【FLL107MEL波段中&高功率GaAs FET特点高输出功率： P1dB为29.5dBm 】,IC型号FLL107ME,FLL107ME PDF资料,FLL107ME经销商,ic,电子元器件-51电子网

FLL107ME

L波段中&高功率GaAs FET

特点

高输出功率： P1dB为29.5dBm = （典型值）

高增益： G1dB = 13.5分贝（典型值）

高PAE ：

添加= 47 ％（典型值）。

久经考验的可靠性

密封包装

描述

该FLL107ME是一个功率GaAs FET ，是专门设计成

在L波段频率的增益，线性度提供高功率和

效率优于硅器件。在性能

多音环境的AB类操作使它们非常适用于

对于基站应用。本装置组装在密闭

金属/陶瓷封装。

富士通的严格的质量保证计划，保证最高

可靠性和一致的性能。

绝对最大额定值（环境温度Ta = 25 ℃）

项

漏源电压

栅源电压

总功耗

储存温度

通道温度

符号

VDS

VGS

TSTG

总胆固醇

TC = 25°C

条件

等级

-5

4.16

-65到+175

175

单位

°C

富士通建议对砷化镓场效应晶体管的可靠运行条件如下：

1.漏极 - 源极的工作电压（VDS）不应超过10伏。

2.正向和反向栅极电流不应超过4.8和-0.5毫安分别与

400Ω的栅极电阻。

3.工作通道温度（ TCH）应不超过145 ℃。

电气特性（环境温度Ta = 25 ℃）

项

饱和漏极电流

跨

捏-O FF电压

门源击穿电压

在1分贝G.C.P.输出功率

符号

IDSS

VGSO

P1dB

G1dB

添加

RTH

渠道情况

VDS = 10V

IDS

≈

0.6IDSS （典型值），

F = 2.3GHz的

测试条件

VDS = 5V ， VGS = 0V

VDS = 5V ， IDS = 200毫安

VDS = 5V ， IDS = 15毫安

IGS = -15μA

分钟。

-1.0

-5

28.5

12.5

极限

典型值。马克斯。

300

150

-2.0

29.5

13.5

450

-3.5

单位

DBM

° C / W

功率增益1分贝G.C.P.

功率附加英法fi效率

热阻

类型：

G.C.P ：增益压缩点

1.1版

1999年7月

FLL107ME

L波段中&高功率GaAs FET

功率降额曲线

总功耗（ W）

VGS = 0V

-0.5V

200

-1.0V

100

-1.5V

-2.0V

100

150

200

漏极电流与漏源电压

漏极电流（mA ）

300

外壳温度（ ° C）

漏源极电压（ V）

输出功率与输入功率

VDS=10V

IDS

≈

0.6IDSS

F = 2.3 GHz的

输出功率（dBm ）

噘

增加（％）

添加

输入功率（dBm ）

FLL107ME

L波段中&高功率GaAs FET

+j50

+j100

+j25

0.5 GHz的

0.5 GHz的1

100

250

S11

S22

+90°

S21

S12

+j10

4.5

3.5

+j250

2.5

180°

.02

.04

.06

.08

0°

量表| S21 |

0.5 GHz的

1.5

2.5

1.5

-j10

-j250

-j25

-j50

0.5 GHz的

-j100

量表| S12 |

-90°

S-参数

VDS = 10V ， IDS = 180毫安

频率

（兆赫）

500

1000

1500

2000

2500

3000

3500

4000

4500

5000

S11

MAG

.935

.884

.866

.854

.842

.829

.803

.761

.687

.554

S21

昂

-81.9

S12

昂

135.4

114.2

104.9

98.0

94.2

92.3

87.4

87.7

77.2

70.3

S22

昂

54.0

41.9

40.4

44.2

50.9

59.2

64.1

68.4

67.5

72.2

MAG

8.704

5.761

4.260

3.368

2.823

2.526

2.207

2.350

2.233

2.436

MAG

.021

.028

.029

.031

.027

.033

.035

.039

.050

MAG

.404

.408

.443

.494

.545

.585

.622

.651

.688

.699

昂

-43.3

-67.9

-84.0

-96.8

-106.5

-114.5

-121.9

-127.3

-132.7

-140.7

-121.5

-143.2

-157.4

-167.6

-176.8

175.1

166.3

155.0

138.8

下载S参数，请点击这里

FLL107ME

L波段中&高功率GaAs FET

机箱样式"ME"

金属陶瓷密封封装

5.0

(0.197)

2-2.2±0.15

(0.098)

2.0分钟。

(0.079)

2.0分钟。

(0.079)

5.0

-0.15

(0.197)

+0.1

1.0±0.15

(0.039)

16.0±0.15

(0.630)

0.1±0.05

(0.004)

1.65±0.2

(0.065)

12.0±0.15

(0.472)

9.0

(0.354)

4.0最大。

(0.157)

门

源（ FL法兰）

漏

源（ FL法兰）

1.2

(0.048)

单位：mm （英寸）

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富士通化合物半导体股份有限公司。

2355 Zanker路。

加利福尼亚州圣何塞， 95131-1138 ， U.S.A.

电话：（ 408 ） 232-9500

传真：（ 408 ） 428-9111

www.fcsi.fujitsu.com

富士通微电子有限公司。

化合物半导体事业部

网络之家

Norreys驱动器

梅登黑德，伯克希尔SL6 4FJ

电话： +44 （ 0 ） 1628 504800

传真： +44 （ 0 ） 1628 504888

小心

富士通化合物半导体的产品包含

砷化镓

砷化镓（GaAs ）

这会危害人体和环境。

为安全起见，请遵循以下步骤：

不要将这些产品放入口中。

不要改变这个产品的形式转化为气体，粉末或液体

通过燃烧，粉碎，或化学处理，因为这些副产物

是危险的，如果吸入，食入，或吞食人体。

遵守政府的法律和丢弃这个时候公司规定

产品。该产品必须按照方法被丢弃

适用危险废物的程序规定。

富士通公司保留更改产品规格，恕不另行通知。

信息不转达根据富士通公司或他人的权利的任何许可。

1998富士通化合物半导体股份有限公司。

美国印刷FCSI0598M200

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