
= 15V
二极管的电气特性
符号
V
FM
t
rr
I
rr
Q
rr
参数
二极管的正向电压
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向恢复
当前
二极管的反向恢复电荷
T
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
T
C
= 25°C
I
F
= 400A
T
C
= 100°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
I
F
= 400A
的di / dt = 800 A /美
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
分钟。
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值。
1.9
1.8
90
130
35
76
1580
4940
马克斯。
2.8
--
130
--
46
--
3000
--
单位
V
ns
A
nC
热特性
符号
R
θJC
R
θJC
R
θJC
重量
参数
结至外壳（ IGBT部分，每1/2模块）
结至外壳（二极管部分，每1/2模块）
外壳到散热器
（导电润滑脂应用）
模块的重量
典型值。
--
--
0.03
360
马克斯。
0.11
0.18
--
--
单位
° C / W
° C / W
° C / W
g
2003仙童半导体公司
FMG2G400US60版本A
FMG2G400US60
6 0 0
5 0 0
共发射极
V
GE
= 15V
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
6 0 0
5 0 0
共发射极
T
C
= 25℃
2 0 V
1 5 V
1 2 V
V
摹ê
= 1 0 V
[ A ]
[ A ]
C 0 LL权证吨 R C ü R R简T，I
C
4 0 0
3 0 0
2 0 0
1 0 0
0
1
1 0
权证
4 0 0
3 0 0
2 0 0
1 0 0
0
0
1
2
3
权证
C 0 LL权证吨 R C ü R R简T，I
C
4
C 0 LL权证T O服务的R - ê米其T E R诉 LT A G E， V
[ V ]
C 0 LL权证T O服务的R - ê米其T E R诉 LT A G E， V
[ V ]
图1.典型的输出特性
图2.典型的饱和电压
特征
6 0 0
5 0 0
共发射极
T
C
= 125℃
2 0 V
1 5 V
1 2 V
4 . 0
3 . 5
3 . 0
2 . 5
2 . 0
1 . 5
1 . 0
2 5
5 0
7 5
C
共发射极
V
GE
= 15V
[ A ]
3 0 0
2 0 0
1 0 0
0
0
1
2
3
权证
C 0 LL权证T O服务的R - ê米其T E R诉 LT A G E， V
4 0 0
V
摹ê
= 1 0 V
权证
[ V ]
6 0 0 A
C 0 LL权证吨 R C ü R R简T，I
C
4 0 0 A
2 0 0 A
4
C 0 LL权证T O服务的R - ê米其T E R诉 LT A G E， V
[ V ]
1 0 0
[℃]
1 2 5
C时发E率T e米P·E·R的T ü E，T
图3.典型的饱和电压
特征
图4.饱和电压与案例
温度变电流等级
1 0 0 0 0
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 400A
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 400A
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
1 0 0 0
S瓦特它 H I N G - T I M E [N S]
S瓦特它 H I N G - T I M E [N S]
牛逼0：N
牛逼
T O服务FF
1 0 0 0
五六
1 0 0
1 0 0
2
4
6
8
1 0
1 2
1 4
2
4
6
8
1 0
1 2
1 4
G A T E SIS T A N c个E，R G [
]
G A T E SIS T A N c个E，R G [
]
图5.打开，在主场迎战特点
栅极电阻
2003仙童半导体公司
图6.关断特性对比
栅极电阻
FMG2G400US60版本A
FMG2G400US60
1 0 0
S瓦特它c H I体中O 2 S S [米J]。
ê FF
S瓦特它 H I N G - T I M E [N S]
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 400A
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
1 0 0 0
共发射极
V
GE
=
±
15V ，R
G
= 2
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
牛逼0：N
1 0
ê 0：N
牛逼
1 0 0
2
4
6
8
1 0
1 2
1 4
2 8 0
3 2 0
3 6 0
C
4 0 0
G A T E SIS T A N c个E，R G [
]
C 0 LL权证吨 R C ü R R简T，I
[ A ]
图7.开关损耗与栅极电阻
图8.打开，在主场迎战特点
集电极电流
S瓦特它 H I N G - T I M E [N S]
S瓦特它c H I体中O 2 S S [米J]。
1 0 0 0
共发射极
V
GE
=
±
15V ，R
G
= 2
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
1 0 0
共发射极
V
GE
=
±
15V ，R
G
= 2
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
ê FF
T O服务FF
1 0
ê 0：N
五六
1 0 0
2 8 0
3 2 0
C
3 6 0
4 0 0
1
2 8 0
3 2 0
3 6 0
C
4 0 0
C 0 LL权证吨 R C ü R R简T，I
[ A ]
C 0 LL权证吨 R C ü R R简T，I
[ A ]
图9.关断特性对比
集电极电流
图10.开关损耗与集电极电流
1 5
共发射极
I
C
= 400A
V
CC
= 300V
T
C
= 25 C
o
8 0 0
共阴极
V
GE
= 0V
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
[ V ]
1 2
G A T E - ê米ITT ê诉 LT A G E， V
摹ê
9
6
ú RR简T，I
F R W A R
F
[ A ]
6 0 0
4 0 0
3
2 0 0
0
0
0
2 0 0
4 0 0
6 0 0
g
8 0 0
1 0 0 0
1 2 0 0
0
1
2
3
4
G A T E建华一R G E，Q
[N C]
F R W A R
V LT A G E，
V
F
[ V ]
图11.栅极电荷特性
2003仙童半导体公司
图12.正向特性（二极管）
FMG2G400US60版本A
FMG2G400US60
P EAK EVERSE ecovery ú RR耳鼻喉科，我
[ A ]
rr
; V。E R 5 é 权证0伏è R T I M E ，T
[X 1 0 N秒]
1 0 0
共阴极
的di / dt = 800A /
T
C
= 25℃
T
C
= 100℃
I
rr
rr
1 0
t
rr
0
5 0
1 0 0
1 5 0
2 0 0
2 5 0
F
3 0 0
3 5 0
4 0 0
4 5 0
F R W A R
ú RR简T，I
[ A ]
图13.反向恢复特性（二极管）
2003仙童半导体公司
FMG2G400US60版本A
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