FDFME3N311ZT集成的N沟道PowerTrench
MOSFET和肖特基二极管
2009年9月
FDFME3N311ZT
集成的N沟道PowerTrench
MOSFET和肖特基二极管
30 V ， 1.6 A ， 299毫欧
特点
最大
DS （ ON）
= 299毫欧的V
GS
= 4.5 V，I
D
= 1.6 A
最大
DS （ ON）
= 410毫欧的V
GS
= 2.5 V，I
D
= 1.3 A
薄型0.55 mm最大的新包
的MicroFET 1.6x1.6
薄
不含卤素化合物和氧化锑
HBM ESD保护水平1600V > （注3 ）
符合RoHS
这些新产品1.6x1.6
薄
封装提供卓越的热
为它表现的物理尺寸，并适用于切换
和线性模式应用。
概述
这个装置是专具体来说作为一个单一封装解决方案
在蜂窝手机和其他超便携升压拓扑结构
应用程序。它具有低输入电容的MOSFET ，
总栅极电荷与导通电阻。一个独立
具有低正向电压和反向连接的肖特基二极管
漏电流最大化升压效率。
应用
升压功能
D
NC
A
Pin1
K
S
G
K
D
底部
1.6x1.6的MicroFET薄型
顶部
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
P
D
V
RRM
I
O
T
J
, T
英镑
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
-Continuous
-Pulsed
功耗
功耗
肖特基重复峰值反向电压
肖特基平均正向电流
工作和存储结温范围
（注4 ）
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C
（注1A ）
T
A
= 25°C
（注1A ）
参数
评级
30
±12
1.6
4.5
1.1
0.5
28
1
-55到+150
单位
V
V
A
W
V
A
°C
热特性
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
热阻，结到环境
热阻，结到环境
热阻，结到环境
热阻，结到环境
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
（注1D ）
110
234
95
210
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
1T
设备
FDFME3N311ZT
包
的MicroFET 1.6x1.6
薄
1
带尺寸
7’’
胶带宽度
8mm
QUANTITY
5000台
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FDFME3N311ZT Rev.C2
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MOSFET和肖特基二极管
电气特性
T
J
= 25 C ，除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250
A,
V
GS
= 0 V
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= ±12 V, V
DS
= 0 V
30
25
1
±10
V
毫伏/°C的
A
A
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
r
DS （ ON）
g
FS
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
A
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 1.6 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 1.3 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 1.6 A，T
J
= 150 °C
V
DS
= 5 V，I
D
= 1.6 A
0.5
1
-3
235
296
327
2.8
299
410
420
S
m
1.5
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
55
15
7
7.5
75
20
10
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
GS
= 4.5 V
V
DD
= 15 V
I
D
= 1.6 A
V
DD
= 15 V，I
D
= 1.6 A
V
GS
= 4.5 V ，R
根
= 6
6
8
22
1.4
1
0.2
0.3
12
16
35
2.8
1.4
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏源二极管的正向电流
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= 0.9 A
（注2 ）
0.9
12
3.1
1.6
1.2
22
10
A
V
ns
nC
I
F
= 1.6 A ， di / dt的= 100 A / μs的
肖特基二极管特性
I
R
V
F
V
F
反向漏
正向电压
正向电压
V
R
= 28 V
I
F
= 1 A
I
F
= 500毫安
T
J
= 25 °C
T
J
= 85 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 85 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 85 °C
15
0.46
0.47
0.45
0.38
0.33
0.48
100
4.7
0.57
A
mA
V
V
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FDFME3N311ZT Rev.C2
2
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MOSFET和肖特基二极管
电气特性
注意事项：
1. R
θJA
与安装在一个1的设备中确定
2
盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。
θJC
由设计而
θJA
通过确定
用户的电路板设计。
（一）的MOSFET
θJA
= 110℃ / W安装在1时
2
