【FLU17ZM特点高输出功率： P1dB为32.5dBm = （典型值）。高增益： G1dB = 1】,IC型号FLU17ZM,FLU17ZM PDF资料,FLU17ZM经销商,ic,电子元器件-51电子网

FLU17ZM

特点

高

输出功率： P1dB为32.5dBm = （典型值）。

高

增益： G1dB = 12.5分贝（典型值）。

ULOW

成本塑料（ SMT ）封装

Tape

和卷轴可用

L波段中&高功率GaAs FET

描述

该FLU17ZM是一个砷化镓场效应管设计用于基站和CPE

应用程序。这是使用塑料表面贴装的新产品系列

包进行了优化，为大批量的成本驱动的应用程序。

富士通的严格的质量保证计划，保证最高

可靠性和一致的性能。

绝对最大额定值（外壳温度Tc = 25℃）

项

漏源电压

门Soutce电压

总功耗

储存温度

通道温度

符号

英镑

等级

-5

8.3

-55到+150

150

单位

℃

推荐工作条件（案例温度Tc = 25 ℃ ）

项

直流输入电压

通道温度

正向栅电流

反向栅电流

栅极电阻

符号

GSF

GSR

条件

≤

145

≤

9..6

≥-1.0

200

单位

℃

电气特性（外壳温度TC = 25 ℃ ）

项

漏电流

跨

捏-O FF电压

栅源击穿

电压

在1分贝G.C.P.输出功率

功率增益1分贝G.C.P.

热阻

类型： ZM

符号

DSS

GSO

1dB

测试条件

=5V, V

=0V

= 5V ，我

=400mA

= 5V ，我

=30mA

=-30uA

=10V,

f=2.0GHz,

=0.6I

DSS

（典型值）。

渠道情况

分钟。

-1.0

-5

31.5

11.5

极限

典型值。

600

300

-2.0

32.5

12.5

马克斯。

900

-3.5

单位

DBM

℃/W

G.C.P. ：增益压缩点

注1：供给到本说明书中的产品是100％的DC性能测试。

注2：射频参数进行抽样检测10个/批了很多基础测量。

验收标准：（接受/拒绝） = （ 0/1）。任何失败的很多，应100 ％复检。

ESD

类

Ⅱ

500

1999 V

注：根据EIAJ ED- 4701 C- 111A （ C = 100pF的， R = 1.5kΩ上）

1.1版

2003年5月

FLU17ZM

L波段中&高功率GaAs FET

功率降额曲线

总功耗[ W]

100

120

140

160

外壳温度[ ℃ ]

输出功率&功率附加效率

随输入功率

F = 2.0GHz的，V

= 10V ，我

= 0.6IDSS

100

噘

P.A.E.

8 10 12 14 16 18 20 22 24

输入功率[ dBm的]

小单R.L.与频率

宽带调谐（ 1.8GHz的

2.2GHz)

小信号R.L. &

隔离[分贝]

-5

-10

-15

-20

-25

-30

-35

1.4 1.6 1.8 2

2.2 2.4 2.6 2.8 3

S22

S12

S21

S11

-2

-4

-6

3.2

小信号增益（分贝）

频率[ GHz的]

功率附加效率（％）

输出功率[ dBm的]

FLU17ZM

L波段中&高功率GaAs FET

■

S参数

+50j

+25j

+90 °

+100j

+10j

100

+250j

1.0GH

2.0

∞

±1 80° 1 0

量表| S

3.0

0°

-10j

-250j

0 .4

-25j

-50j

-100j

S 11

S 22

0.6

-9 0°

规模FO - [R | S

S 12

S 21

= 10V ，我

= 360毫安

频率

[千兆赫]

0.5

1.5

2.5

3.5

4.5

S11

MAG

0.89

0.87

0.85

0.84

0.85

0.87

0.89

0.90

昂

-130.40

-159.47

-172.30

176.73

166.01

153.61

142.11

131.82

124.40

118.39

S21

MAG

7.82

4.26

2.95

2.31

1.89

1.58

1.33

1.12

0.94

0.79

昂

106.20

84.91

71.11

58.41

45.71

31.88

18.68

5.71

-5.77

-16.59

S12

MAG

0.05

0.04

0.03

昂

22.81

10.25

3.23

-2.81

-10.38

-11.34

-15.81

-20.61

-22.32

-26.62

S22

MAG

0.38

0.40

0.41

0.42

0.43

0.44

0.48

0.52

0.57

0.61

昂

-144.06

-157.62

-162.28

-166.91

-172.98

179.73

170.94

162.31

154.52

147.78

FLU17ZM

L波段中&高功率GaAs FET

输出功率大，漏电流随输入功率

@ V

= 10V ，我

= 0.6IDSS

输出功率[ dBm的]

6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26

输入功率[ dBm的]

噘

IDS [马]

P.A.E.

噘

引脚噘@f = 1.8GHz的

450

漏电流[mA ]

输出功率[ dBm的]

引脚噘@f = 2.0GHz的

功率附加效率（％）

450

400

功率附加效率（％）

350

300

250

漏电流[mA ]

400

8 10 12 14 16 18 20 22 24 26

输入功率[ dBm的]

IDS [马]

P.A.E.

350

300

250

引脚噘@f = 2.2GHz的

输出功率[ dBm的]

8 10 12 14 16 18 20 22 24 26

输入功率[ dBm的]

噘

IDS [马]

P.A.E.

450

漏电流[mA ]

400

350

300

250

在P ü吨宝宽E 研究[D家蚕]

功率附加效率（％）

输出功率与频率的关系

1.7

1.9

2.1

2.3

神父é阙NCY [千兆赫]

Pin=10dBm

Pin=25dBm

Pin=15dBm

Pin=28dBm

Pin=20dBm

P1dB

FLU17ZM

L波段中&高功率GaAs FET

@ V

= 10V ，我

= 0.6IDSS

IMD与输出功率（ 2音）

-10

IMD [ dBc的]

-30

-40

-50

-60

-70

-80

2音总噘[ dBm的] @ ΔF = + 5MHz的

IM3@1.8GHz

IM5@2.0GHz

IM5@1.8GHz

IM3L dBc的

IM3@2.0GHz

IM5L dBc的

的W-CDMA ，2-载波的IMD （ACLR）

* FO = 2.1325GHz * F1 = 2.1475GHz

-25

ACLR （ IMD ） [ dBc的]

-30

-35

-40

-45

-50

-55

-60

18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28

2音总噘[ dBm的]

IM3-L

IM3-U

IM5-L

IM5-U

-20

W-CDMA方式的单载波的ACLR

*fo=2.1325GHz

-25

-30

ACLR并[d BC]

W- CDMA单载波CCDF和增益

* FO = 2.1325GHz

CCDF ，增益[ D B ]

-35

-40

-45

-50

-55

-60

20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30

欧TPU吨战俘é 研究[D家蚕]

-5M赫兹

-10m赫兹

+ 5M赫兹

+ 10M赫兹

欧TPU吨战俘é 研究[D家蚕]

0.01%

PE AK

收益

注： *所有的信号都是W-CDMA调制3GPP3.4.12-00 BS- 1 64路非削波。

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