FM27C040 4,194,304位（ 512K ×8 ）高性能CMOS EPROM
2000年1月
FM27C040
4,194,304位（ 512K ×8 ）高性能
CMOS EPROM
概述
该FM27C040是一种高性能， 4194304位电
可编程紫外线擦除只读存储器。它的组织结构
由于每个8位512K字。其引脚兼容性字节宽
JEDEC的EPROM支持通过8兆比特的EPROM升级。
“不关心”功能的V
PP
在读取操作期间允许
内存扩展，从1M到8兆，没有印刷电路
全盘改变。
该FM27C040提供基于微处理器的系统exten-
西伯存储容量为操作系统的大部分与
应用软件。其120ns的访问时间提供高速
操作高性能的CPU。该FM27C040提供
对于100％的代码存储要求的单芯片解决方案
基于固件的设备。经常使用的软件程序
很快从EPROM存储执行，极大地提高了
系统实用程序。
该FM27C040采用飞兆半导体先进的CMOS制造
AMG EPROM技术。
特点
I
高性能CMOS
- 120 ， 150ns的访问时间*
I
简单的升级路径
—V
PP
是在正常的读操作“无关”
I
制造商标识代码
I
JEDEC标准的引脚配置
- 32引脚PDIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚CERDIP
*注意：
新的修订符合为70ns 。请与厂方。
框图
VCC
GND
VPP
OE
CE / PGM
输出使能，
芯片使能，并
程序逻辑
数据输出O0 - O7
产量
缓冲器
Y译码
..
门控
A0 - A18
地址
输入
.......
4,194,304-Bit
细胞矩阵
X解码器
DS800033-1
AMG 是WSI ， Inc.的商标。
1999仙童半导体公司
FM27C040版本A
1
www.fairchildsemi.com
FM27C040 4,194,304位（ 512K ×8 ）高性能CMOS EPROM
连接图
27C010
FM27C040
XX / V
PP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
27C010
XX / V
PP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
GND
注意：
V
CC
A18
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE / PGM
O7
O6
O5
O4
O3
V
CC
XX / PGM
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
O7
O6
O5
O4
O3
DS800033-2
兼容EPROM的管脚配置示于邻近FM27C040销的块。
商业级温度范围
(0
°
C至+70
°
C） V
CC
= 5V
±
10%
参数/订单号
FM27C040 Q， N，V 90
FM27C040 Q， N，V 120
FM27C040 Q， N，V 150
扩展级温度范围
(-40
°
C至+ 85
°
C） V
CC
= 5V
±
10%
参数/订单号
FM27C040 QE ， NE ， VE 90
FM27C040 QE ， NE ， VE 120
FM27C040 QE ， NE ， VE 150
套餐类型： FM27C040 Q， N，V XXX
Q =石英窗陶瓷DIP
N =塑料DIP
访问时间（纳秒）
90
120
150
访问时间（纳秒）
90
120
150
所有版本都保证正常的速度较慢。
引脚名称
A0–A18
CE / PGM
OE
O0–O7
XX
地址
芯片使能/程序
OUTPUT ENABLE
输出
不在乎（在读）
V = PLCC
所有封装符合JEDEC标准。
2
FM27C040版本A
www.fairchildsemi.com
FM27C040 4,194,304位（ 512K ×8 ）高性能CMOS EPROM
绝对最大额定值
（注1 ）
储存温度
所有输入电压除与A9
对于地面
V
PP
和A9的对地
V
CC