垫2盎司纯铜， 1.5 " ×1.5 " X 0.062 "厚的PCB 。
（二） MOSFET
θJA
=装在2盎司纯铜最小焊盘时， 234 ° C / W 。对于单操作。
（三）肖特基
θJA
= 95℃ / W安装在1时
2
垫2盎司纯铜， 1.5 " ×1.5 " X 0.062"厚的PCB 。
（四）肖特基
θJA
=装在2盎司纯铜最小焊盘时， 210 ° C / W 。对于双操作。
一。安装在一个1时110℃ / W的
in
2
垫2盎司纯铜。
B 。安装在234的时候°C / W
2盎司纯铜最小焊盘。
。装在当95℃ / W的
在A 1
2
垫2盎司纯铜。
。安装在一个时210℃ / W的
2盎司纯铜最小焊盘。
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
3.连接在栅极和源极之间的二极管只作为保护的ESD 。没门过电压等级是不言而喻的。
4.评分仅适用于MOSFET 。
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MOSFET和肖特基二极管
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
4
归
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 6 V
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 3.5 V
V
GS
= 3 V
2.5
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
I
D
,
漏电流（ A）
3
2.0
V
GS
= 1.8 V
2
V
GS
= 2.5 V
1.5
V
GS
= 2.5 V
1
V
GS
= 1.8 V
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
1.0
V
GS
= 3 V V
GS
= 3.5 V V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 6 V
0
0
0.5
0
1
2
I
D
,
漏电流（ A）
3
4
1
2
3
V
DS
,
漏源极电压（ V）
图1.地区特点
图2.归一导通电阻
VS漏极电流和栅极电压
1.8
归
漏极至源极导通电阻
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-50
源导通电阻
(
m
)
I
D
= 1.6 A
V
GS
= 4.5 V
r
DS （ON ） ，
漏
1000
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
800
I
D
= 1.6 A
600
T
J
= 125
o
C
400
200
T
J
= 25
o
C
-25
0
25
50
75
100 125
T
J
,
结温
(
o
C
)
150
0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
V
GS
,
门源电压（ V）
图3.归一导通电阻
VS结温
4
I
S
，反向漏电流（ A）
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
图4.导通电阻与栅极到
源极电压
10
V
GS
= 0 V
I
D
，漏电流（ A）
3
V
DS
= 5 V
1
T
J
= 150
o
C
2
T
J
= 150
o
C
0.1
T
J
= 25
o
C
1
T
J
= 25
o
C
0.01
T
J
= -55
o
C
T
J
= -55
o
C
0
0
1
2
3
4
0.001
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
GS
，门源电压（ V）
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管
正向电压随电流源
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典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
4.5
V
GS
，门源电压（ V）
I
D
= 1.6 A
V
DD
= 10 V
100
C
国际空间站
电容（pF）
3.0
V
DD
= 15 V
V
DD
= 20 V
C
OSS
1.5
10
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
C
RSS
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
4
0.1
1
10
30
Q
g
，栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.电容VS漏
至源极电压
10
I
g
,
栅极漏电流（ A）
10
100美
1毫秒
-2
I
D
，漏电流（ A）
10
10
10
10
10
10
10
-3
V
DS
= 0 V
1
-4
0.1
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
10毫秒
100毫秒
1s
10 s
DC
-5
T
J
= 150
o
C
-6
0.01
单脉冲
T
J
=最大额定
R
θ
JA
= 234
o
C / W
T
A
= 25 C
o
-7
-8
T
J
= 25
o
C
0.001
0.1
1
10
100
-9
V
DS
，漏源极电压（ V）
0
5
10
15
20
V
GS ，
门源电压（ V）
图9.正向偏置安全
工作区
I
R
,
反向漏电流（mA）
图10.栅极漏电流与
栅极至源极电压
5
I
F
,
正向电流（ A）
10
-2
T
J
= 125
o
C
1
10
-3
T
J
= 125
o
C
T
J
= 100
o
C
10
-4
0.1
T
J
= 25
o
C
10
-5
0.01
T
J
= 25
o
C
10
-6
0
5
10
15
20
25
30
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
R
,
反向电压（ V）
V
F
,
正向电压（MV ）
图11.肖特基二极管反向电流
图12.肖特基二极管的正向电压
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