FDMS9600S双N沟道PowerTrench
MOSFET
FDMS9600S
特点
Q1 ： N沟道
九月
2008
双N沟道
Q1 ： 30V ， 32A ， 8.5mΩ Q2 ： 30V ， 30A ， 5.5mΩ
的PowerTrench
MOSFET
概述
tm
该器件包括两个专门的MOSFET在一个独特的双
电源56包。
它的目的是提供一个最优
在效率和PCB方面同步降压功率级
利用率。低开关损耗"High Side" MOSFET的COM -
由低传导损耗"Low Side" SyncFET执行完成。
最大
DS （ ON）
= 8.5mΩ在V
GS
= 10V ，我
D
= 12A
最大
DS （ ON）
= 12.4mΩ在V
GS
= 4.5V ，我
D
= 10A
Q2 ： N沟道
最大
DS （ ON）
= 5.5mΩ在V
GS
= 10V ，我
D
= 16A
最大
DS （ ON）
= 7.0mΩ在V
GS
= 4.5V ，我
D
= 14A
低的Qg的高边MOSFET
低R
DS （ ON）
低边MOSFET
热效率高的双电源56包
引脚排列简单的PCB设计优化
符合RoHS
应用
同步降压转换器：
笔记本系统电源
负载的通用点
G1
D1
G2
S1/D2
S2
S2
S2
D1
D1
D1
5
6
7
8
Q2
4
3
2
Q1
1
电源56
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
GS
I
D
V
DS
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
- 连续（硅有限公司）
-Continuous
-Pulsed
P
D
T
J
, T
英镑
功率消耗单操作
工作和存储结温范围
- 连续（包装有限）T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C
参数
Q1
30
±20
32
55
（注1A ）
（注1A ）
（注1B ）
12
60
2.5
1.0
-55到+150
Q2
30
±20
30
108
16
60
W
°C
A
单位
V
V
热特性
R
θJA
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1B ）
3
50
120
1.2
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDMS9600S
设备
FDMS9600S
包
电源56
1
带尺寸
13”
胶带宽度
12mm
QUANTITY
3000台
www.fairchildsemi.com
2008飞兆半导体公司
FDMS9600S Rev.D1
FDMS9600S双N沟道PowerTrench
MOSFET
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
TYPE
民
典型值
最大
单位
漏源二极管的特性
I
S
最大连续漏源二极管的正向电流
V
GS
= 0V时，我
S
= 2.1A
V = 0V ，我
S
= 3.5A
源极到漏极二极管的正向电压
GS
V
GS
= 0V时，我
S
= 8.2A
反向恢复时间
反向恢复电荷
Q1
I
F
= 12A ，的di / dt = 100A / μs的
Q2
I
F
= 16A ，的di / dt = 300A / μs的
（注2 ）
（注2 ）
（注2 ）
Q1
Q2
Q1
Q2
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
0.7
0.4
0.5
33
27
20
33
2.1
3.5
1.2
1.0
1.0
A
V
SD
t
rr
Q
rr
V
ns
nC
注意事项：
1:
R
θJA
与安装在1英寸的设备决定
2
垫2盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。
θJC
由设计，同时保证
R
= CA
由下式确定
用户的电路板设计。
a.50 ℃/安装在当W
在A 1
2
2盎司纯铜垫
B 。安装在一个时120℃ / W的
2盎司纯铜最小焊盘
2:
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
FDMS9600S Rev.D1
3
www.fairchildsemi.com
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2007年6月
FDMS9600S
双N沟道
特点
Q1 ： N沟道
最大
DS （ ON）
= 8.5mΩ在V
GS
= 10V ，我
D
= 12A
最大
DS （ ON）
= 12.4mΩ在V
GS
= 4.5V ，我
D
= 10A
Q2 ： N沟道
最大
DS （ ON）
= 5.5mΩ在V
GS
= 10V ，我
D
= 16A
最大
DS （ ON）
= 7.0mΩ在V
GS
= 4.5V ，我
D
= 14A
低的Qg的高边MOSFET
低R
DS （ ON）
低边MOSFET
热效率高的双电源56包
引脚排列简单的PCB设计优化
符合RoHS
的PowerTrench
tm
MOSFET
概述
该器件包括两个专门的MOSFET在一个独特的双
电源56包。
它的目的是提供一个最优
在效率和PCB方面同步降压功率级
利用率。低开关损耗"High Side" MOSFET的COM -
由低传导损耗"Low Side" SyncFET执行完成。
Q1 ： 30V ， 32A ， 8.5mΩ Q2 ： 30V ， 30A ， 5.5mΩ
应用
同步降压转换器：
笔记本系统电源
负载的通用点
G1
D1
S1/D2
G2
S2
S2
S2
D1
D1
D1
5
6
7
8
Q2
4
3
2
Q1
1
电源56
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
I
D
- 连续（包装有限）T
C
= 25°C
- 连续（硅有限公司）
-Continuous
-Pulsed
P
D
T
J
, T
英镑
功率消耗单操作
工作和存储结温范围
（注1A ）
（注1B ）
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C
（注1A ）
参数
Q1
30
±20
32
55
12
60
2.5
1.0
-55到+150
Q2
30
±20
30
108
16
60
W
°C
A
单位
V
V
热特性
R
θJA
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1B ）
3
50
120
1.2
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
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设备
FDMS9600S
包
电源56
1
带尺寸
13”
胶带宽度
12mm
QUANTITY
3000台
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MOSFET
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
TYPE
民
典型值
最大
单位
漏源二极管的特性
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏源二极管的正向电流
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= 2.1A
V
GS
= 0V时，我
S
= 3.5A
Q1
I
F
= 12A ，的di / dt = 100A / μs的
Q2
I
F
= 16A ，的di / dt = 300A / μs的
（注2 ）
（注2 ）
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
0.7
0.4
33
27
20
33
2.1
3.5
1.2
1.0
A
V
ns
nC
注意事项：
1:
R
θJA
与安装在1英寸的设备决定
2
垫2盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。
θJC
由设计，同时保证
R
= CA
由下式确定
用户的电路板设计。
a.50 ℃/安装在当W
在A 1
2
2盎司纯铜垫
B 。安装在一个时120℃ / W的
2盎司纯铜最小焊盘
2:
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
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