与电源电压
对于地面
ESD保护
-65 ° C至+ 150°C
所有输出电压与
对于地面
V
CC
+ 1.0V至GND - 0.6V
工作范围
-0.6V至+ 7V
-0.6V至+ 14V
-0.6V至+ 7V
>2000V
范围
广告
产业
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
+5V
+5V
公差
±10%
±10%
读操作
DC电气特性
在整个工作范围与V
PP
= V
CC
符号
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
I
SB1
I
SB2
I
CC
I
PP
V
PP
I
LI
I
LO
参数
输入低电平
输入高电平
输出低电压
输出高电压
V
CC
待机电流（ CMOS ）
V
CC
待机电流
V
CC
工作电流
V
PP
电源电流
V
PP
读取电压
输入负载电流
输出漏电流
测试条件
民
-0.5
2.0
最大
0.8
V
CC
+1
0.4
单位
V
V
V
V
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -2.5毫安
CE = V
CC
±
0.3V
CE = V
IH
CE = OE = V
IL
,
I / O = 0毫安
V
PP
= V
CC
V
CC
- 0.4
V
IN
= 5.5V或GND
V
OUT
= 5.5V或GND
-1
-10
F = 5兆赫
3.5
100
1
30
10
V
CC
1
10
A
mA
mA
A
V
A
A
AC电气特性
在整个工作范围与V
PP
= V
CC
符号
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
（注2 ）
t
OH
（注2 ）
参数
民
地址输出延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
输出禁止以
输出的浮动
从地址CE或OE输出保持，
以先发生
0
120
最大
120
120
50
45
0
150
民
最大
150
150
50
55
单位
ns
电容
T
A
= + 25 ° C，F = 1兆赫（注2 ）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
典型值
9
12
最大
15
15
单位
pF
pF
3
FM27C040版本A
www.fairchildsemi.com
FM27C040 4,194,304位（ 512K ×8 ）高性能CMOS EPROM
AC测试条件
输出负载
1 TTL门和C
L
= 100 pF的（注8 ）
≤5
ns
0.45V至2.4V
输入上升和下降时间
输入脉冲电平
定时测量参考电平（注10 ）
输入
0.8V和2V
产出？
0.8V和2V
AC波形
（注6 ， 7 ， 9 ）
地址
2V
0.8V
地址是合法的
CE
2V
0.8V
吨CE
吨CF
（注4,5）
OE
2V
0.8V
吨OE
（注3）
吨DF
（注4,5）
有效的输出
高阻
吨OH
DS800033-4
产量
2V
0.8V
高阻
吨ACC
（注3）
注1 ：
条件超过上述“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
注2 ：
该参数仅取样，而不是100％测试。
注3 ：
OE可能会延迟到t
加
- t
OE
行政长官不会影响吨下降沿后
加
.
注4 ：
经t
DF
和T
CF
比较电平如下确定：
高TRI- STATE
时，测得的V
OH1
（直流） - 0.10V ;
低TRI -STATE ，测得V
OL1
（直流）+ 0.10V 。
注5 ：
TRI- STATE可以使用OE或CE来实现。
注6 ：
EPROM中的功率开关特性需要仔细的去耦装置。所以建议至少0.1
F
陶瓷电容在每个设备上使用
V之间
CC
和GND 。
注7 ：
的输出必须被限制到V
CC
+ 1.0V以避免闩锁和设备的损坏。
注8 ：
1 TTL门：我
OL
= 1.6毫安，我
OH
= -400
A.
