FDMC3300NZA单片共漏极N沟道2.5V指定的PowerTrench
MOSFET
2007年1月
FDMC3300NZA
单片共漏极N沟道2.5V指定的PowerTrench
20V ，8A， 26mΩ
特点
概述
最大
DS （ ON）
= 26mΩ在V
GS
= 4.5V ，我
D
= 8.0A
最大
DS （ ON）
= 34mΩ在V
GS
= 2.5V ，我
D
= 7.0A
>2000V ESD保护
薄型 - 1毫米最大 - 在新的MLP封装
3.3x3.3毫米
符合RoHS
MOSFET
tm
这双N沟道MOSFET的设计使用
飞兆半导体的PowerTrench先进
过程
优化第r
DS （ ON）
@ V
GS
= 2.5V特殊MLP引线框架
与包装的一侧的所有下水道。
应用
的锂离子电池组
D2 5
D2
D1
D1
D2
D2
4
3
2
1
D2 6
D1 7
S2
G2
D1 8
S1
G1
电源33
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
-Continuous
-Pulsed
功率耗散（稳态）
工作和存储结温范围
（注1A ）
（注1A ）
参数
等级
20
±12
8
40
2.1
-55到+150
单位
V
V
A
W
°C
热特性
R
θJA
R
θJA
热阻，结到环境
热阻，结到环境
（注1A ）
（注1B ）
60
135
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
3300A
设备
FDMC3300NZA
包
电源33
带尺寸
7”
胶带宽度
8mm
QUANTITY
3000台
2006仙童半导体公司
FDMC3300NZA Rev.C
1
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1
3
2
4
6
7
8
5
G2
S2
G1
S1
FDMC3300NZA单片共漏极N沟道2.5V指定的PowerTrench
MOSFET
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
ΔT
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
I
D
= 250μA ，引用至25℃
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±12V, V
DS
= 0V
20
12
1
±10
V
毫伏/°C的
μA
μA
基本特征
V
GS （ TH）
ΔV
GS （ TH）
ΔT
J
r
DS （ ON）
g
FS
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA
I
D
= 250μA ，引用至25℃
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 8.0A
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 7.0A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 8.0A ，T
J
= 150°C
V
DS
= 5V ，我
D
= 8.0A
0.6
-3.1
20
25
26
29
26
34
35
S
mΩ
1.5
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
F = 1MHz的
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
610
165
115
1.7
815
220
175
pF
pF
pF
Ω
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷，在4.5V
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
GS
= 0V至4.5V V = 10V
DD
I
D
= 8.0A
V
DD
= 10V ，我
D
= 1.0A
V
GS
= 4.5V ，R
根
= 6.0Ω
8
8
19
9
8
1
2
16
16
34
18
12
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= 2.0A
（注2 ）
0.7
1.2
21
6
V
ns
nC
I
F
= 8.0A ，的di / dt = 100A / μs的
注意事项：
1:
R
θJA
与安装在一个1的设备中确定
2
盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR- 4材料。板。
θJC
由设计，同时保证
R
θJA
通过确定
用户的电路板设计。
（ A）R
θJA
= 60℃ / W安装在1时
2
垫2盎司纯铜， 1.5'x1.5'x0.062 “厚的PCB 。
（二）R
θJA
=装在2盎司纯铜最小焊盘时， 135 ° C / W 。
B 。安装在一个时135℃ / W的
2盎司纯铜最小焊盘
一。装在当60℃ / W的
在A 1
2
2盎司纯铜垫
2:
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
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2
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FDMC3300NZA单片共漏极N沟道2.5V指定的PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 4.0V
归
漏极至源极导通电阻
40
I
D
，漏电流（ A）
2.0
1.8
1.6
1.4
V
GS
= 3.5V
V
GS
= 2.0V
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 2.5V
V
GS
= 4.0V
30
V
GS
= 3.5V
V
GS
= 3.0V
V
GS
= 2.5V
20
V
GS
=3.0V
V
GS
=2.0V
1.2
1.0
V
GS
= 4.5V
10
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
，漏源极电压（ V）
0.8
0
10
20
I
D
，漏电流（ A）
30
40
图1.地区特点
图2.归一导通电阻
VS漏极电流和栅极电压
60
r
DS （ ON）
，沥去
源导通电阻
(
m
Ω
)
归
漏极至源极导通电阻
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
-50
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
I
D
= 8.0A
V
GS
= 4.5V
I
D
= 4.0A
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
50
40
T
J
= 125
o
C
30
T
J
= 25
o
C
-25
0
25
50
75
100 125
T
J
，结温
(
o
C
)
150
20
0
2
4
6
8
10
V
GS
，门源电压（ V）
图3.归一导通电阻
VS结温
40
I
D
，漏电流（ A）
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
I
S
，反向漏电流（ A）
图4.导通电阻与栅极到
源极电压
40
10
V
GS
= 0V
30
V
DD
= 5V
T
J
= 125
o
C
1
T
J
= 25
o
C
20
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
0.1
T
J
= -55
o
C
10
0.01
T
J
= -55
o
C
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
GS
，门源电压（ V）
3.5
1E-3
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
1.4
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管
正向电压随电流源
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MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
V
GS
，门源电压（ V）
8
I
D
= 8A
V
DD
= 5V
1000
电容（pF）
6
C
国际空间站
C
OSS
4
V
DD
= 10V
V
DD
= 15V
2
100
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
C
RSS
0
0
4
8
12
Q
g
，栅极电荷（ NC）
16
50
0.1
1
V
DS
，漏源极电压（ V）
10
图7.栅极电荷特性
图8.电容VS漏
至源极电压
P
(
PK
)
，瞬态峰值功率（ W）
500
V
GS
=10V
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
I = I
25
150
–
T
A
-----------------------
-
125
T
A
= 25
o
C
100
r
DS （ ON）
有限
I
D
，漏电流（ A）
10
100us
1ms
100
1
10ms
100ms
10
单脉冲
o
R
θ
JA
= 135℃ / W
0.1
单脉冲
TJ =最大额定
o
R
θ
JA
= 135℃ / W
TA = 25
O
C
1s
10s
DC
1
0.5
-4
10
0.01
0.1
1
10
60
10
-3
V
DS
，漏源极电压（ V）
10
10
10
10
T，脉冲宽度（ S）
-2
-1
0
1
10
2
10
3
图9.正向偏置安全
工作区
图10.单脉冲最大
功耗
2
1
归热
阻抗Z
θ
JA
占空比，降序排列
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
0.01
单脉冲
o
R
θ
JA
= 135℃ / W
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJA
个R
θJA
+ T
A
1E-3
-4
10
10
-3
10
10
10
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
-2
-1
0
10
1
10
2
10
3
图11 。
瞬态热响应曲线
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