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FLL120MK
L波段中&高功率GaAs FET
特点
高输出功率： P1dB为40.0dBm = （典型值）
高增益： G1dB = 10.0分贝（典型值）
高PAE ：
η
添加= 40 ％ （典型值）。
久经考验的可靠性
密封包装
描述
该FLL120MK是一个功率GaAs FET ，是专门设计成
在L波段频率的增益，线性度提供高功率和
效率优于硅器件。在性能
多音环境的AB类操作使他们的理想
适用于基站应用。
富士通的严格的质量保证计划，保证最高
可靠性和一致的性能。
绝对最大额定值（环境温度Ta = 25 ℃）
项
漏源电压
栅源电压
总功耗
储存温度
通道温度
符号
VDS
VGS
PT
TSTG
总胆固醇
TC = 25°C
条件
等级
15
-5
37.5
-65到+175
175
单位
V
V
W
°C
°C
富士通建议对砷化镓场效应晶体管的可靠运行条件如下：
1.漏极 - 源极的工作电压（VDS）不应超过10伏。
2.正向和反向栅极电流不应超过26.8和-5.8毫安分别与
50Ω的栅极电阻。
3.工作通道温度（ TCH）应不超过145 ℃。
电气特性（环境温度Ta = 25 ℃）
项
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
门源击穿电压
在1分贝G.C.P.输出功率
符号
IDSS
gm
Vp
VGSO
P1dB
G1dB
η
添加
RTH
渠道情况
VDS = 10V
IDS
=
0.55 IDSS （典型值） ，
F = 2.3GHz的
测试条件
VDS = 5V ， VGS = 0V
VDS = 5V ， IDS = 2400毫安
VDS = 5V ， IDS = 240毫安
IGS = -240μA
分钟。
-
-
-1.0
-5
39.5
9.0
-
-
极限
典型值。马克斯。
4000 6000
2000
-2.0
-
40.0
10.0
40
3.3
-
-3.5
-
-
-
-
4.0
单位
mA
mS
V
V
DBM
dB
%
° C / W
功率增益1分贝G.C.P.
功率附加英法fi效率
热阻
类型：
MK
G.C.P ：增益压缩点
1.1版
1999年7月
1
FLL120MK
L波段中&高功率GaAs FET
功率降额曲线
50
总功耗（ W）
40
30
20
10
4000
3000
2000
1000
VGS = 0V
-0.5V
-1.0V
-1.5V
-2.0V
0
50
100
150
200
0
2
4
6
8
10
外壳温度（ ° C）
漏源极电压（ V）
漏极电流与漏源电压
输出功率与输入功率
VDS=10V
IDS
≈
0.55 IDSS
F = 2.3 GHz的
42
输出功率（dBm ）
噘
40
38
36
η
添加
漏极电流（mA ）
60
40
20
20 22 24 26 28 30 32
输入功率（dBm ）
0
η
增加（ ％ ）
34
32
30
2
FLL120MK
L波段中&高功率GaAs FET
+j50
+j100
+j25
4.5
4.0
5.0 GHz的
5.0 GHz的
4.5
4.0
3.5
3.0
3.0
2.5
2.0 2.0
0.5GHz10
1.0
0.5GHz
S11
S22
+90°
S21
S12
0.5 GHz的
+j10
3.5
+j250
0
25
50
100
250
180°
4
3
2
5.0 GHz的
1 4.5
1.5 4.0 4.5
4.0
3.0 2.0
5.0 GHz的
1
0.5GHz
0°
量表| S21 |
量表| S12 |
-j10
-j250
0.1
-j25
-j50
-j100
0.2
-90°
S-参数
VDS = 10V ， IDS = 2200毫安
频率
（兆赫）
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
S11
MAG
.959
.953
.953
.951
.939
.914
.885
.836
.766
.690
S21
昂
MAG
3.136
1.617
1.170
.978
.927
.936
.990
1.106
1.239
1.415
S12
昂
95.8
94.1
93.8
92.3
91.4
88.0
80.6
67.1
48.2
23.9
S22
昂
31.0
45.7
64.3
82.4
89.1
93.2
94.6
88.1
77.3
60.5
MAG
.008
.010
.011
.014
.021
.024
.033
.051
.067
.103
MAG
.824
.813
.810
.792
.778
.739
.695
.633
.559
.477
昂
179.4
178.8
177.7
176.5
174.0
168.3
158.9
145.1
128.0
107.3
-168.4
-176.0
-179.6
177.0
172.6
165.1
152.7
134.0
107.3
71.6
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3
FLL120MK
L波段中&高功率GaAs FET
机箱样式"MK"
金属陶瓷密封封装
2.5分钟。
(0.098)
2-R 1.25
(0.049)
1
2
6.3±0.2
(0.25)
4.8
(0.188)
0.1
(0.004)
3
2.5分钟。
(0.098)
1.0±0.1
(0.039)
17.5±0.2
(0.689)
8.9
(0.349)
2.28±0.2
(0.089)
14.3±0.2
(0.563)
4.5最大。
(0.177)
1.78
(0.073)
1.门
2.源（法兰）
3.排水
单位：mm （英寸）
欲了解更多信息，请联系：
富士通化合物半导体股份有限公司。
2355 Zanker路。
加利福尼亚州圣何塞， 95131-1138 ， U.S.A.
电话： （ 408 ） 232-9500
传真： （ 408 ） 428-9111
www.fcsi.fujitsu.com
富士通微电子有限公司。
化合物半导体事业部
网络之家
Norreys驱动器
梅登黑德，伯克希尔SL6 4FJ
电话： +44 （ 0 ） 1628 504800
传真： +44 （ 0 ） 1628 504888
小心
富士通化合物半导体的产品包含
砷化镓
砷化镓（GaAs ）
这会危害人体和环境。
为安全起见，请遵循以下步骤：
不要将这些产品放入口中。
不要改变这个产品的形式转化为气体，粉末或液体
通过燃烧，粉碎，或化学处理，因为这些副产物
是危险的，如果吸入，食入，或吞食人体。
遵守政府的法律和丢弃这个时候公司规定
产品。该产品必须按照方法被丢弃
适用危险废物的程序规定。
富士通公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
信息不转达根据富士通公司或他人的权利的任何许可。
1998富士通化合物半导体股份有限公司。
美国印刷FCSI0598M200
4
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