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FJP5555 - NPN硅晶体管
2008年3月
FJP5555
NPN硅晶体管
高压开关模式的应用
快速开关速度
宽安全工作区
适用于电子镇流器应用
1
TO-220
1.Base
2.Collector
3.Emitter
绝对最大额定值*
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
J
T
英镑
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
集电极耗散。
结温
存储结温范围
价值
1050
400
14
5
10
85
150
- 55 ~ 150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
订购信息
产品型号
FJP5555TU
记号
J5555
包
TO220
包装方法
管
备注
2007仙童半导体公司
FJP5555版本1.0.0
1
www.fairchildsemi.com
FJP5555 - NPN硅晶体管
电气特性*
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
h
FE
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
*
条件
I
C
= 500毫安，我
E
=0
I
C
= 5毫安，我
B
=0
I
E
= 500毫安，我
C
=0
V
CE
= 5V ，我
C
=10mA
V
CE
= 3V ，我
C
=0.8A
分钟。
1050
400
14
10
20
典型值。
最大
单位
V
V
V
直流电流增益
40
0.5
1.5
1.2
45
1.0
1.2
0.3
V
V
V
pF
ms
ms
ms
ms
ms
ms
mJ
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 1A ，我
B
=0.2A
I
C
= 3.5A ，我
B
=1.0A
V
BE
（SAT）
C
ob
t
ON
t
英镑
t
F
t
ON
t
英镑
t
F
EAS
基射极饱和电压
输出电容
启动时间
贮存时间
下降时间
启动时间
贮存时间
下降时间
雪崩能量
I
C
= 3.5A ，我
B
=1.0A
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
V
CC
= 125V ，我
C
=0.5A
I
B1
= 45毫安，我
B2
=0.5A
R
L
=250W
V
CC
= 250V ，我
C
=2.5A
I
B1
= 0.5A ，我
B2
=1.0A
R
L
=100W
6
2.0
2.5
0.3
L = 2MH
*脉冲测试：脉冲宽度300毫秒英镑，占空比2英镑％
2007仙童半导体公司
FJP5555版本1.0.0
2
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FJP5555 - NPN硅晶体管
典型特征
5.0
4.5
100
TA = 75℃
TA = 125℃
o
o
V
CE
= 5V
I
C
[A] ，集电极电流
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
I
B
= 600毫安
h
FE
，直流电流增益
TA = - 25℃
10
o
TA = 25℃
o
I
B
= 200毫安
I
B
= 100毫安
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
1
1E-3
0.01
0.1
1
10
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
I
C
[A] ，集电极电流
图1.静态特性
图2.直流电流增益
10
V
CE
（饱和） [ V]时，饱和电压
I
C
= 5 I
B
TA = 125℃
1
o
V
BE
（饱和） [ V]时，饱和电压
10
I
C
= 5 I
B
1
TA = - 25℃
o
TA = 25℃
o
TA = 75℃
TA = - 25℃
TA = 25℃
o
o
o
TA = 125℃
0.1
o
TA = 75℃
o
0.1
0.01
0.01
0.1
1
10
0.01
0.01
0.1
1
10
I
C
[A] ，集电极电流
I
C
[A] ，集电极电流
图3.饱和电压
图4.饱和电压
1
t
英镑
＆放大器;牛逼
F
[美国] ，切换时间
t
英镑
＆放大器;牛逼
F
[美国] ，切换时间
t
英镑
1
t
英镑
0.1
t
F
0.1
V
CC
=125V
I
B1
= 45毫安，我
B2
=0.5A
t
F
V
CC
=250V
I
B1
= 0.5A ，我
B2
=1.0A
0.01
0.1
1
0.01
0.1
1
10
I
C
[A] ，集电极电流
I
C
[A] ，集电极电流
图5.阻性负载开关
图6.阻性负载开关
2007仙童半导体公司
FJP5555版本1.0.0
3
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FJP5555 - NPN硅晶体管
典型特征
（续）
100
90
I
C
[A] ，集电极电流
P
C
[W] ，功率耗散
10
80
70
60
50
40
30
20
10
0
V
CC
= 50V ，L = 1MH
I
B1
= 3A ，R
B2
=0
1
10
100
1000
0
25
50
o
75
100
125
150
175
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
锝[C] ，外壳温度
图7.反向偏置安全工作区
图8.功率降额
100
I
C
[A] ，集电极电流
10
I
CP
（最大）
I
C
（最大）
DC
100ms
10ms
1
0.1
TC = 25℃
单脉冲
0.01
1
10
100
1000
o
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
图9.正向偏置安全工作区
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FJP5555版本1.0.0
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FJP5555 - NPN硅晶体管
机械尺寸
TO220
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FJMA790
FW300B1
FAR-C4CQ-12000-M12-RRR
FX5545G0081V1B5
FSBF3CH60B
FX611LG
FT2000G
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
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    FJP5555
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