C
L
： 100 pF的包括夹具电容。
注9 ：
V
PP
可以连接到V
CC
除了在编程过程中。
注10 ：
输入和输出可以下冲至-2.0V为20 ns（最大值） 。
4
FM27C040版本A
www.fairchildsemi.com
FM27C040 4,194,304位（ 512K ×8 ）高性能CMOS EPROM
编程波形
（注13 ）
节目
地址
2V
0.8V
节目
VERIFY
地址n
t
AS
数据
2V
0.8V
数据稳定
增加N
t
AH
高阻
数据输出有效
增加N
t
DS
6.25V
t
DH
t
DF
V
PP
12.75V
t
VCS
V
CC
t
VPS
2V
0.8V
CE / PGM
t
PW
OE
2V
0.8V
t
OES
t
OE
DS800033-5
编程特性
（注11 ， 12 ， 13 ， 14 ）
符号
t
AS
t
OES
t
DS
t
VPS
t
VCS
t
AH
t
DH
t
DF
t
PW
t
OE
I
PP
I
CC
T
A
V
CC
V
PP
t
FR
V
IL
V
IH
t
IN
t
OUT
参数
地址建立时间
OE建立时间
数据建立时间
V
PP
建立时间
V
CC
建立时间
地址保持时间
数据保持时间
输出使能到输出的浮动延迟
编程脉冲宽度
数据有效的OE
V
PP
在电源电流
编程脉冲
V
CC
电源电流
温度环境
电源电压
编程电压
输入的上升，下降时间
输入低电压
输入高电压
输入时序参考电压
输出时序参考电压
条件
民
1
1
1
1
1
0
1
典型值
最大
单位
s
s
s
s
s
s
s
CE / PGM = X
0
45
50
60
105
100
30
30
ns
s
ns
mA
mA
°C
V
V
ns
CE / PGM = X
CE / PGM = V
IL
20
6.25
12.5
5
-0.1
2.4
0.8
0.8
25
6.5
12.75
30
6.75
13.0
0.0
4.0
0.45
V
V
2.0
2.0
V
V
注11 ：
只有飞兆半导体的标准产品保修适用于编程，这里所描述的规格的设备。
注12 ：
V
CC
必须同时或V前申请
PP
同时或V后取出
PP
。在EPROM中不能插入或从板除去
电压施加到V
PP
或V
CC
.
注13 ：
其可被应用到V中的最大绝对允许电压
PP
在编程过程中引脚为14V 。切换V时，必须小心
PP
供应
防止过冲超出这个14V的最大规格。至少0.1
F
电容器两端V所需
PP
, V
CC
至GND，抑制杂散电压瞬变
这可能会损坏设备。
注14 ：
在上电期间的CE / PGM引脚必须被拉高（ ≥V
IH
）无论是一致或电源之前被应用到V
PP
.
5
FM27C040版本A
www.fairchildsemi.com
FM27C040 4,194,304位（ 512K ×8 ）高性能CMOS EPROM
2000年1月
FM27C040
4,194,304位（ 512K ×8 ）高性能
CMOS EPROM
概述
该FM27C040是一种高性能， 4194304位电
可编程紫外线擦除只读存储器。它的组织结构
由于每个8位512K字。其引脚兼容性字节宽
JEDEC的EPROM支持通过8兆比特的EPROM升级。
“不关心”功能的V
PP
在读取操作期间允许
内存扩展，从1M到8兆，没有印刷电路
全盘改变。
该FM27C040提供基于微处理器的系统exten-
西伯存储容量为操作系统的大部分与
应用软件。其120ns的访问时间提供高速
操作高性能的CPU。该FM27C040提供
对于100％的代码存储要求的单芯片解决方案
基于固件的设备。经常使用的软件程序
很快从EPROM存储执行，极大地提高了
系统实用程序。
该FM27C040采用飞兆半导体先进的CMOS制造
AMG EPROM技术。
特点
I
高性能CMOS
- 120 ， 150ns的访问时间*
I
简单的升级路径
—V
PP
是在正常的读操作“无关”
I
制造商标识代码
I
JEDEC标准的引脚配置
- 32引脚PDIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚CERDIP
*注意：
新的修订符合为70ns 。请与厂方。
框图
VCC
GND
VPP
OE
CE / PGM
输出使能，
芯片使能，并
程序逻辑
数据输出O0 - O7
产量
缓冲器
Y译码
..
门控
A0 - A18
地址
输入
.......
