FLS0116 - MOSFET集成智能LED灯驱动器IC，具有PFC功能
2012年4月
FLS0116
MOSFET集成智能LED灯驱动器IC，具有
PFC功能
特点
内置MOSFET （ 1A / 550V ）
数字实现有源PFC功能
没有任何附加电路实现高PF
申请输入范围： 80V
AC
~ 308V
AC
内置高压供给电路：自偏压
AOCP功能和自动重启动模式
内置过温保护（ OTP ）
逐周期电流限制
电流检测引脚开路保护
低工作电流： 0.85毫安（典型值）
欠压锁定与5V迟滞
可编程振荡频率
可编程LED电流
模拟调光功能
软启动功能
精确的内部参考： ± 3 ％
描述
该FLS0116 LED灯驱动器是一个简单的IC，具有
集成MOSFET和PFC功能。特
“通过数字化”技术，自动侦测输入
电压条件，并发送一个内部基准信号
实现高功率因数。当AC输入被施加
在IC ， PFC功能是自动启用的。
当直流输入被施加到IC中，PFC功能是
自动禁用。该FLS0116不需要
散装（电解）电容供电轨的稳定性，这
显著提高了LED灯的寿命。
应用
LED灯装饰照明
LED灯低功耗照明灯具
图1.典型应用
订购信息
产品型号
FLS0116MX
操作
温度范围
-40°C至+ 125°C
包
7铅，小外形集成电路（ SOIC ）
JEDEC MS- 012 ， .150英寸，窄体
包装方法
磁带&卷轴
2012仙童半导体公司
FLS0116 版本1.0.0
www.fairchildsemi.com
FLS0116 - MOSFET集成智能LED灯驱动器IC，具有PFC功能
框图
VCC
2
VCC
ZCD
JFET
UVLO
时间
7 HV
I
AD
ZCD
8漏极
ADIM
5
DAC
软启动
TSD
数字模块
RT
4
振荡器
-
参考
R
S
Q
+
LEB
1 CS
-
+
2.5V
GND
3
FLS0116
前沿
消隐
AOCP
图2.框图
引脚配置
图3.引脚配置
FLS0116
引脚德网络nitions
针＃
1
2
3
4
5
7
8
名字
CS
VCC
GND
RT
ADIM
HV
漏
描述
电流检测。
限制输出电流，这取决于所述感测电阻器的电压。 CS引脚
还用于设置LED电流调节。
VCC 。
电源引脚用于IC的稳定运行;用于精确的PFC功能ZCD信号检测。
地面上。
地为IC
RT 。
使用一个外部电阻器可编程的工作频率;该IC已预先定
频率时，该引脚为开或浮动。
模拟调光。
连接到内部的电流源。用于改变输出电流
使用外部电阻器。如果ADIM不使用，连接之间的一个0.1μF的旁路电容
ADIM和GND 。
高电压。
连接到所述高电压线和电源电流的IC 。
沥干。
内部MOSFET的漏极引脚
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绝对最大额定值
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
V
CC
HV
漏
V
ADIM
V
RT
V
CS
T
A
T
J
T
英镑
θ
JA
P
D
ESD
IC的电源电压
高电压检测
内部漏极电压
模拟调光
RT引脚电压
参数
分钟。
马克斯。
20
550
550
5
5
5
单位
V
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
° C / W
mW
V
许用电流检测电压检测
工作环境温度范围
工作结温
存储温度范围
热阻结到空气
(1,2)
功耗
静电放电能力
人体模型， JESD22- A114
带电器件模型， JESD22- C101
-40
-40
-65
+125
+150
+150
135
660
2000
1000
注意事项：
1.热阻测试板。尺寸： 76.2毫米X 114.3毫米X 1.6毫米（ 1S0P ） ; JEDEC标准： JESD51-2 ， JESD51-3 。
2.假设没有环境空气流通。
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电气特性
典型值是在T
A
= + 25°C 。规格为-40 ° C 125°C的基础上最终设计都保证
表征结果。
符号
V
CC
偏科
V
CC
V
CCST +
V
CCST-
V
CCHYS
I
HV
I
ST
参数
V
CC
稳压器输出电压
UVLO正向阈值
UVLO负门槛
UVLO迟滞
HV引脚电流
启动电流
条件
V
HV
=100V
DC
V
CC
增加
V
CC
减少
V
HV
=100V
DC
， RT =打开
分钟。
14.0
12
7
4
典型值。
15.5
13
8
5
0.85
120
马克斯。
17.0
14
9
6
1.2
150
单位
V
V
V
V
mA
μA
开关部分
R
T
=5.95kΩ
f
OSC
工作频率
R
T
=87kΩ
R
T
开放
t
民
D
最大
t
LEB
V
RT
最小导通时间
(3)
最大占空比
前沿消隐时间
(3)
RT引脚的电压参考
DC模式
AC模式
DC模式
AC模式
(3)
0.354
0.485
17.7
48
200
16
40.5
250
20
45.0
400
50
350
1.5
60
7
0.365
0.500
18.7
2.5
70
140
150
50
0.376
0.515
19.7
72
300
24
49.5
千赫
千赫
千赫
ns
%
ns
V
ms
期
软启动部分
t
ss
软启动时间
(3)
参考科
V
CS1
V
CS2
OVP
VCC
V
AOCP
t
AOCP
T
tSDH
T
TSDhy
CS引脚的内部参考电压
V
保护科
过电压保护器的VCC引脚
在CS引脚异常OCP水平
(3)
异常检测时间
(3)
热关断阈值
(3)
热关断阈值
迟滞
(3)
V
V
ns
°C
°C
调光部
模拟调光正向
V
ADIM （ ST + ）
门槛
(3)
模拟调光负向
V
ADIM （ ST- ）
门槛
(3)
I
AD
内部电流源为ADIM引脚
3.15
3.50
0.50
3.85
0.75
15
V
V
μA
9
12
续下页...
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电气特性
（续）
典型值是在T
A
= + 25°C 。规格为-40 ° C 125°C的基础上最终设计都保证
表征结果。
符号
MOSFET部分
BV
DSS
I
LKMOS
R
接通（ON）的
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
参数
击穿电压
内部MOSFET的漏电流
漏源导通电阻
(3)
输入电容
(3)
输出电容
(3)
反向传输电容
(3)
导通延迟
(3)
上升时间
(3)
关断延时
下降时间
(3)
(3)
条件
V
CC
= 0V时，我
D
=250μA
V
DS
=550V
DC
, V
GS
=0V
V
GS
=10V, V
DGS
=0V,
T
C
=25°C
V
GS
=0V,V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V,V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V,V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
DD
= 350V ，我
D
=1A
V
DD
= 350V ，我
D
=1A
V
DD
= 350V ，我
D
=1A
V
DD
= 350V ，我
D
=1A
分钟。
550
典型值。
马克斯。
单位
V
250
7.3
135
21
3.2
10
13.4
14.9
36.8
10.0
μA
Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
注意：
3.这些参数，虽然保证的，是不是100％在生产测试。
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