4,194,304-Bit
细胞矩阵
X解码器
DS800033-1
AMG 是WSI ， Inc.的商标。
1999仙童半导体公司
FM27C040版本A
1
www.fairchildsemi.com
FM27C040 4,194,304位（ 512K ×8 ）高性能CMOS EPROM
连接图
27C010
FM27C040
XX / V
PP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
27C010
XX / V
PP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
GND
注意：
V
CC
A18
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE / PGM
O7
O6
O5
O4
O3
V
CC
XX / PGM
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
O7
O6
O5
O4
O3
DS800033-2
兼容EPROM的管脚配置示于邻近FM27C040销的块。
商业级温度范围
(0
°
C至+70
°
C） V
CC
= 5V
±
10%
参数/订单号
FM27C040 Q， N，V 90
FM27C040 Q， N，V 120
FM27C040 Q， N，V 150
扩展级温度范围
(-40
°
C至+ 85
°
C） V
CC
= 5V
±
10%
参数/订单号
FM27C040 QE ， NE ， VE 90
FM27C040 QE ， NE ， VE 120
FM27C040 QE ， NE ， VE 150
套餐类型： FM27C040 Q， N，V XXX
Q =石英窗陶瓷DIP
N =塑料DIP
访问时间（纳秒）
90
120
150
访问时间（纳秒）
90
120
150
所有版本都保证正常的速度较慢。
引脚名称
A0–A18
CE / PGM
OE
O0–O7
XX
地址
芯片使能/程序
OUTPUT ENABLE
输出
不在乎（在读）
V = PLCC
所有封装符合JEDEC标准。
2
FM27C040版本A
www.fairchildsemi.com
FM27C040 4,194,304位（ 512K ×8 ）高性能CMOS EPROM
绝对最大额定值
（注1 ）
储存温度
所有输入电压除与A9
对于地面
V
PP
和A9的对地
V
CC
与电源电压
对于地面
ESD保护
-65 ° C至+ 150°C
所有输出电压与
对于地面
V
CC
+ 1.0V至GND - 0.6V
工作范围
-0.6V至+ 7V
-0.6V至+ 14V
-0.6V至+ 7V
>2000V
范围
广告
产业
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
+5V
+5V
公差
±10%
±10%
读操作
DC电气特性
在整个工作范围与V
PP
= V
CC
符号
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
I
SB1
I
SB2
I
CC
I
PP
V
PP
I
LI
I
LO
参数
输入低电平
输入高电平
输出低电压
输出高电压
V
CC
待机电流（ CMOS ）
V
CC
待机电流
V
CC
工作电流
V
PP
电源电流
V
PP
读取电压
输入负载电流
输出漏电流
测试条件
民
-0.5
2.0
最大
0.8
V
CC
+1
0.4
单位
V
V
V
V
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -2.5毫安
CE = V
CC
±
0.3V
CE = V
IH
CE = OE = V
IL
,
I / O = 0毫安
V
PP
= V
CC
V
CC
- 0.4
V
IN
= 5.5V或GND
V
OUT
= 5.5V或GND
-1
-10
F = 5兆赫
3.5
100
1
30
10
V
CC
1
10
A
mA
mA
A
V
A
A
AC电气特性
在整个工作范围与V
PP
= V
CC
符号
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
（注2 ）
t
OH
（注2 ）
参数
民
地址输出延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
输出禁止以
输出的浮动
从地址CE或OE输出保持，
以先发生
0
120
最大
120
120
50
45
0
150
民
最大
150
150
50
55
单位
ns
电容
T
A
= + 25 ° C，F = 1兆赫（注2 ）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
典型值
9
12
最大
15
15
单位
pF
pF
3
FM27C040版本A
www.fairchildsemi.com
FM27C040 4,194,304位（ 512K ×8 ）高性能CMOS EPROM
AC测试条件
输出负载
1 TTL门和C
L
= 100 pF的（注8 ）
≤5
ns
0.45V至2.4V
输入上升和下降时间
输入脉冲电平
定时测量参考电平（注10 ）
输入
0.8V和2V
产出？
0.8V和2V
AC波形
（注6 ， 7 ， 9 ）
地址
2V
0.8V
地址是合法的
CE
2V
0.8V
吨CE
吨CF
（注4,5）
OE
2V
0.8V
吨OE
（注3）
吨DF
（注4,5）
有效的输出
高阻
吨OH
DS800033-4
产量
2V
0.8V
高阻
吨ACC
（注3）
注1 ：
条件超过上述“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
注2 ：
该参数仅取样，而不是100％测试。
注3 ：
OE可能会延迟到t
加
- t
OE
行政长官不会影响吨下降沿后
加
.
注4 ：
经t
DF
和T
CF
比较电平如下确定：
高TRI- STATE
时，测得的V
OH1
（直流） - 0.10V ;
低TRI -STATE ，测得V
OL1
（直流）+ 0.10V 。
注5 ：
TRI- STATE可以使用OE或CE来实现。
注6 ：
EPROM中的功率开关特性需要仔细的去耦装置。所以建议至少0.1
F
陶瓷电容在每个设备上使用
V之间
CC
和GND 。
注7 ：
的输出必须被限制到V
CC
+ 1.0V以避免闩锁和设备的损坏。
注8 ：
1 TTL门：我
OL
= 1.6毫安，我
OH
= -400
A.
C
L
： 100 pF的包括夹具电容。
注9 ：
V
PP
可以连接到V
CC
除了在编程过程中。
注10 ：
输入和输出可以下冲至-2.0V为20 ns（最大值） 。
4
FM27C040版本A
www.fairchildsemi.com
FM27C040 4,194,304位（ 512K ×8 ）高性能CMOS EPROM
编程波形
（注13 ）
节目
地址
2V
0.8V
节目
VERIFY
地址n
t
AS
数据
2V
0.8V
数据稳定
增加N
t
AH
高阻
数据输出有效
增加N
t
DS
6.25V
t
DH
t
DF
V
PP
12.75V
t
VCS
V
CC
t
VPS
2V
0.8V
CE / PGM
t
PW
OE
2V
0.8V
t
OES
t
OE
DS800033-5
编程特性
（注11 ， 12 ， 13 ， 14 ）
符号
t
AS
t
OES
t
DS
t
VPS
t
VCS
t
AH
t
DH
t
DF
t
PW
t
OE
I
PP
I
CC
T
A
V
CC
V
PP
t
FR
V
IL
V
IH
t
IN
t
OUT
参数
地址建立时间
OE建立时间
数据建立时间
V
PP
建立时间
V
CC
建立时间
地址保持时间
数据保持时间
输出使能到输出的浮动延迟
编程脉冲宽度
数据有效的OE
V
PP
在电源电流
编程脉冲
V
CC
电源电流
温度环境
电源电压
编程电压
输入的上升，下降时间
输入低电压
输入高电压
输入时序参考电压
输出时序参考电压
条件
民
1
1
1
1
1
0
1
典型值
最大
单位
s
s
s
s
s
s
s
CE / PGM = X
0
45
50
60
105
100
30
30
ns
s
ns
mA
mA
°C
V
V
ns
CE / PGM = X
CE / PGM = V
IL
20
6.25
12.5
5
-0.1
2.4
0.8
0.8
25
6.5
12.75
30
6.75
13.0
0.0
4.0
0.45
V
V
2.0
2.0
V
V
注11 ：
只有飞兆半导体的标准产品保修适用于编程，这里所描述的规格的设备。
注12 ：
V
CC
必须同时或V前申请
PP
同时或V后取出
PP
。在EPROM中不能插入或从板除去
电压施加到V
PP
或V
CC
.
注13 ：
其可被应用到V中的最大绝对允许电压
PP
在编程过程中引脚为14V 。切换V时，必须小心
PP
供应
防止过冲超出这个14V的最大规格。至少0.1
F
电容器两端V所需
PP
, V
CC
至GND，抑制杂散电压瞬变
这可能会损坏设备。
注14 ：
在上电期间的CE / PGM引脚必须被拉高（ ≥V
IH
）无论是一致或电源之前被应用到V
PP
.
5
FM27C040版本A
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